汽车电工电子技术 教学课件 ppt 作者 第2版 刘皓宇电子课件 汽车电工电子技术5.3.ppt

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1、第三节晶体管管一基本结构NNP基极发射极集电极NPN型BECBECPNP型PPN基极发射极集电极符号：BECIBIEICBECIBIEICNPN型三极管PNP型三极管基区：最薄，掺杂浓度最低发射区：掺杂浓度最高发射结集电结BECNNP基极发射极集电极结构特点：集电区：面积最大ecb符号三极管放大内部结构要求：1.发射区高掺杂。2.基区做得很薄。通常只有几微米到几十微米，而且掺杂较少。三极管放大的外部条件：外加电源的极性应使发射结处于正向偏置状态，而集电结处于反向偏置状态。3.集电结面积大。二电流分配和放大原理BECNNPEBRBECR

2、C1.三极管放大的外部条件BECNNPEBRBECRC发射结正偏、集电结反偏PNP发射结正偏VBVE集电结反偏VC>VB二电流分配和放大原理2.各电极电流关系及电流放大作用IB(mA)IC(mA)IE(mA)00.020.040.060.080.10<0.0010.701.502.303.103.95<0.0010.721.542.363.184.05结论:1）三电极电流关系IE=IB+IC2）ICIB，ICIE3）ICIB交流放大系数直流放大系数三极管的电

3、流分配关系把基极电流的微小变化能够引起集电极电流较大变化的特性称为晶体管的电流放大作用。实质:用一个微小电流的变化去控制一个较大电流的变化，是CCCS器件。三特性曲线为什么要研究特性曲线：1）直观地分析管子的工作状态2）合理地选择偏置电路的参数，设计性能良好的电路重点讨论应用最广泛的共发射极接法的特性曲线发射极是输入回路、输出回路的公共端共发射极电路输入回路输出回路测量晶体管特性的实验线路ICEBmAAVUCEUBERBIBECV++––––++1.输入特性特点:非线性死区电压：硅管0.5V，锗管0.1V。正常工作时发射结电压：NP

4、N型硅管UBE0.6－0.7VIB(A)UBE(V)204060800.40.8UCE1VORbVBBcebIB+UBE_VBBIB+UBE_bceNPN三极管的输出特性曲线IC/mAUCE/V100µA80µA60µA40µA20µAIB=0O510154321划分三个区：截止区、放大区和饱和区。截止区放大区饱和区放大区1.截止区IB=0的区域。两个结都处于反向偏置。IB=0时，IC=ICEO。此区域中:IB=0,IC=ICEO,UBE<死区电压，称为截止区。2.输出特性NPN管UBE＜0，UBC<02.放大区：条件：发射结正

5、偏集电结反偏特点：水平、等间隔IC/mAUCE/V100µA80µA60µA40µA20µAIB=0O510154321放大区集电极电流和基极电流体现放大作用，即放大区放大区NPN管UBE>0，UBC<0图1.3.9NPN三极管的输出特性曲线2.输出特性3.饱和区：条件：两个结均正偏IC/mAUCE/V100µA80µA60µA40µA20µAIB=0O510154321NPN型管UBE>0UBC>0。特点：ICIB。当UCE=UBE，即UCB=0时，称临界饱和，UCE

6、CES<0.2V(锗管)饱和区饱和区饱和区2.输出特性输出特性三个区域的特点:放大区：发射结正偏，集电结反偏。即：IC=IB,且IC=IB(2)饱和区：发射结正偏，集电结正偏。即：UCEUBE，IB>IC，UCE0.3V(3)截止区：UBE<死区电压，IB=0，IC=ICEO02.输出特性四主要参数1.电流放大系数，直流电流放大系数交流电流放大系数当晶体管接成发射极电路时，常用晶体管的值在20~200之间。例：在UCE=6V时，在Q1点IB=40A,IC=1.5mA；在Q2点IB=60A,IC=2.3mA。在

7、以后的计算中，一般作近似处理：=。IB=020A40A60A80A100A36IC(mA)1234UCE(V)9120Q1Q2在Q1点，有由Q1和Q2点，得2.集-基极反向截止电流ICBOICBO是由少数载流子的漂移运动所形成的电流，受温度的影响大。温度ICBOICBOA+–EC3.集-射极反向截止电流(穿透电流)ICEOAICEOIB=0+–ICEO受温度的影响大。温度ICEO，所以IC也相应增加。三极管的温度特性较差。4.集电极最大允许电流ICM5.集-射极反向击穿电压U(BR)CEO集电极电流IC上升

8、会导致三极管的值的下降，当值下降到正常值的三分之二时的集电极电流即为ICM。当集—射极之间的电压UCE超过一定的数值时，三极管就会被击穿。手册上给出的数值是25C、基极开路时的击穿电压U(BR)CEO。6.集电极最