二维纳米沟道制造的研究与分析.pdf

《二维纳米沟道制造的研究与分析.pdf》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在行业资料-天天文库。

1、Ga【】emIG学术模具用钢的选用既要满足客户对产尤其适宜氨基塑料模。渗后淬火时，不产品，如PC+ABS就是这样一种塑材。并品质量的要求，又要考虑材料的成本及宜直接淬火，因为渗碳后晶粒较粗，一且随着塑料材料合成技术水平的提升，在设定周期内的强度。选用时需满足一般渗后缓冷后一次淬火，性能要求高的塑料件也逐渐朝着小型化和轻量化的方定工作条件要求，如耐磨性、强韧性、可进行二次淬火。对高合金渗碳钢可采向不断发展，对注塑模具的性能和使用耐高温性、耐冷热疲劳性及耐蚀性等。用渗碳一空冷一高温回火一淬火、回火寿命也提出了较高的要求。本文通过对另外，材料应具有良好的可锻

2、性、切削处理，以减少残余奥氏体量、提高表层注塑模具钢材的选用和热处理工艺问题加工性、淬硬性、淬透性及可磨削性；硬度、降低变形程度。进行探讨研究，提出了延长注塑模具使还应具有小的氧化、脱碳敏感性和淬火(2)调质钢。调质钢在成分上含碳用寿命的几点建议，希望可以为相关人变形开裂倾向。采用既具有优良的力学量中等，低、中等合金元素的含量，具士提供一些参考。性能，又具有良好的加工工艺性的塑料体由淬透性和和强韧性来确定。调质作模具钢，不仅可以大大提高塑件成型质为最终热处理，在调质前后进行粗、精参考文献：量，而且可以大大提高模具使用寿命。加工，调质后一般不再进行其它热

3、处理，[1]陈再良，吕东显，付海峰．模具3．3模具钢材热处理工艺的合理利用既满足切削加工性能要求，又使变形开使用寿命与失效分析中一些问题的探讨不同模具钢材应该采用不同的热处裂机率下降。调质后若硬度不足，可再[J]．理化检验(物理分册)．2009(o9)；理工艺，这样才能最大程度的保证模具进行一次表面强化处理，如渗氮、离子[2]余晓容．注塑模优化设计理论的钢材的使用性能处于最佳状态。以下就渗氮、碳氮共渗、镀铬等。低温处理，研究与应用[D]．郑州大学2004；以渗碳钢、调质钢等常见的模具用钢为可使表面硬度大大提高，又可减少粘模[3]刘春太．基于数值模拟的注

4、塑成例，来谈谈其热工艺处理的合理选用。现象。型工艺优化和制品性能研究[D]．郑州大(1)渗碳钢。其热处理工艺路线为：4．结束语学2003；退火一切削加工一渗碳一淬火回火一精近些年来，我国的塑料工业发展十[4]浅谈模具产业的发展[J]．塑料加工。可进行渗碳或碳氮共渗处理，后分迅速，塑料件被广泛应用在各种工业工业．2006(1O)；者更耐磨、抗氧化、对耐蚀和抗粘料更优，生产领域中，成为现代工业生产的重要二维纳米沟道制造的研究与分析徐莘博张扬宝林满运城(116023大连N_T-大学辽宁大连)摘要：纳米沟道是纳流控芯片检测与应用的基础。纳流控芯片与微流控芯片的

5、主要区别是结构特征尺寸的差异。微流控芯片的特征部件为微米尺度的通道，而纳流控芯片的特征部件为纳米尺度的通道。在国际上，微流控芯片技术已经相对成熟，而纳流控芯片技术尚处于发展阶段，但其应用潜力与市场前景巨大。纳米沟道是纳流控器件最基本的组成部分。纳流控芯片制造技术的难点是纳米沟槽的制造与纳米沟道的键合。所以，探索成型工艺简单、成本低、可进行批量化生产的纳米级沟槽制造技术，并将纳米级沟槽封装起来形成纳米沟道的稳定成型工艺，已成为纳流控器件真正得以实用化的关键。区=ll墨叠田墨1．=维纳米沟道制造介绍和热压成型技术。基底上成型一个尺寸较大的沟槽。然后目前，二

6、维纳米沟槽的制造主要依2．二维纳米沟擅的制造方法利用非均匀的沉淀技术，形成封闭的二赖于具有纳米级分辨率的光刻设各，如2．1牺牲层技术维纳米沟道。非均匀沉淀过程是利用刻电子束光刻、聚焦离子束、质子束直写等。牺牲层技术是一种以自上而下的方蚀与沉淀技术形成纳米沟道的关键步骤，这些光刻技术打破了标准光刻技术的衍式制造封闭二维纳米沟槽的方法。牺牲它的重要作用就是将沟槽的宽度缩小到射极限，能够制造出分辨率较高的纳米层技术就是首先形成厚度为纳米级的牺纳米尺度，并将其密封起来形成纳米沟图形。然而，它们都需要昂贵复杂的设备，牲层，然后有选择性地将牺牲层移除，道。这些沉淀

7、技术包括化学气相沉积并且生产效率极低，不适合批量生产。留下牺牲层周围的材料作为侧壁，形成(CVD)、物理气相沉积(PVD)和氧化沉积二维纳米沟槽的制造方法仍然依赖纳米沟道。与其它二维纳米沟槽的制造等。于MEMS技术～一这是因为其成本低，产方法相比，牺牲层技术工艺相对简单，综上所述，刻蚀与沉淀技术工艺比量高，具有晶圆级的加工能力。MEMS加且成本相对较低，容易与其它微结构集较简单，然而此种技术成本相对较高。工方法通常利用常规紫外光刻工艺形成成为微纳流控器件。然而，由于刻蚀牺并且由于CVD、PV和氧化沉积技术等沉微米结构，然后利用一系列沉淀和刻蚀牲层过程中

8、的应力释放，密封层的边沿淀的薄膜不均匀，很难精确地控制最后工艺形成纳米结构。尽管常规紫外光刻会