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时间:2020-03-25
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1、第52卷第17期机械工程学报Vol.52No.172016年9月JOURNALOFMECHANICALENGINEERINGSep.2016DOI:10.3901/JME.2016.17.086*工件旋转法磨削硅片的磨粒切削深度模型高尚王紫光康仁科董志刚张璧(大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室大连116024)摘要:半导体器件制造中,工件旋转法磨削是大尺寸硅片正面平坦化加工和背面薄化加工最广泛应用的加工方法。磨粒切削深度是反映磨削条件综合作用的磨削参量,其大小直接影响磨削工件的表面/亚表面质量,研究工件旋转法磨削的磨粒切削深度模型对于实
2、现硅片高效率高质量磨削加工具有重要的指导意义。通过分析工件旋转法磨削过程中砂轮、磨粒和硅片之间的相对运动,建立磨粒切削深度模型,得到磨粒切削深度与砂轮直径和齿宽、加工参数以及工件表面作用位置间的数学关系。根据推导的磨粒切削深度公式,进一步研究工件旋转法磨削硅片时产生的亚表面损伤沿工件半径方向的变化趋势以及加工条件对磨削硅片亚表面损伤的影响规律,并进行试验验证。结果表明,工件旋转法磨削硅片的亚表面损伤深度沿硅片半径方向从边缘到中心逐渐减小,随着砂轮磨粒粒径、砂轮进给速度、工件转速的增大和砂轮转速的减小,加工硅片的亚表面损伤也随之变大,试验结果与模
3、型分析结果一致。关键词:硅片;磨削;磨粒切削深度;亚表面损伤中图分类号:TN305;O786ModelofGrainDepthofCutinWaferRotationGrindingMethodforSiliconWafersGAOShangWANGZiguangKANGRenkeDONGZhigangZHANGBi(KeyLaboratoryforPrecisionandNon-traditionalMachiningTechnologyofMinistryofEducation,DalianUniversityofTechnology,Da
4、lian116024)Abstract:Duringtheintegratedcircuitmanufacturingprocess,ultra-precisiongrindingbasedontheprincipleofwaferrotationgrindingiscurrentlyutilizedasamajormethodinflatteningandback-thinningoflarge-sizesiliconwafers.Graindepthofcutisafunctiontocharacterizetheoverallgrindi
5、ngconditionsandhasdirecteffectonthesurface/subsurfacequalityofgroundworkpieces.Modellingofgraindepthofcutofworkpiecerotationgrindinghasgreatsignificanceingrindingofsiliconwaferswithhighefficiencyandhighsurfacelayerquality.Basedontheanalysisofrelativemotionbetweencup-typegrin
6、dingwheel,abrasivesandsiliconwaterinwaferrotationgrinding,themodelofgraindepthofcutisproposedandthemathematicalrelationshipamonggraindepthofcut,dimensionsofcup-typegrindingwheel,grindingparametersandradicaldistanceispresented.Withtheproposedmodel,thesubsurfacedamagedistribut
7、ionsalongtheradicaldirectionofgroundsiliconwafersandtheeffectsofmachiningconditionsonsubsurfacedamageinwaferrotationgrindingarethenanalyzed,andthegrindingexperimentsareconductedtoverifythemodel.Theexperimentresultsshowthatthesubsurfacedamagedepthdecreasesgraduallyalongradica
8、ldirectionfromedgetocentreofthegroundwafersurface.Thesubsurfacedamagedepthi
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