发光二极管的特性测试ppt课件.ppt

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1、1.1.2发光二极管的特性测试看一看——实物展示白色贴片发光二极管看一看——实物展示－＋英文单词：light-emittingdiode看一看——发光二极管图形符号做一做项目1-1-4：发光二极管的特性测试任务要求：按测试程序要求完成测试内容，并撰写测试报告。测试设备：模拟电路综合测试台1台，0～30V直流稳压电源1台，数字万用表1块，mA表1只，A表1只。测试电路：如图所示，其中二极管为发光二极管，R为1k。做一做——发光二极管特性测试①直接用万用表测量发光二极管的正反向电阻值，并记录：R正=R反=。②按图接好电路，并串入电流表。③接入电源电压U，并使U由0V逐渐增大，直至

2、发光二极管开始发光，并记录此时发光二极管正向压降UVD和正向电流I：测试程序：UVD=；I=。④保持步骤③，继续增大U，观察发光二极管发光强度随U增大而变化的情况，并记录：。⑤将发光二极管反接，并观察此时的发光二极管有无发光，并记录。做一做——发光二极管特性测试测试程序：结论发光二极管正常工作时处于正偏状态并非所有二极管导通压降都是0.7V读一读——二极管的等效电路模型1．理想模型（a）（b）（a）U-I特性（b）等效电路I（mA）U（V）O+uD－iD2．恒压降模型（a）（b）（a）U-I特性（b）等效电路+uD－iDUDU（V）OI（mA）UD读一读——二极管的等效电路模型3

3、．折线模型（a）（b）（a）U-I特性（b）等效电路+uD－iDrDUon读一读——二极管的等效电路模型3．折线模型读一读——二极管的等效电路模型4．小信号模型（a）Q2αQ1Qα0.20.40.60.80102030UIU(V)I(mA)（c）（a）U-I特性（b）低频等效电路（c）低频等效电路（b）读一读——二极管的等效电路模型5．指数模型读一读——二极管的等效电路模型当稳压二极管工作在反向击穿状态下,工作电流IZ在Izmax和Izmin之间变化时,其两端电压近似为常数稳定电压稳压二极管是应用在反向击穿区的特殊二极管正向同二极管反偏电压≥UZ反向击穿＋UZ－限流电阻稳压二

4、极管的主要参数(1)稳定电压UZ——(2)动态电阻rZ——在规定的稳压管反向工作电流IZ下，所对应的反向工作电压。rZ=U/IrZ愈小，反映稳压管的击穿特性愈陡。(3)最小稳定工作电流IZmin——保证稳压管击穿所对应的电流，若IZ＜IZmin则不能稳压。(4)最大稳定工作电流IZmax——超过Izmax稳压管会因功耗过大而烧坏。二极管按结构分三大类：(1)点接触型二极管PN结面积小，结电容小，用于检波和变频等高频电路。(3)平面型二极管用于集成电路制造工艺中。PN结面积可大可小，用于高频整流和开关电路中。(2)面接触型二极管PN结面积大，用于工频大电流整流电路。中国半导体二

5、极管型号命名方法2英文字母英文字母数字英文字母表示产品的规格、档次表示同一类型产品序号表示二极管的类别表示二极管材料、极性表示二极管读一读——二极管的命名规则半导体二极管的型号国家标准对半导体器件型号的命名举例如下：2AP9用数字代表同类器件的不同规格。代表器件的类型，P为普通管，Z为整流管，K为开关管。代表器件的材料，A为N型Ge，B为P型Ge，C为N型Si，D为P型Si。2代表二极管，3代表三极管。半导体二极管的型号国家标准对半导体器件型号的命名举例如下：2AP9用数字代表同类器件的不同规格。代表器件的类型，P为普通管，Z为整流管，K为开关管。代表器件的材料，A为N型Ge，B

6、为P型Ge，C为N型Si，D为P型Si。2代表二极管，3代表三极管。中国半导体二极管型号命名方法例如：读一读——二极管的命名规则美国半导体二极管型号命名方法字母数字英文字母数字英文字母表示器件分档美国电子工业协会登记顺序号美国电子工业协会注册标志表示二极管表示二极管用途的类型非军品此项没有标志读一读——二极管的命名规则美国半导体二极管型号命名方法例如：1N4148，其中1表示二极管，N表示美国电子工业协会（EIA）注册标志，4148表示EIA登记顺序号。读一读——二极管的命名规则普通二极管的单向导电性特殊二极管的基本特性常见仪器仪表的使用二极管的检测与判别读一读——知识小结普通二

7、极管的伏安特性1.试判断下图所示电路中二极管是否导通,并求A、O两端的电压，设二极管为理想二极管。uAO19KΩ1KΩ6VD+-AO（a）AO19KΩ6VD3V1KΩuAO+-（b）做一做——例题讲解2.试判断下图所示电路中二极管是否导通,并求A、O两端的电压，设二极管的正向压降为0V做一做——例题讲解3.试画出下图所示电路中输出电压波形，设二极管的正向压降为0.7V。RD1KΩ-5V+ui-+uo做一做——例题讲解解：UO1≈1.3V，UO2＝0，UO3≈－1.3V，4.判断图