电子技术基础教案(第四版).doc

电子技术基础教案(第四版).doc

ID:51385353

大小:350.50 KB

页数:21页

时间:2020-03-23

电子技术基础教案(第四版).doc_第1页
电子技术基础教案(第四版).doc_第2页
电子技术基础教案(第四版).doc_第3页
电子技术基础教案(第四版).doc_第4页
电子技术基础教案(第四版).doc_第5页
资源描述:

《电子技术基础教案(第四版).doc》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在工程资料-天天文库

1、2014至2015学年第二学期教师授课教案类别:井下特种作业授课专业班级:机电1课程:电子技术基础开课时间:3月24H-28R总课时:40学吋使用教材:电子技术基础(第四版)授课教师:教研室:教师姓名性别年龄职称所用教材电了技术基础(第四版)授课对象(初、复训)授课名称电了技术基础课程课时40授课时间授课方式安全培训教师岗位证书编号/专业:序号主要章节、内容课时分配1第一章:半导体二极管1、半导体基础知识,2、半导体二极管42第二章:半导体三极管及其放大电路1、半导体三极管,2、共射极基木放大电路3.分压式

2、射极偏置电路,4、多级放大,5、负反馈放大电路63第三章:集成运算放大器及其应用1、差动放大电路,2、集成运放放大器概述,3、集成运算放大器的基木电路,4、集成运算放大器的应用电路,64第四章:正弦波振荡电路1、正弦波振荡电路的基木原理,2、LC正弦波振荡电路。3、RC振荡电路,4、石英晶体振荡电路45第五章:肓流稳压电源1、整流电路,2、整流器件的选用,3、滤波电路,4、稳压电路,5、集成稳压器,6、开关型稳压电源简介46第六章:晶闸管及丿应用电路1、晶闸管,2、晶闸管整流电路,3、负载类型对晶闸管整流的

3、影响47第七章:门电路及组介逻辑电路1、分立原件电路,2、集成门电路48第八章:触发器及时序逻辑电路1、触发器4复习4上课次序1授课课时4授课章节名称第一章:半导体二极管教学目标知识H标了解半导体的特性和PN结的形成弓特性能力H标掌握二极管、稳压管的特性教学要点教学柬点PN结的形成与特性教学难点二极管的伏安特性课型理论安全教育理解记忆法,模型观察法教法与学法(教具)电视机、播放器、U盘、多媒体半导体的导电特性1、光敏性、热敏性、可掺杂性2、本征半导体:纯净的半导体称为本征半导体。3、N型半导体结构形成方式:

4、掺入五价杂质元素使载流子数日增多,自山电子是多子4、P型半导体结构形成方式:掺入三价杂质元素使载流子数日增多,空穴是多子PN结的形成与特性形成过程特性:单向导电性二极管1、结构、外形、分类:(1)按材料分:有硅二极管,铭二极管和伸化镣二极管等。(2)按结构分:根据PN结面积大小,有点接触型、面接触型二极管。(3)按用途分:有整流、稳压、开关、发光、光电、变容、阴尼等二极管。(4)按封装形式分:有塑封及金属封等二极管。(5)按功率分:有大功率、中功率及小功率等二极管。2、主要参数3、判别办法:用力用表欧姆档判

5、别正、负极及好坏。4、二极管的伏安特性。5、特殊功能二极管:稳压管、发光二极管上课次序2授课课时6授课章节名称第二章:半导体三极管及其放大电路教学目标知识目标1、了解三极管的结构与特性,2、学握三极管的类型和电流放大原理;3、了解电路的结构组成,能力H标1、理解三极管的特性曲线和主要参数,2、用图解法分析静态工作点和动态波形教学教学匝点1、三极管的电流放大原理要点教学难点1、三极管的输入输出特性,2、特性曲线课型理论安全教育理解记忆法,模型观察法教法与学法(教具)电视机、播放器、U盘、多媒体e图2・1.1三

6、极管结构示意图和表示符号二.三极管在电路屮的联接方式三.三极管的电流放大作出及原理三极管实现放大作用的外部条件是发射结止向偏置,集电结反向偏置。1)发射区向基区发射电了的过程2)电子在基区的扩散和复合过程3)电了被集电区收集的过程特性曲线和丄要参数lx输入特性:iB-f(uBE)JJ33CE一常数2、输出特性:iC二f(uCE)常数三极管的基本结构和类型1、2、在电路中的联接方特性曲线和上要参数输入特性三极管的微变等效电路:IE二IC+IB'=仪B输出特性IE二f(UBE)UCE:常数IC二f(UCE)丨1

7、B:常数+二.放大器的微变等效电路:AJJ交流动态参数的计算:1.电压放大倍数”二〜2•输入输出电五、静态工作点不稳定的瓯因静态丁•作点不稳定的原因较多,如温度变化、电源波动、元件老化闻使参数发生变化等,其屮最页要的原因是温度变化的影响。1、温度变化时对1CE0的影响一般借况,温度毎升高12C,鉛管1CE0数值增大一倍;温度毎升高8°C时,硅管的ICEO数值增大一倍。2、温度变化对发射结电圧uBE影响在电源电压不变的情况下,温度升高后,使uBE减小,一般晶体管uBE的温度系数约为-2〜2.5mv./oCou

8、BE减小,将使iB和iC增大,工作点上移。3、温度变化对“的影响温度升高将使晶体管的“值增大,温度每升高1°C,“值约増加0.5%〜1%,最大可增2%。反之,温度下降时0值将减小。六、分压式偏置电路1、电路结构2、动态利静态分析匕课次序3授课课时6授课章节名称第三章:集成运算放大器及其应用教学知识目标抑制零点漂移的有效方法,2、基本差动放大电路组成和工作原,学握集成运放的电路组成及符号H标能力冃标了解电压、电流的

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文

此文档下载收益归作者所有

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文
温馨提示:
1. 部分包含数学公式或PPT动画的文件,查看预览时可能会显示错乱或异常,文件下载后无此问题,请放心下载。
2. 本文档由用户上传,版权归属用户,天天文库负责整理代发布。如果您对本文档版权有争议请及时联系客服。
3. 下载前请仔细阅读文档内容,确认文档内容符合您的需求后进行下载,若出现内容与标题不符可向本站投诉处理。
4. 下载文档时可能由于网络波动等原因无法下载或下载错误,付费完成后未能成功下载的用户请联系客服处理。