1.一个p+-n-p晶体管,其发射区、基区、集电区的杂质浓度分

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1、1.一个p+-n-p晶体管，其发射区、基区、集电区的杂质浓度分别是5×1018，1016，1015cm－3，基区宽度WB为1.0μm，器件截面积为3mm2。当发射区－基区结上的正向偏压为0.5V，集电区－基区结上反向偏压为5V时，计算(a)中性基区宽度，(b)发射区－基区结的少数载流子浓度，(c)基区内的少数载流子电荷。2.推导基区杂质浓度为高斯分布时基区内建电场及基区少子浓度分布的表达式。3.一个硅n+-p-n晶体管的发射区和集电区两侧的掺杂是突变的。其发射区、基区、集电区的杂质浓度分别为1019，3×1

2、016，5×1015cm－3，(a)求集电区－基区电压的上限，在该电压下，发射结偏置电压已不再能控制集电极电流，设基区宽度为0.5μm。(b)若截止频率主要受少子穿过基区的渡越时间限制，求在零偏压下共基极和共发射级的电流截止频率（晶体管的发射效率为0.999，基区传输因子为0.99）。4.一个开关晶体管，基区宽度为0.5μm，扩散系数为10cm2/s，基区内的少数载流子寿命为10－7s，晶体管加偏压Vcc＝5V，负载电阻为10KΩ，若在基极上加2μA的脉冲电流，持续时间为1μs，求基区的存贮电荷和存贮延迟时

3、间。5.理想的PNP晶体管，其发射区、基区、集电区的杂质浓度分别为1019、1017、5×1015cm-3，而少数载流子的寿命分别为10-8、10-7和10-6s，假设器件有效横截面积A为0.05mm2，且射基结上正向偏压为0.6V，请求出晶体管的共基极电流增益。晶体管的其他参数为：DE=1cm2/s，Dp=10cm2/s，DC=2cm2/s，W＝0.5μm。6.欲设计一双极型硅晶体管，其截止频率fT为5GHz，请问中性基区宽度W需为多少？假设Dp为10cm2/s，并可忽略发射极和集电极延迟。习题Ⅲ