单片机控制DDS模块实现正弦波.doc

单片机控制DDS模块实现正弦波.doc

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时间:2020-03-24

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1、特征180MHz时钟速率参考时钟具有6倍倍乘器。芯片具有高性能10位DAC和高速滞后比较器无杂散动态范围SFDR为43分贝@70MHz的模拟输出。32位频率控制字简化控制接口:并行或串行异步加载格式5位相位调制和补偿能力比较器纹波抖动<80psp-p@20MHz+2.7V至+5.25V单电源工作低功耗:555毫瓦@180兆赫省电功能,4毫瓦@2.7V超小28引线SSOP封装频带宽正常输出工作频率范围为0~72MHz;应用频率/相敏正弦波合成为进行数字通信设定时钟恢复和锁定电路通信数字控制的ADC编码发

2、生器敏捷L.O应用在正交振荡器连续波,调幅,调频,FSK信号,发射机的MSK模式。概述该AD9851是一种高度集成的设备,采用先进的DDS技术,再加上内部高速度、高性能D/A转换器,和比较器,使一个数字可编程频率合成器和时钟发生器功能化。当参照准确的时钟源,AD9851可以产生一个稳定的频率和相位且可数字化编程的模拟正弦波输出。此正弦波可直接用作时钟源,在其内部转化为方波成为灵活的时钟发生器。AD9851采用的最新的高速DDS内核可接受32位的频率控制字,180MHz系统时钟,分辨率为0.04赫兹。该

3、AD9851包含一个特有的6×REFCLK倍乘器电路,因此无需高速外部晶振。6×REFCLK倍乘器使其有最小的无杂散动态范围SFDR和相位噪声特性。AD9851提供了5位可编程相位调制,使移相输出的增量为11.25°。功能方框图20该AD9851包含一个内部的高速比较器。可以输出一个低抖动输出脉冲。可进行频率调整,控制能将相位调谐字异步加载到AD9851并通过并行或串行方式载入。并行负载格式由五个迭代的8位控制字(字节)。第一个8位字节控制输出相位,6×REFCLK倍乘器,电源关闭启用和装载模式;其余

4、字节组成32位频率控制字。串行加载完成是通过一个40位串行数据流进入通过其中一根并行输入总线。该AD9851采用先进的具有突破性功能的CMOS技术。供电电源仅555毫瓦功率耗散(+5V电源供电),最大时钟速率为180兆赫。该AD9851封装采用28引脚SSOP,主流AD9850为125MHz的频率。AD9851详细说明时钟输入特性(6倍倍乘器未启动):+5V供电时最小输出频率1MHZ,最高输出频率为160MHZ。+3.3V供电时最小输出频率1MHZ,最高输出频率为120MHZ。+2.7V供电时最小输出

5、频率1MHZ,最高输出频率为100MHZ。时钟输入特性(6倍倍乘器启动):+5V供电时最小输出频率5MHZ,最高输出频率为30MHZ。+3.3V供电时最小输出频率5MHZ,最高输出频率为20.83MHZ。+2.7V供电时最小输出频率5MHZ,最高输出频率为16.66MHZ。输入阻抗:1MΩ输出阻抗:120kΩ宽带无杂散动态范围1.1MHz模拟输出(DCto72MHz)+25°CIV6064dBc20.1MHz模拟输出(DCto72MHz)+25°CIV5153dBc40.1MHz模拟输出(DCto72

6、MHz)+25°CIV5155dBc50.1MHz模拟输出(DCto72MHz)+25°CIV4653dBc70.1MHz模拟输出(DCto72MHz)+25°CIV4243dBc窄带无杂散动态范围1.1MHz(±50kHz)+25°CV85dBc1.1MHz(±200kHz)+25°CV80dBc40.1MHz(±50kHz)+25°CV85dBc40.1MHz(±200kHz)+25°CV80dBc70.1MHz(±50kHz)+25°CV85dBc70.1MHz(±200kHz)+25°CV73

7、dBc器件输出特性输入电容+25°CV3pF输出阻抗+25°CIV500kΩ输入偏差电流+25°CI12µA输入电压范围+25°CIV0—5V器件输出特性Logic“1”+5VSupply+25°CVI+4.8VLogic“1”+3.3VSupply+25°CVI+3.1VLogic“1”+2.7VSupply+25°CVI+2.3VLogic“0”Voltage+25°CVI+0.4V连续的输出电流+25°CIV20mA滞后现象+25°CIV10mV传输延时+25°CIV7ns转换频率(1Vp-pI

8、nputSineWave)+25°CIV200MHz上升/下降时间,15pFOutputLoad+25°CIV7ns输出抖动(p-p)3+25°CIV80ps(p-p)时钟输出特性输出抖动(时钟发生器配置,40MHz1V峰峰值输入正弦波)+25°CV250ps(p-p)时钟输出占空比FULLIV50±10%20最大绝对额定值最大节点温度................+150°C存储温度.................–65°Cto+150°CVS..

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