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时间:2020-03-22
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1、GulfSemiconductorLtd.1序论二极管特性曲线二极管在常用电源电路中Vd/Id计算正向特性反向特性动态特性顺向恢复电压与时间反向恢复特性正向浪涌反向浪涌热阻静电冲击目录GulfSemiconductorLtd.2对二极管应用特性的要求较高的耐压能力较大的电流承载能力较高的di/dt承受能力较高的dv/dt承受能力较快的截止时间较高之工作频率较低之电容性较小的包装及较高的散热能力GulfSemiconductorLtd.3二极管基本特性曲线GulfSemiconductorLtd.4产品的实际应用均为动态,在不同的环境条件下使用。曲线图中标注
2、的温度:200℃,100℃,25℃,-75℃二极管在不同温度环境下的变化GulfSemiconductorLtd.5二极管在常用电源电路中Vd/Id计算GulfSemiconductorLtd.6二极管在常用电源电路中Vd/Id计算GulfSemiconductorLtd.7二极管在常用电源电路中Vd/Id计算GulfSemiconductorLtd.8二极管在常用电源电路中Vd/Id计算GulfSemiconductorLtd.9二极管在常用电源电路中Vd/Id计算GulfSemiconductorLtd.10VF波形比较正向特性-If/Vf/△VfGu
3、lfSemiconductorLtd.11正向特性-If/Vf/△Vf影响因素:晶粒面积大的,If大,Vf小电压高的材料,If小,Vf大Trr小的材料,Vf大器件内部不同的结构,△Vf值不一样器件内部焊接不良,△Vf大GulfSemiconductorLtd.12正向特性-If/Vf/△Vf应用:根据线路设计要求,选定If/Vf符合要求的产品特别注意实际应用环境,不同温度条件下If/Vf的变化的影响Vf与Frr是一对相互矛盾参数,要特别了解线路的注重点是Vf,还是Trr案例:GULFRGP10D使用在比亚迪汽车上,需要考虑在零下40度的工作环境下,电性能V
4、F的变化,调整线路的配置。GulfSemiconductorLtd.13反向特性-Ir/Vbr/DVr1/DVr2IRVBRDV1—SHARPNESS/ROUNDDV2—STABILITY(RIDE-IN,RIDEOUT)GulfSemiconductorLtd.14反向电压、电流标识解释反向特性-Ir/Vbr/DVr1/DVr2GulfSemiconductorLtd.15影响因素1,PN结内部某些晶格缺陷、杂质2,表面缺陷,表面沾污3,表面钝化保护不良4,Trr越小的产品,Ir越大反向特性-Ir/Vbr/DVr1/DVr2GulfSemiconduct
5、orLtd.16应用1,线路中产生过余的功耗,热量2,热量造成更多的不稳定,Ir上升器件本身失效,或线路工作不正常反向特性-Ir/Vbr/DVr1/DVr2GulfSemiconductorLtd.17动态特性Vfrm/tfr/Irm/Vrm/ts/tf/Trr/Qrr动态特性曲线GulfSemiconductorLtd.18附上图符号说明:动态特性Vfrm/tfr/Irm/Vrm/ts/tf/Trr/QrrGulfSemiconductorLtd.19顺向恢复电压与时间-Vfrm/TfrGulfSemiconductorLtd.20顺向恢复电压与时间-V
6、frm/Tfr影响因素:Vfrm(1)越高压的二极管的Vfrm越高(2)当温度越高时,其Vfrm越高(3)当电流密度增加时,其Vfrm也会增高Tfr:(1)当温度越高时,其Tfr也会增加,时间变慢(2)当电流密度增加时,其Tfr也会增高(3)当电流斜率增快时,其Tfr会减少GulfSemiconductorLtd.21顺向恢复电压与时间-Vfrm/Tfr1,高频开关电源开关整流中,影响功耗,产生热量;2,在电源输出整流中,影响输出功率;3,部分特殊应用要求Vfrm,Tfr值上升;4,替代SKY产品时Vfrm,Tfr下降案例1:ASTEC,Boostdiod
7、e应用波形实例计算。案例2:ASTEC,选用FR202替代SKY产品时,要求VFR特小。应用GulfSemiconductorLtd.22电压上升斜率-dv/dtDv/dt:电压上升斜率Dv/dt=0.632VD/t1oro.8VD/(t90-t10)GulfSemiconductorLtd.23电压上升斜率-dv/dt案例:二极管在测试、使用中,可能发生产品VR衰减,此项与产品的能力,DV/DT冲击速率有关。GulfSemiconductorLtd.24反向恢复时间-TrrGulfSemiconductorLtd.25反向恢复时间-Trr1,铂原子扩散浓
8、度,扩散时间,扩散深度2,晶粒面积大的,Trr较大3,晶粒表面(硼
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