聚酰亚胺复合薄膜的制备及其性能研究.pdf

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1、第41卷第12期塑料工业2013年12月CHINAPLASTICSINDUSTRY高导电纳米银／聚酰亚胺复合薄膜的制备及其性能研究术常振军，陈师，白璐，郭树远，王宇，宋天佑(江苏科技大学材料科学与工程学院，江苏镇江210001)摘要：通过对聚酰亚胺(PI)薄膜进行碱溶液水解、离子交换和热处理制备出具有表面导电性的聚酰亚胺银复合薄膜，并研究了影响聚酰亚胺银复合薄膜导电性的因素。结果表明，一定的薄膜厚度、碱溶液处理时间、合适的固化时间和固化温度都有利于制备出高导电性的复合薄膜。该复合薄膜保持了聚酰亚胺薄膜的基本力学

2、性能，并且银原子与聚合物之间有良好的黏附性能。该制备方法简单，成本低，易于大规模生产。关键词：聚酰亚胺；纳米银；导电DOI：10．3969／j．issn．1005—5770．2013．12．030中图分类号：TQ323．7文献标识码：A文章编号：1005—5770(2013)12—0115—04PreparationandCharacterizationofHighConductiveSilver／PolyimideCompositeFilmsCHANGZhen。jun，CHENShi，BAILu，GUOShu

3、。yuan，WANGYu，SONGTianyou(CollegeofMaterialsScienceandEngineering，JiangsuUniversityofScienceandTechnology，Zhe~iang210001，China)Abstract：Surfaceconductivesilveredpolyimidefilmswerepreparedbyalkalinehydrolysis，ionexchangeandthermalcuring．Theinfluencingfactorson

4、theconductivityofsilveredpolyimidefilmswerestudied．Theresultsrevealeddependingonthethicknessoffilms，alkalinehydrolysistimeandthermalcuringtime，thesilveredPIfilmscanbefabricatedwithhighsurfaceconductivity．ThesilveredPIfilmspossessedtheessentialmechanicalprope

5、rtiesandoutstandingsilverpolyimideadhesion．Themethodwassimplewithlowcost，andeasytorealizethemassproduction．Keywords：Polyimide；Nanosilver；ElectricConductivity聚酰亚胺(PI)作为一种优异的高性能工程塑基二苯醚(ODA)：纯度>99％；N，N一二甲基乙料，具有耐高温、耐腐蚀、优良的介电性能和力学性酰胺(DMAc)：纯度>98％；氢氧化钾(KOH)：纯能，已经广

6、泛应用于航空航天、微电子、液晶显示、度>98％；上述试剂生产厂家均为国药集团化学试剂纳米技术、气体分离膜、激光以及复合材料等领有限公司；硝酸银(AgNO)：上海试剂一厂。域¨。然而，作为电子电力工业中的导电带、航1．2仪器及设备空航天领域中的电磁屏蔽性能差外罩、化工和军工用数显恒温水浴锅：W2—100，上海申生；真空烘的防静电服、防尘服等，单一的聚酰亚胺薄膜不易抗箱：DZF-6020，上海一恒；恒温鼓风干燥箱：DHG静电、防辐射和电磁屏蔽等缺点，不能满足实际应9247A，上海精宏；扫描电镜(SEM)：JSM-6

7、408，用I4J。本文中，采用碱性水解、离子交换和热处日本电子公司；X射线衍射仪(XRD)：XRD6000，理过程对聚酰亚胺薄膜进行改性，制备高导电性能的日本岛津公司；四探针测试仪：KDY_4，广州市昆德聚酰亚胺银(API)复合薄膜，对其结构、导电性科技有限公司；万能拉力机：CMT4304，美特斯工业能及影响因素进行了研究。系统(中国)有限公司。1实验部分1．3试样制备1．1实验原料在水浴锅中加入一定量的冰和水制成冰水浴，将均苯四甲酸二酐(PMDA)：纯度>98％；二氨单体PMDA和ODA(物质的量比为1．02

8、／1)加入三％国家自然科学基金青年基金(51203068)，江苏科技大学博士启动基金(35061103)，江苏科技大学本科创新计划(2013)作者简介：常振军，讲师，主要从事功能化聚酰亚胺纤维及薄膜研究。zjchang2008@gmail．com第41卷第12期常振军，等：高导电纳米银／聚酰亚胺复合薄膜的制备及其性能研究薄，只有很少的Ag参与离子交换，超过测试电阻温度达到270cI=及