半导体工艺-晶圆清洗

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1、晶圆清洗摘要:介绍了半导体IC制程中存在的各种污染物类型及其对IC制程的影响和各种污染物的去除方法,并对湿法和干法清洗的特点及去除效果进行了分析比较。;c1{2u5g)G  x/f)`9d关键词:湿法清洗;RCA清洗;稀释化学法;IMEC清洗法;单晶片清洗;干法清洗.Q#t,~6g6f&j8P/?中图分类号:TN305.97文献标识码:B文章编号:1003-353X(2003)09-0044-0481前言半导体IC制程主要以20世纪50年代以后发明的四项基础工艺(离子注入、扩散、外延生长及光刻)为基础逐渐发展起来,由于集

2、成电路内各元件及连线相当微细,因此制造过程中,如果遭到尘粒、金属的污染,很容易造成晶片内电路功能的损坏,形成短路或断路等,导致集成电路的失效以及影响几何特征的形成。因此在制作过程中除了要排除外界的污染源外,集成电路制造步骤如高温扩散、离子植入前等均需要进行湿法清洗或干法清洗工作。干、湿法清洗工作是在不破坏晶圆表面特性及电特性的前提下,有效地使用化学溶液或气体清除残留在晶圆上之微尘、金属离子及有机物之杂质。 'O(O&o6r7[$o6S3R!X2污染物杂质的分类8?.X8k$Y1y+['F5^)%f"dIC制程中需要一些

3、有机物和无机物参与完成,另外,制作过程总是在人的参与下在净化室中进行,这样就不可避免的产生各种环境对硅片污染的情况发生。根据污染物发生的情况,大致可将污染物分为颗粒、有机物、金属污染物及氧化物。  C$a:E&t5[6B3v-~2.1颗粒,@/e&~,I/

4、#C$R&@#R'H+X8n&l6U4D&@颗粒主要是一些聚合物、光致抗蚀剂和蚀刻杂质等。通常颗粒粘附在硅表面,影响下一工序几何特征的形成及电特性。根据颗粒与表面的粘附情况分析,其粘附力虽然表现出多样化,但主要是范德瓦尔斯吸引力,所以对颗粒的去除方法主要以物理或化学的

5、方法对颗粒进行底切,逐渐减小颗粒与硅表面的接触面积,最终将其去除。#V-I!`1D8l(U2@/j.V8U2.2有机物0~&@6d)p"]-B-R4

6、.T!W+h-W!T+w#f%L有机物杂质在IC制程中以多种形式存在,如人的皮肤油脂、净化室空气、机械油、硅树脂真空脂、光致抗蚀剂、清洗溶剂等。每种污染物对IC制程都有不同程度的影响,通常在晶片表面形成有机物薄膜阻止清洗液到达晶片表面。因此有机物的去除常常在清洗工序的第一步进行。;x0?+F:t-K'?2.3金属污染物  `*z:C3S"}5^6[.b0yIC电路制造过程中

7、采用金属互连材料将各个独立的器件连接起来,首先采用光刻、蚀刻的方法在绝缘层上制作接触窗口,再利用蒸发、溅射或化学汽相沉积(CVD)形成金属互连膜,如Al-Si,Cu等,通过蚀刻产生互连线,然后对沉积介质层进行化学机械抛光(CMP)。这个过程对IC制程也是一个潜在的污染过程,在形成金属互连的同时,也产生各种金属污染。必须采取相应的措施去除金属污染物。1b%J8s2G7f2.4原生氧化物及化学氧化物*r5y!G&b']0d7~硅原子非常容易在含氧气及水的环境下氧化形成氧化层,称为原生氧化层。硅晶圆经过SC-1和SC-2溶液清

8、洗后,由于双氧水的强氧化力,在晶圆表面上会生成一层化学氧化层。为了确保闸极氧化层的品质,此表面氧化层必须在晶圆清洗过后加以去除。另外,在IC制程中采用化学汽相沉积法(CVD)沉积的氮化硅、二氧化硅等氧化物也要在相应的清洗过程中有选择的去除。*]5`.J&`6A%}1T7N3清洗方法分类I;Q*L4c${%u,J$h&N"P4{$@+V3.1湿法清洗%U*W;X*Y*X0o1Y&n+f3E湿法清洗采用液体化学溶剂和DI水氧化、蚀刻和溶解晶片表面污染物、有机物及金属离子污染。通常采用的湿法清洗有RCA清洗法、稀释化学法、IM

9、EC清洗法、单晶片清洗等.3.1.1RCA清洗法  p(m&k({7T;A)Y最初,人们使用的清洗方法没有可依据的标准和系统化。1965年,RCA(美国无线电公司)研发了用于硅晶圆清洗的RCA清洗法,并将其应用于RCA元件制作上。该清洗法成为以后多种前后道清洗工艺流程的基础,以后大多数工厂中使用的清洗工艺基本是基于最初的RCA清洗法。3k8E+{#E#y2E5g&k&典型的RCA清洗见表1。RCA清洗法依靠溶剂、酸、表面活性剂和水,在不破坏晶圆表面特征的情况下通过喷射、净化、氧化、蚀刻和溶解晶片表面污染物、有机物及金属

10、离子污染。在每次使用化学品后都要在超纯水(UPW)中彻底清洗。以下是常用清洗液及作用。8T(S+O+S9M2D/a(1)Ammoniumhydroxide/hydrogenperoxide/DIwatermixture(APM;NH4OH/H2O2/H2Oat65~80℃).APM通常称为SC1清洗液,其配方为:NH

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