单晶培养技术.ppt

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1、单晶培养技术一、单晶生长中的普遍性问题从溶液中生长晶体最为常见；从溶液中生长晶体一般都经历近饱和→饱和→过饱和→结晶的过程。我们出发点就是控制好这个过程；晶体生长的难易程度首先取决于化合物的本性。各种技巧的掌握和运用可以显著提高获得单晶的几率；晶体的生长和质量主要依赖于晶核形成和生长速率。晶核形成过快就会形成大量微晶，很难长大，并易出现晶体团聚。生长的速率太快则会导致晶体出现缺陷；尝试、耐心和运气。1二、什么样的样品适合生长单晶？分子结构角度考虑：刚性化合物比柔性的更容易，烷基链超过4个碳的一般难以培养单晶

2、；从晶体学家角度考虑，分子中最好不含叔丁基，因为容易无序，影响单晶解析的质量，但是从化学角度考虑，叔丁基可增加溶解度，所以也经常使用。氯仿和高氯酸根等也存在类似的问题；更换取代基有时会有理想的效果。如4－氯苯基取代化合物比苯基取代化合物往往容易长单晶。外观角度判断培养前景：旋蒸或简单重结晶所得样品，如果光泽很好(不是贴在烧瓶内壁的一层薄膜刮下来之后产生的光泽)，在显微镜下观察，如果是块状，有规则外形，则容易生长；油状物很难长出单晶，经过进一步提纯后再去培养。21.溶剂缓慢挥发法：挥发化合物的近饱和溶液注意：

3、缓慢挥发，不能让溶剂完全挥发。干净光滑的器皿，但是全新的玻璃仪器效果往往也不好清洁稳定的环境合适的溶剂：沸点适中，不能太高或太低，60~90度较合适。可以用不良溶剂和良溶剂的混合溶剂溶解化合物(不良与良溶剂必须互溶，且沸点要高于良溶剂。如，甲醇里可加适量水)，以避免在溶剂体积特别小时才析出晶体。三、常见的单晶生长方法过滤：注意避免将滤纸上的纤维带入滤液。封口、挥发：可用保鲜膜封好口，用很细的针戳孔，通过孔的数量来控制挥发速度。晶体在底部生长常用溶剂：甲醇、乙醇、氯仿、甲醇-水及CH2Cl2-正己烷等。长在上

4、面？32.液相扩散法向良溶剂的溶液中扩散不良溶剂：适用于两种溶剂中溶解度差别很大的化合物。下层溶剂比重应比上层大，且两种溶剂必须互溶。下层：CH2Cl2(CHCl3)上层：己烷(庚烷、辛烷等)下层：CH2Cl2(CHCl3)上层：甲醇(乙醇等)层铺法：上层：不良溶剂中间：混和溶剂缓冲层下层：良溶剂的溶液良溶剂不良溶剂甲醇-水，水-甲醇？不行4两种反应物的溶液之间进行扩散：适用于反应物溶解度好，而产物溶解度很差的体系。常用溶剂体系：CH2Cl2(CHCl3)/己烷(庚烷、辛烷等)CH2Cl2(CHCl3)

5、/甲醇(乙醇等)混和溶剂缓冲层反应物B的溶液反应物A的溶液可用一种或两种溶剂。可在此处加砂芯，以控制扩散速度。反应物A的溶液反应物B的溶液空白溶剂H-形管：层铺法：两边可以是一种溶剂，也可以是不同溶剂。溶剂比重需要有明显差异？53.气相扩散法A:良溶剂溶液，沸点较高B：不良溶剂，沸点较低常用溶剂体系：DMF/乙醚DMF/己烷适用于极性较大化合物DMF/水DMSO/水适用于极性较小化合物64.水热法或溶剂热法适用于特别难溶的化合物(如二维或三维配位网络)，经常在反应生成某种化合物的同时，生长其晶体。该方法有时

6、可以得到其他方法无法得到的奇特结构；需控制好溶剂和温度，高温条件下溶剂蒸汽自动产生一定压力，反应一段时间后，控制降温，冷却到室温之后，收集晶体。71.样品用量缓慢挥发法一般需样品量稍多。例如，配合物的甲醇溶液挥发，通常需要数十毫克到上百毫克样品。为减少样品用量，可加入适量的差溶剂，以降低溶解度；液相扩散法和气相扩散法，数毫克就可以。样品量少的时候可选择较小的容器。2.样品的预处理一般情况下，样品要尽量纯，可预先重结晶。很多配合物样品一般得到固体后，将很难再溶解。这种情况下，可以不经提纯，用反应溶液直接生长晶

7、体。样品溶液要过滤，尽量不用滤纸，而是用一小团棉花塞在滴管的中下部过滤。过滤样品之前，用良溶剂洗涤所有用品。四、一些重要的细节问题83.样品的放置和观察培养单晶时，最好放到没人碰的地方。不能一天去看几次，也不能放一两个星期都不管。也许有的溶剂体系一两天就析出了晶体，几天之后，溶剂全干了。一般两三天看一次合适，看的时候不要动它，可拿亮度较高的手电筒照射，观察晶体的大小和光泽。较好的晶体有很光滑的镜面，光泽度很好。明显不行的体系（如析出大量絮状固体或粉末）就要用别的溶剂体系再重新培养。4.溶剂比例液相扩散法中良

8、溶剂与不良溶剂的比例最好为1:2－1:4。对于液相扩散法，选择溶剂体系时，尽量使良溶剂(如二氯甲烷，氯仿)沸点低于不良溶剂(如己烷，正辛烷)沸点。通过这样选择，如果扩散均匀后无固体析出，还可以再进行缓慢挥发。95.多尝试、详细记录单晶生长有很大偶然性。可采取少量样品多溶剂体系的办法反复尝试，提高成功的概率。例如，有50mg样品，可以同时实验5种溶剂体系，每种溶剂体系尝试两次，每次5mg。注意做好记录，以免重复采用