NiSiGe金属源漏组分对肖特基势垒Ge MOSFET电学性能的影响.pdf

《NiSiGe金属源漏组分对肖特基势垒Ge MOSFET电学性能的影响.pdf》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在学术论文-天天文库。

1、？．、「、＇：＇：秦乃＾令：■＂＇＇＂＇－？■？－－？＾－－；；／：４？．．．．一Ｗ？？？．？？？？？？？一－一？？、？二＾Ｖ？．☆乂＇．分单＿ｆ、，％赞卜妒５＞：：密级：无学号２１６３１１３４：＇＇：？－．／＼ｈｘｊｉｒｖｖ：嘴知’．、．碰士此文３：＾．舍＾；：，Ｈ（ｗｎ＇＇＇＇，＇－＇？－ｒ＜＊－？－＇Ｔ－－ｖ／—：；．？＾；Ｖ：－．＾ＴＪ？：ｉ＼：；ｖ．ｊｙ＾＼＾＾ｒ＾＾．＾４＾、／

2、＇中文论文题目：ＮｉＳｉＧｅ金属源漏组分对肖特基势垒Ｇｅ，，；＾＞；’＇．？（＇々，．＂■－＾＜入／？：；＾％＿＇、：＇、二．ＭＯＳＦＥＴ：：电学性能的影响：戚；彳：ＩｍｐａｃｔｏｆｔｈｅＮ－ＧｅｘＣｏｍｐｏｓｉｔｉｏｎ英文论文题目：ｉＳｉｉｘ￣．－ｖ．．．：二：５．，＇“／：：＼＼ｏｎｔｈｅＥｌｅｃｔｒｉｃａｌＰｒｏｐｅｒｔｉｅｓｏｆＧｅ—ｅ－ＭＯＳＦＥＴｓＣｈａｎｎｌＳｃｈｏｔｔｋｙＢａｒｒｉｅｒｄ．．‘－？＇：二．：．交令

3、申请綱？，田兩ｎ’ｙ？１．：．３，、廉技；＾．：：／ｄ／指导教？合作导师：赵毅？：．．．．，．：？．齡１，二匕」由子与織工二＾／．？？：所在学院：信息与电子工程学院论文提交日期２０丨１９年月１６日．＊＇＇＇，？ｙ？＊１：、－‘－／．＞：、，ｐ；．／禪又．＾＾＇ｅ＇ｘ－－：－－／ｖｔ－Ｔ，？＾．广，．＾＾＇＾：；＾ｒ？－：：＾－－：Ｖｖ－－Ｖ－ＮｉＳｉＧｅ金属源漏组分对肖特基势垄ＧｅＭＯＳＦＥＴ电学性能的

4、影响⑩论文作者签名：指导教师签名：论文评阅人１：谢丹副教授清华大学微电子所评阅人２：评阅人３‘：答辩委员会主席：皮孝东教授浙江大学材料科学与工程学院委员１：徐杨教授浙江大学信息与电子工程学院委员２：赵毅教授浙江大学信息与电子工程学院委员３：丁扣宝副教授浙江大学信息与电子工程学院委员４李春光教授浙江大学信息与电子工程学院：委员５：〇ｔ■答辩日期：＾ｌｉ｜浙江大学研究生学位论文独创性声明本人声明所呈交的学位论文是本人在导师

5、指导下进行的研究工作及取得的研究成果。除了文中特别加以标注和致谢的地方外，论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果，也不包含为获得浙江大学或其他教育机构的学位或证书而使用过的材料一。与我同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中作了明确的说明并表示谢意。－从丨：日学位论文作者签名：签字日期年〈月Ｓ｜学位论文版权使用授权书本学位论文作者完全了解浙江大学有权保留并向国家有关部门或机构送交本论文的复印件和磁盘，允许论文被查阅和借阅。本人授权浙江大学可以将学位论文的全部或

6、部分内容编入有关数据库进行检索和传播，可以采用影印、缩印或扫描等复制手段保存、汇编学位论文。（保密的学位论文在解密后适用本授权书）学位论文作者签名：：私矣７导师签名．日５月义日签字日期：叫年，月次签字日期：年浙江大学硕士学位论文摘要摘要随着ＣＭＯ一些物理现象开始在ＭＯＳ器件中Ｓ集成电路技术进入纳米时代，出现道效应，速度饱和效应等，这使得传统的器件小型化（ｓｃａｌｉｎ）已，如短沟ｇ一技术上的瓶颈不能再有效地提高器件以及电路的整体性能。为了去克服这，高迁移率的半导体

7、材料如ＳｉＧｅ、Ｇｅ、ｍ／Ｖ族材料等被考虑引入到新的器件结构中，通过提高沟道载流子的迁移率、减小沟道电阻，从而提高器件的性能和速度。其中，Ｇｅ由于它的高空穴迁移率，成为ｐＭＯＳＦＥＴ器件最有希望的沟道替代材料。然而，日益减小的器件尺寸也使ＭＯＳＦＥＴ器件源漏区的串联寄生电阻Ｒｓｄ对驱动电流的克制作用愈加严重。其中，源漏接触电阻ＲＣＳｄ在源漏串联寄生电阻中占Ｒ一据越来越大的比重。因此，减小ｃｓｄ是小尺寸器件发展中个亟待解决的重要问题。而目前，Ｓｉ＾Ｇｅｘ作为主流的源漏材料，它的硅锗

8、化物的电学特性还未得到系统的研究。其中，Ｎｉ依旧是现在最热门的源漏金属的材料。ｅ－ｅ本文针对如今主流的Ｎｉ的桂锗化技术，制备出了不同Ｇ含量的ＮｉＳｉｉｘＧｘ、比合金的样品，对其电学特性进行了研究与优化，例如薄层电阻率接触电阻率和功函数，同时模拟其对短沟道器件的性能的影响。关鍵字：ＮｉＳｈ－ｘＧｅｘ、欧姆接触、比接触电阻率、功函数、ｐＭＯＳＦＥＴＩ浙江大学硕士学位论文Ａｂｓｔｒａｃｔ