LED芯片全制程图解_pdf.pdf

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1、LED製程簡介•上游磊晶(EPI)•中游晶粒(ChipProcess)•下游封裝(Package)-1-LED磊晶上游LED磊晶上游磊晶方式•液相磊晶(LPE)•有機金屬氣相磊晶(MOCVD)•分子束磊晶(MBE)MOCVD(MetalOrganicChemicalVaporDeposition)亦稱MOVPE,OMVPE,OMCVDMOCVD為LED業界主流機台；其優點為•磊晶速度快：4~5hr•量產能力佳：90片(紅),1~21片(藍)•應用領域廣：LED,LD,HBT設備：MOCVD攜帶氣體(CarrierGas)：H2MOCVD(Meta

2、lOrganicChemicalVaporDeposition)亦清管路或反應腔氣體(PurgeGas)：稱MOVPE,OMVPE,OMCVDN2-2-原料：•基板(Substrate)：GaAs,Sapphire,InP•有機金屬氣體(MO)如TMA,TMG,TMI•其它反應氣體：NH3•氫化物(Hydride)如PH3,AsH3•摻質如CP2Mg,DMZn,SiH4磊晶環境•高溫(750°C~1100°C)•低壓(10~100Torr)磊晶(Epitaxy)：於單晶基板上沿特定方向成長單晶晶体，並控制其厚度及摻質濃度。基板(Substrate

3、)：支撐成長之單晶薄膜，厚度約300~350m。摻質(Doping)：摻入P型(N型)材料改變磊晶層中主要導電載子電洞(電子)濃度。發光層(Activelayer)：發光區，電子與電洞結合。緩衝層(Bufferlayer)：緩衝磊晶層與基板間因晶格差異而造成缺陷。-3--4-LED晶粒制作•電極蒸鍍：減少電極(金屬)與磊晶片(半導體)間接觸電阻。•金屬墊片：導線連結。•電極pattern：金屬電極促使電流擴散，但僅能佔晶粒部份面積，以免擋住晶粒正面投射光。•切粒：2”磊晶片約切割成20,000個Chip-5--6-封裝目的•易搬運、持取使用•環境

4、抵抗：溫度、•濕度及震動•電性連結•光學結合：發光角度•熱傳導封裝製程•上銀膠→置晶粒→打線→灌樹脂→硬烤成型整理﹕晶片中心2003.9.9-7-