乳酸乙酯在光刻胶中.doc

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1、乳酸乙酯在光刻胶中的应用资料一、什么是光刻胶光刻胶又称光致抗蚀剂，由感光树脂、增感剂和溶剂三种主要成分组成的对光敏感的混合液体。感光树脂经光照后，在曝光区能很快地发生光固化反应，使得这种材料的物理性能，特别是溶解性、亲合性等发生明显变化。经适当的溶剂处理，溶去可溶性部分，得到所需图像。光刻胶广泛用于印刷电路和集成电路的制造以及印刷制版等过程。光刻胶的技术复杂，品种较多。根据其化学反应机理和显影原理，可分负性胶和正性胶两类。光照后形成不可溶物质的是负性胶；反之，对某些溶剂是不可溶的，经光照后变成可溶物质的即为正性胶。基

2、于感光树脂的化学结构，光刻胶可以分为三种类型。①光聚合型，采用烯类单体，在光作用下生成自由基，自由基再进一步引发单体聚合，最后生成聚合物，具有形成正像的特点。②光分解型，采用含有叠氮醌类化合物的材料，经光照后,会发生光分解反应,由油溶性变为水溶性，可以制成正性胶。③光交联型，采用聚乙烯醇月桂酸酯等作为光敏材料,在光的作用下,其分子中的双键被打开，并使链与链之间发生交联，形成一种不溶性的网状结构，而起到抗蚀作用，这是一种典型的负性光刻胶。二、光刻胶的主要技术参数 a、分辨率（resolution）。区别硅片表面相邻图形

3、特征的能力。一般用关键尺寸（CD，CriticalDimension）来衡量分辨率。形成的关键尺寸越小，光刻胶的分辨率越好。b、对比度（Contrast）。指光刻胶从曝光区到非曝光区过渡的陡度。对比度越好，形成图形的侧壁越陡峭，分辨率越好。c、敏感度（Sensitivity）。光刻胶上产生一个良好的图形所需一定波长光的最小能量值（或最小曝光量）。单位：毫焦/平方厘米或mJ/cm2。光刻胶的敏感性对于波长更短的深紫外光（DUV）、极深紫外光（EUV）等尤为重要。d、粘滞性/黏度（Viscosity）。衡量光刻胶流动特性

4、的参数。粘滞性随着光刻胶中的溶剂的减少而增加；高的粘滞性会产生厚的光刻胶；越小的粘滞性，就有越均匀的光刻胶厚度。光刻胶的比重（SG，SpecificGravity）是衡量光刻胶的密度的指标。它与光刻胶中的固体含量有关。较大的比重意味着光刻胶中含有更多的固体，粘滞性更高、流动性更差。粘度的单位：泊（poise），光刻胶一般用厘泊（cps，厘泊为1%泊）来度量。百分泊即厘泊为绝对粘滞率；运动粘滞率定义为：运动粘滞率=绝对粘滞率/比重。单位：百分斯托克斯（cs）＝cps/SG。e、粘附性（Adherence）。表征光刻胶粘

5、着于衬底的强度。光刻胶的粘附性不足会导致硅片表面的图形变形。光刻胶的粘附性必须经受住后续工艺（刻蚀、离子注入等）。f、抗蚀性（Anti-etching）。光刻胶必须保持它的粘附性，在后续的刻蚀工序中保护衬底表面。耐热稳定性、抗刻蚀能力和抗离子轰击能力。g、表面张力（SurfaceTension）。液体中将表面分子拉向液体主体内的分子间吸引力。光刻胶应该具有比较小的表面张力，使光刻胶具有良好的流动性和覆盖。h、存储和传送（StorageandTransmission）。能量（光和热）可以激活光刻胶。应该存储在密闭、低温

6、、不透光的盒中。同时必须规定光刻胶的闲置期限和存贮温度环境。一旦超过存储时间或较高的温度范围，负胶会发生交联，正胶会发生感光延迟。三、光刻胶的应用模拟半导体（AnalogSemiconductors）发光二极管（Light-EmittingDiodesLEDs）微机电系统（MicroelectromechanicalSystemsMEMS）太阳能光伏（SolarPhotovoltaicsPV）微流道和生物芯片（Microfluidics&Biochips）光电子器件/光子器件（Optoelectronics/Phot

7、onics）封装（Packaging）三、乳酸乙酯在光刻胶中的应用1、做光刻胶的溶剂，主要是代替PMA、PM.PMA介绍PM介绍2、做光刻胶的清洗液，代替NMP.光刻胶在IC行业的应用，只要是有集成电路，它就会有光刻胶。另外，使用光刻胶的过程中，它有个清洗多余光刻胶的过程，这个清洗的过程，是用光刻胶蚀刻以后，用水和碱溶液清洗，但是在水和碱溶液清洗之前，有个中间的过渡过程，以前是用NMP来清洗，但是由于NMP有毒性，最近换成乳酸酯来清洗。这是在集成电路中的应用。所以一般提供光刻胶，也会提供清洗液。所以做光刻胶和做光刻胶

8、的清洗液用乳酸酯来替代是一个产品的组合。除集成电路以外，还有一个显示器行业，LCD行业，主要是往两块玻璃板中间灌液晶，然后使用封装胶封装。封装过后需要切边，清洗，它也需要用乳酸酯来清洗，以前用NMP，现在用乳酸酯替代。它的的主要好处同样是NMP有毒，对环境有污染。乳酸酯是对人体无毒的，对环境无害的。虽然乳酸酯的成本可能会高点，但是乳酸酯加上清洗