低压大电流高频整流电路.doc

低压大电流高频整流电路.doc

ID:51770533

大小:119.45 KB

页数:11页

时间:2020-03-15

低压大电流高频整流电路.doc_第1页
低压大电流高频整流电路.doc_第2页
低压大电流高频整流电路.doc_第3页
低压大电流高频整流电路.doc_第4页
低压大电流高频整流电路.doc_第5页
资源描述:

《低压大电流高频整流电路.doc》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在行业资料-天天文库

1、低压大电流高频整流电路摘要:随着信息技术的迅速发展,中小功率变换器在计算机、通信和其它工业领域中得到了广泛的应用.为满足应用场合对数据处理更快速、更有效的要求,对变换器的要求也不断提高,使得变换器向着更低的输出电压、更高的输出电流、更高的效率,更快的动态响应以及更高的可靠性等方向发展。本文首先介绍了一些器件,然后分析倍流整流电路的工作原理。分析结果表明,由于倍流整流结构的整流管损耗小、动态响应快以及输出电流的纹波小等优点,使其成为低压大电流的常见的整流结构。采用Matlab软件对同步整流电路进行了仿真实

2、验,并对仿真结果进行了分析。关键词:倍流整流;MatlabAbstract:withtherapiddevelopmentofinformationtechnology,smallandmedium-sizedpowerconverterinthefieldofcomputer,communicationsandotherindustrieshasbeenwidelyused.Tomeetapplicationrequirementsfordataprocessingfasterandmoreeffic

3、iently,andalsototherequirementofconverterenhancesunceasingly,makestheconvertertoloweroutputvoltage,higheroutputcurrent,higherefficiency,fasterdynamicresponseandhigherreliability.Thisarticlefirstintroducessomedevice,andthenintroducestheworkingprincipleofT

4、heTimesthecurrentrectifiercircuit.Analysisresultsshowthatastherectifierlossestimesflowrectifyingstructureissmall,fastdynamicresponse,andtheadvantagesofsmalloutputcurrentripple,makeitbecomesacommonlow-voltagehigh-currentrectifierstructure.Usingmatlabsoftw

5、aretosynchronousrectifiercircuit,thesimulationexperimentandthesimulationresultsareanalyzed.Keywords:timesflowrectifying;Thematlab引言电力电子技术是一门涉及电机控制、电力半导体器件、功率交换、模拟和数字电路、控制理论、计算机应用、数字仿真的新兴交叉边沿学科。电力电子技术主要研究电能变换、处理、传递,研究采用功率半导体器件完成运动控制和功率变换提供各种交频器和功率控制电源。与全波

6、整流相比,倍流整流器的高频变压器的副边绕组仅需一个单一绕组,不用中心抽头。与桥式整流相比,倍流整流器使用的二极管数量少一半。所以说,倍流整流器是结合全波整流和桥式整流两者优点的新型整流器。当然,倍流整流器要多使用一个输出小滤波电感。但此电感的工作频率及输送电流均比全波整流器的要小一半,因此可做得较小,另外双电感也更适合分布式功率耗散的要求.倍流整流电路更适用于低压大电流的副边整流。同步整流技术就是实现同步整流管的栅源极之间的驱动信号与同步整流管的漏源极之间开关同步的手段或者方法。理想的同步整流技术是使得

7、同步整流管起到和整流二极管同样的作用,即正向导通,反向截止.低电压大电流输出时,整流二极管的使用会引起很大的能量损耗,大大降低电源效率。而用于同步整流的低电压功率MOSFET,由于其导通电阻非常小,即使输出电流很大,同步整流管上的正向导通压降很低,因此用低电压功率MOSFET代替整流二极管势在必行。可以说,低电压大电流输出时,同步整流技术是提高变换器效率的一种有效的手段。电力器件简介同步整流MOSFET管简介:MOSFET是利用一种极性载流子(多数载流子)参与导电的电力场控效应管,是单极型晶体管。MOS

8、FET通过改变栅极电压大小来控制内部导电沟道的厚度,从而实现控制漏极电流Id,当电压V。小于开启电压V。,无论Vds的极性如何,Id几乎为零。为了减少MOSFET器件的通态电阻,在保证耐压的情况下,应尽量增加导电沟道的厚度,即适当降低vgs以降低驱动损耗和导通损耗。由于栅极电压V。的作用仅仅是形成漏极和源极之间的N型导电沟道,而N型导电沟道又相当于一个无极性的等效电阻,所以MOSFET具有双向导电的特性,满足了同步整流电路对整流器特性的要求

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文

此文档下载收益归作者所有

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文
温馨提示:
1. 部分包含数学公式或PPT动画的文件,查看预览时可能会显示错乱或异常,文件下载后无此问题,请放心下载。
2. 本文档由用户上传,版权归属用户,天天文库负责整理代发布。如果您对本文档版权有争议请及时联系客服。
3. 下载前请仔细阅读文档内容,确认文档内容符合您的需求后进行下载,若出现内容与标题不符可向本站投诉处理。
4. 下载文档时可能由于网络波动等原因无法下载或下载错误,付费完成后未能成功下载的用户请联系客服处理。