基于神经网络优化Cu—W—Ni电镀工艺.pdf

《基于神经网络优化Cu—W—Ni电镀工艺.pdf》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在行业资料-天天文库。

1、现代制造、工艺装备l2⋯们’年⋯第3期⋯XiandaizhizaogongyizhuangbeiI基于神经网络优化Cu—W—Ni电镀工艺水黄碧芳，付维松，王丽(1．贵州大学材料与冶金学院，贵州贵阳550025；2．首钢水城钢铁(集团)有限责任公司，贵州六盘水553028)摘要：本文用神经网络BP优化电镀cu—w—Ni工艺。BP预测数据与同参数正交实验结果相同，优化后的Cu—w—Ni镀层质量好。说明BP神经网络有很好的非线性映射能力和泛化能力，与传统的实验方法比较，优化复杂的电镀工艺参数更具有优越性。关键词：BP电镀Cu—w—Ni正交试验工艺中图分类号：TQ153文献标识码：A文章编

2、号：1002—6886(2014)03—0031—03OptimizationonelectrodepositingparametersofCu—W—Nialloycoatingswithback—propagationneuralnetworkHUANGBifang，FUWeisong，WANGLiAbstract：Back—propagationneuralnetwork(BP)isusedtooptimizeelectrodepositingparametersofCu—W—Nialloycoatingsinthispaper．PredicationresultinBPiss

3、imilartoorthogonaltestwiththesameparameters．Inotherwords，BPhasbetternonlinearmappingcapabilityandgeneralizationability，whichissuperiortooptimizeelectrodepositingtechnologyparameterscomparedtotraditionalexperimentalmethods．Keywords：back—propagationneuralnetwork；electrodeposition；Cu—W—Nialloycoa

4、tings；orthogonaltest；technologyparameters无银环保节能铜基电接触材料已成各国电接利用。本文利用BP神经网络的分析方法，对正交触领域研究的重点⋯。其中铜钨假合金是铜基电试验数据进行网络学习训练，来优化Cu—w—Ni接触材料研究I4的热点之一。Ni可以改善粉末电镀工艺。冶金Cu—W触头的致密性、强度、电蚀性能1正交实验工艺及其结果等-4]。电镀已成为电接触材料制备的有效方法之一。从热力学角度分析，在含cu¨、Ni¨、WO：一实验阳极材料为石墨，80mmx6Omm；阴极为水溶液中，电镀制备Cu—w—Ni铜基电接触材料纯铜片，20mm×20film。

5、化学试剂均为分析纯，选是可能的5J，但其电接触镀层的电镀工艺鲜见报用去离子水配制电解液。称取铜片施镀前后的重量道。差来测算镀层沉积率。镀液成分复杂、操作条件繁琐，与镀层沉积结先固定，钨酸钠：70g／L；酒石酸钾钠：10g／L；果之间存在非线性和隐含的关系，优化制备工艺pH=7；D=3A／dm；施镀温度T=60℃，施镀时间繁琐。正交试验可简化、优化实验工艺，但不能详t=2．5h，搅拌转速=600r／min，少量的表面活性尽分析各因素效应以及交互作用，也不能预测最剂。选取硫酸铜浓度、硫酸镍浓度、柠檬酸钠浓度参优水平组合后的结果。人工网络BP(Back数，以镀层沉积率为目标，作三因素三水

6、平正交试Propagation)具有广泛的适应能力、学习能力和映验，如表1所示。射能力，在多变量的电镀工艺系统卜中也被研究对实验指标的分析得出，工艺参数对沉积率的·3l-Al4nl造、=I；芋装夤l2Dj耳’第。3期z,htz．aagongytznuangbe~I较，优化复杂的电镀工艺参数更具有优越性。[2]x．L．Sbi，H．Yang，G．Q．Shao．Fab6cationandproper-tiesofW—Cualloyreinforcedbymulti——walledcarbon优化参数的cu—w—Ni镀层表面光滑，瘤状物nanotubes[J]．MaterialsScien

7、ceandEngineeringA，细小、均匀，无裂缝，质量好(图3)。2007，457(1—2)：18—23[3]X．H．Yang．P．XiaoS．H．Liang．AlloyingeffectofNiandCronthewettabilityofcopperonwsubstrate[J]．金属学报(英文版)，2008，21(5)：369—379[4]谢健全，谢治华，黄和平，等．cu—w一-Nj—c触头材料的研制[J]．中南工业大学学报，2003，34(1)：63—6