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1、1 查看捕捉点设置是否正确.08工艺为0.1,06工艺为0.05,05工艺为0.025.2 Cell名称不能以数字开头.否则无法做DRACULA检查.3 布局前考虑好出PIN的方向和位置4 布局前分析电路，完成同一功能的MOS管画在一起5 对两层金属走向预先订好。一个图中栅的走向尽量一致，不要有横有竖。6 对pin分类,vdd,vddx注意不要混淆,不同电位(衬底接不同电压)的n井分开.混合信号的电路尤其注意这点.7 在正确的路径下
2、(一般是进到~/opus)打开icfb.8 更改cell时查看路径,一定要在正确的library下更改,以防copy过来的cell是在其他的library下,被改错.9 将不同电位的N井找出来.10更改原理图后一定记得check and save11完成每个cell后要归原点12DEVICE的 个数 是否和原理图一至(有并联的管子时注意)；各DEVICE的尺寸是否和原理图一至。一般在拿到原理图之后，会对布局有大概的规划，先画DEVICE，(DIVECE之间不必用最小间距,根据经验考虑连线空间留出空隙)
3、再连线。画DEVICE后从EXTRACTED中看参数检验对错。对每个device器件的各端从什么方向,什么位置与其他物体连线 必须 先有考虑(与经验及floorplan的水平有关).13如果一个cell调用其它cell，被调用的cell的vssx,vddx,vssb,vddb如果没有和外层cell连起来，要打上PIN,否则通不过diva检查.尽量在布局低层cell时就连起来。14尽量用最上层金属接出PIN。15接出去的线拉到cell边缘,布局时记得留出走线空间.16金属连线不宜过长；17电容一般最后画，在空档处拼凑。18小尺寸的
4、mos管孔可以少打一点.19LABEL标识元件时不要用y0层，mapfile不认。20管子的沟道上尽量不要走线;M2的影响比M1小.21电容上下级板的电压注意要均匀分布；电容的长宽不宜相差过大。可以多个电阻并联.22多晶硅栅不能两端都打孔连接金属。23栅上的孔最好打在栅的中间位置.24U形的mos管用整片方形的栅覆盖diff层,不要用layer generation的方法生成U形栅.25一般打孔最少打两个26Contact面积允许的情况下,能打越多越好,尤其是input/output部分,因为电流较大.但如果contact阻值远
5、大于diffusion则不适用.传导线越宽越好,因为可以减少电阻值,但也增加了电容值.27薄氧化层是否有对应的植入层28金属连接孔可以嵌在diffusion的孔中间.29两段金属连接处重叠的地方注意金属线最小宽度30连线接头处一定要重叠，画的时候将该区域放大可避免此错误。31摆放各个小CELL时注意不要挤得太近，没有留出走线空间。最后线只能从DEVICE上跨过去。32Text2,y0层只是用来做检查或标志用,不用于光刻制造.33芯片内部的电源线/地线和ESD上的电源线/地线分开接;数模信号的电源线/地线分开。34Pad的pass
6、窗口的尺寸画成整数90um.35连接Esd电路的线不能断，如果改变走向不要换金属层36Esd电路中无VDDX,VSSX,是VDDB,VSSB.37PAD和ESD最好使用M1连接，宽度不小于20um;使用M2连接时,pad上不用打VIA孔,在ESD电路上打。38PAD与芯片内部cell的连线要从ESD电路上接过去。39Esd电路的SOURCE放两边，DRAIN放中间。40ESD的D端的孔到poly的间距为4,S端到poly的间距为^+0.2.防止大电流从D端进来时影响poly.41ESD的pmos管与其他ESD或POWER的nmo
7、s管至少相距70um以上。42大尺寸的pmos/nmos与其他nmos/pmos(非powermos和ESD)的间距不够70um时,但最好不要小于50um,中间加NWELL,打上NTAP.43NWELL和PTAP的隔离效果有什么不同?NWELL较深,效果较好.44只有esd电路中的管子才可以用2*2um的孔.怎么判断ESD电路？上拉P管的D/G均接VDD,S接PAD;下拉N管的G/S接VSS,D接PAD.P/N管起二极管的作用.45摆放ESD时nmos摆在最外缘,pmos在内.46关于匹配电路，放大电路不需要和下面的电流源匹配。
8、什么是匹配？使需要匹配的管子所处的光刻环境一样。 匹配分为横向，纵向，和中心匹配。1221为纵向匹配，12为中心匹配（把上方1转到下方1时，上方2也达到下方2位置） 21中心匹配最佳。47尺寸非常小的匹配管子对匹配画法要求不严格.
