模拟电子技术基础各章习题

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1、《模拟电子技术基础》各章习题55第一章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。（1）在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（）（2）因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（）（3）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（）（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。（）（5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其RGS大的特点。（）（6）若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零，则其输

2、入电阻会明显变小。（）二、选择正确答案填入空内。（1）PN结加正向电压时，空间电荷区将。A.变窄B.基本不变C.变宽（2）稳压管的稳压区是其工作在。A.正向导通B.反向截止C.反向击穿（3）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为。A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏（4）UGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有。A.结型管B.增强型MOS管C.耗尽型MOS管（5）在本征半导体中加入元素可形成N型半导体，加入元素可形成P型半导体。A.五价B.四价C.三价（6）当温

3、度升高时，二极管的反向饱和电流将。A.增大B.不变C.减小（7）工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β约为。A.83B.91C.100（8）当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时，它的低频跨导gm将。A.增大B.不变C.减小三、写出图T1.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压UD＝0.7V。55图T1.3四、已知稳压管的稳压值UZ＝6V，稳定电流的最小值IZmin＝5mA。求图T1.4所示电路中UO1和UO2各为多少伏。图T1.4五、某晶

4、体管的输出特性曲线如图T1.5所示，其集电极最大耗散功率PCM＝200mW，试画出它的过损耗区。图T1.5六、电路如图T1.6所示，VCC＝15V，β＝100，UBE＝0.7V。试问：（1）Rb＝50kΩ时，uO＝？（2）若T临界饱和，则Rb≈？55图T1.6七．测得某放大电路中三个MOS管的三个电极的电位如表T1.7所示，它们的开启电压也在表中。试分析各管的工作状态(截止区、恒流区、可变电阻区)，并填入表内。表T1.7管号UGS（th）/VUS/VUG/VUD/V工作状态T14－513T2－43310T3－4

5、60555习题1.1能否将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端？为什么？1.2电路如图P1.2所示，已知ui＝10sinωt(v)，试画出ui与uO的波形。设二极管正向导通电压可忽略不计。图P1.2图P1.31.3电路如图P1.3所示，已知ui＝5sinωt(V)，二极管导通电压UD＝0.7V。试画出ui与uO的波形，并标出幅值。1.4电路如图P1.4（a）所示，其输入电压uI1和uI2的波形如图（b）所示，二极管导通电压UD＝0.7V。试画出输出电压uO的波形，并标出幅值。图P1.41.5电路如图P1.5

6、所示，二极管导通电压UD＝0.7V，常温下UT≈26mV，电容C对交流信号可视为短路；ui为正弦波，有效值为10mV。试问二极管中流过的交流电流有效值为多少？图P1.51.6现有两只稳压管，它们的稳定电压分别为6V和8V，正向导通电压为0.7V。试问：（1）若将它们串联相接，则可得到几种稳压值？各为多少？（2）若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值？各为多少？1.7已知稳压管的稳定电压UZ＝6V，稳定电流的最小值IZmin＝5mA，最大功耗PZM＝150mW55。试求图P1.8所示电路中电阻R的取值范围。图P1

7、.71.8已知图P1.8所示电路中稳压管的稳定电压UZ＝6V，最小稳定电流IZmin＝5mA，最大稳定电流IZmax＝25mA。（1）分别计算UI为10V、15V、35V三种情况下输出电压UO的值；（2）若UI＝35V时负载开路，则会出现什么现象?为什么？图P1.81.9在图P1.9所示电路中，发光二极管导通电压UD＝1.5V，正向电流在5～15mA时才能正常工作。试问：（1）开关S在什么位置时发光二极管才能发光？（2）R的取值范围是多少？图P1.9图P1.101.10电路如图P1.10（a）、（b）所示，稳压

8、管的稳定电压UZ＝3V，R的取值合适，uI的波形如图（c）所示。试分别画出uO1和uO2的波形。1.11在温度20℃时某晶体管的ICBO＝2μA，试问温度是60℃时ICBO≈？1.12有两只晶体管，一只的β＝200，ICEO＝200μA；另一只的β＝100，ICEO＝10μA55，其它参数大致相同。你认为应选用哪只管子？为什么？1.13已知两只晶体管的电流放大系数β分别为50和100，