半导体工艺基础(清洗).ppt

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1、集成电路及微机械加工技术-----半导体集成电路工艺基础（清洗）张正元提纲一、沾污类型二、解决方法三、清洗设备沾污类型沾污经常会造成电路失效，沾污类型主要包括如下：颗粒金属有机物自然氧化层静电释放（ESD）颗粒沾污颗粒沾污颗粒沾污最小颗粒0.1微米金属沾污来源：离子注入、各种器皿、管道、化学试剂金属沾污途径：通过金属离子与硅片表面的氢离子交换而被束缚在硅片表面；被淀积到硅片表面。一粒食盐----足以在5000片硅片上淀积每平方厘米1012个钠离子。金属沾污有机沾污自然氧化层沾污ESD沾污解决方法解决方法厂房：净化

2、间布局气流原理空气过滤温度和湿度静电释放*从未受颗粒沾污的净化间着手开始建；尽可能减少通过设备、器具、人员和净化间供给引入的颗粒；持续监控净化间的颗粒，定期反馈信息和维护清洁解决方法解决方法解决方法解决方法*大于16MΩ.cm解决方法解决方法解决方法解决方法解决方法解决方法清洗设备清洗设备清洗设备清洗设备作业1、什么是半导体集成电路的沾污？有那几类？2、什么是SC-1、SC-2？3、SC-1清洗的机理是什么？4、净化间净化等级是按级别来分的，100级净化是只什么？5、某一NPN晶体管的发射极电流为8.6mA。如果

3、0.9%的少量电子进入基区与空穴复合，泄漏电流为0.1μA，计算（1）基极电流；（2）集电极电流；（3）α的精确值；（4）忽略ICBO，α的大约值。作业6、试在特性曲线上指出三极管的三个工作区：放大区、截止区、饱和区。7、为什么说三极管放大作用的本质是电流控制作用？如何用三极管的电流分配关系来说明它的控制作用？8、三极管发射极与集电极对调使用时，放大作用将如何？9、晶体管在ICBO=48nA和α=0.992时，（1）计算β和ICEO。（2）当IB=30μA时，精确计算的集电极电流IC。（3）计算集电极电流IC的近

4、似值。作业10、一个共发射极偏置电路，其结构如左图所示，晶体管的输出特性曲线如右图所示。（1）求出偏置点；（2）最大输出幅度是多少？（3）如果电阻采用方块电阻为500Ω/΢，RB和RC在设计上最小宽度分别是多少？（4）晶体管在设计中要考虑那些效应？（5）晶体管结构采用那些结构？（6）如果采用梳状结构，晶体管的发射区最小宽度是多少？发射区周长是多少？