《模拟电子技术基础》各章习题.doc

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1、《模拟电子技术基础》各章习题第一章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确,用“√”和“×”表示判断结果填入空内。(1)在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。()(2)因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。()(3)PN结在无光照、无外加电压时,结电流为零。()(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。()(5)结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其RGS大的特点。()(6)若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零,则其输入电阻会明显变小。()二、选择正确答案填入空内。(1)PN结加正向电压时,空间电荷区

2、将。A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在。A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为。A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4)UGS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有。A.结型管B.增强型MOS管C.耗尽型MOS管(5)在本征半导体中加入元素可形成N型半导体,加入元素可形成P型半导体。A.五价B.四价C.三价(6)当温度升高时,二极管的反向饱和电流将。A.增大B.不变C.减小(7)工作在放大区的某三极管,如果当IB从12μA增大到22μA时,IC从1mA变为2mA,那么它的β约为

3、。A.83B.91C.100(8)当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时,它的低频跨导gm将。A.增大B.不变C.减小三、写出图T1.3所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压UD=0.7V。图T1.3四、已知稳压管的稳压值UZ=6V,稳定电流的最小值IZmin=5mA。求图T1.4所示电路中UO1和UO2各为多少伏。图T1.4五、某晶体管的输出特性曲线如图T1.5所示,其集电极最大耗散功率PCM=200mW,试画出它的过损耗区。图T1.5六、电路如图T1.6所示,VCC=15V,β=100,UBE=0.7V。试问:(1)Rb=50kΩ时,uO=?(2)若T临界饱和,则Rb≈?图

4、T1.6七.测得某放大电路中三个MOS管的三个电极的电位如表T1.7所示,它们的开启电压也在表中。试分析各管的工作状态(截止区、恒流区、可变电阻区),并填入表内。表T1.7管号UGS(th)/VUS/VUG/VUD/V工作状态T14-513T2-43310T3-4605习题1.1能否将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端?为什么?1.2电路如图P1.2所示,已知ui=10sinωt(v),试画出ui与uO的波形。设二极管正向导通电压可忽略不计。图P1.2图P1.31.3电路如图P1.3所示,已知ui=5sinωt(V),二极管导通电压UD=0.7V。试画出ui与uO的波形,并标出幅值。

5、1.4电路如图P1.4(a)所示,其输入电压uI1和uI2的波形如图(b)所示,二极管导通电压UD=0.7V。试画出输出电压uO的波形,并标出幅值。图P1.41.5电路如图P1.5所示,二极管导通电压UD=0.7V,常温下UT≈26mV,电容C对交流信号可视为短路;ui为正弦波,有效值为10mV。试问二极管中流过的交流电流有效值为多少?图P1.51.6现有两只稳压管,它们的稳定电压分别为6V和8V,正向导通电压为0.7V。试问:(1)若将它们串联相接,则可得到几种稳压值?各为多少?(2)若将它们并联相接,则又可得到几种稳压值?各为多少?1.7已知稳压管的稳定电压UZ=6V,稳定电流的最小值

6、IZmin=5mA,最大功耗PZM=150mW。试求图P1.8所示电路中电阻R的取值范围。图P1.71.8已知图P1.8所示电路中稳压管的稳定电压UZ=6V,最小稳定电流IZmin=5mA,最大稳定电流IZmax=25mA。(1)分别计算UI为10V、15V、35V三种情况下输出电压UO的值;(2)若UI=35V时负载开路,则会出现什么现象?为什么?图P1.81.9在图P1.9所示电路中,发光二极管导通电压UD=1.5V,正向电流在5~15mA时才能正常工作。试问:(1)开关S在什么位置时发光二极管才能发光?(2)R的取值范围是多少?图P1.9图P1.101.10电路如图P1.10(a)、

7、(b)所示,稳压管的稳定电压UZ=3V,R的取值合适,uI的波形如图(c)所示。试分别画出uO1和uO2的波形。1.11在温度20℃时某晶体管的ICBO=2μA,试问温度是60℃时ICBO≈?1.12有两只晶体管,一只的β=200,ICEO=200μA;另一只的β=100,ICEO=10μA,其它参数大致相同。你认为应选用哪只管子?为什么?1.13已知两只晶体管的电流放大系数β分别为50和100,现测得放大电路中这两只管

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1、《模拟电子技术基础》各章习题第一章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确,用“√”和“×”表示判断结果填入空内。(1)在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。()(2)因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。()(3)PN结在无光照、无外加电压时,结电流为零。()(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。()(5)结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其RGS大的特点。()(6)若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零,则其输入电阻会明显变小。()二、选择正确答案填入空内。(1)PN结加正向电压时,空间电荷区

2、将。A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在。A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为。A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4)UGS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有。A.结型管B.增强型MOS管C.耗尽型MOS管(5)在本征半导体中加入元素可形成N型半导体,加入元素可形成P型半导体。A.五价B.四价C.三价(6)当温度升高时,二极管的反向饱和电流将。A.增大B.不变C.减小(7)工作在放大区的某三极管,如果当IB从12μA增大到22μA时,IC从1mA变为2mA,那么它的β约为

3、。A.83B.91C.100(8)当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时,它的低频跨导gm将。A.增大B.不变C.减小三、写出图T1.3所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压UD=0.7V。图T1.3四、已知稳压管的稳压值UZ=6V,稳定电流的最小值IZmin=5mA。求图T1.4所示电路中UO1和UO2各为多少伏。图T1.4五、某晶体管的输出特性曲线如图T1.5所示,其集电极最大耗散功率PCM=200mW,试画出它的过损耗区。图T1.5六、电路如图T1.6所示,VCC=15V,β=100,UBE=0.7V。试问:(1)Rb=50kΩ时,uO=?(2)若T临界饱和,则Rb≈?图

4、T1.6七.测得某放大电路中三个MOS管的三个电极的电位如表T1.7所示,它们的开启电压也在表中。试分析各管的工作状态(截止区、恒流区、可变电阻区),并填入表内。表T1.7管号UGS(th)/VUS/VUG/VUD/V工作状态T14-513T2-43310T3-4605习题1.1能否将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端?为什么?1.2电路如图P1.2所示,已知ui=10sinωt(v),试画出ui与uO的波形。设二极管正向导通电压可忽略不计。图P1.2图P1.31.3电路如图P1.3所示,已知ui=5sinωt(V),二极管导通电压UD=0.7V。试画出ui与uO的波形,并标出幅值。

5、1.4电路如图P1.4(a)所示,其输入电压uI1和uI2的波形如图(b)所示,二极管导通电压UD=0.7V。试画出输出电压uO的波形,并标出幅值。图P1.41.5电路如图P1.5所示,二极管导通电压UD=0.7V,常温下UT≈26mV,电容C对交流信号可视为短路;ui为正弦波,有效值为10mV。试问二极管中流过的交流电流有效值为多少?图P1.51.6现有两只稳压管,它们的稳定电压分别为6V和8V,正向导通电压为0.7V。试问:(1)若将它们串联相接,则可得到几种稳压值?各为多少?(2)若将它们并联相接,则又可得到几种稳压值?各为多少?1.7已知稳压管的稳定电压UZ=6V,稳定电流的最小值

6、IZmin=5mA,最大功耗PZM=150mW。试求图P1.8所示电路中电阻R的取值范围。图P1.71.8已知图P1.8所示电路中稳压管的稳定电压UZ=6V,最小稳定电流IZmin=5mA,最大稳定电流IZmax=25mA。(1)分别计算UI为10V、15V、35V三种情况下输出电压UO的值;(2)若UI=35V时负载开路,则会出现什么现象?为什么?图P1.81.9在图P1.9所示电路中,发光二极管导通电压UD=1.5V,正向电流在5~15mA时才能正常工作。试问:(1)开关S在什么位置时发光二极管才能发光?(2)R的取值范围是多少?图P1.9图P1.101.10电路如图P1.10(a)、

7、(b)所示,稳压管的稳定电压UZ=3V,R的取值合适,uI的波形如图(c)所示。试分别画出uO1和uO2的波形。1.11在温度20℃时某晶体管的ICBO=2μA,试问温度是60℃时ICBO≈?1.12有两只晶体管,一只的β=200,ICEO=200μA;另一只的β=100,ICEO=10μA,其它参数大致相同。你认为应选用哪只管子?为什么?1.13已知两只晶体管的电流放大系数β分别为50和100,现测得放大电路中这两只管

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