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1、DOI:10.13250/j.cnki.wndz.1995.04.009第32卷第4期半导体情报Vo!.32,No.4.1995年8月SEMCIONDUCTORINFORMATIONAug1995电子封装技术和封装材料田民波梁形翔何卫(,,1清华大学材料科学与工程系北京。。。84),摘要本文介绍了电子封装的各种类型综述了电子封装技术与封装材料的现,一。状及发展趋势重点讨论了高热导IAN墓片金属化及IANW多层共烧工艺,,,,关键词电子封装IAN陶瓷金属化多层共烧表面安装技术EleetroniePaekagingTeehnologiesandMaterials,碑
2、,TianMinboIiangTongxiangHeWei(户。八。e,r几九t曰心alsSeie,eea,dE,91,i,g,,ghU,i*。iyt,og,100084)众of,Q矛`及ijAbstraetThetypesofeleetroniepaekagingareintrodueedandtheeurrentstateandtendeneyofpaekagingteehnologiesanmaterialsarereviewedinthis.paperTheempha、1515plaeedonthemetalli:ationofhighthermaleo
3、nduetivity一一.AINeeramies、ubstratesandAINWeofiredmultilayersubstrates,,,KeywordsEleetroniepaekagingAINeeramiesMetallizationMultilayer一,eofiringSurfaeemountteehnology,1引言入90年代后IC产业已进入兆位级产品的全。自1958年世界上第一块集成电路间世以盛时期科研已向64MDRAM及更高集成度,,,。来仅仅3。多年时间微电子技术的核心及代迈进同时开始了G级(l护)高集成度的研制,表集成电路(IC)技术就
4、已经历了五个表1为国外集成电路水平和所采用的工艺及加—,、、〔,’。时代即小规模(551)中规模(MSI)大规工技术的发展概况(、,,模LSI)超大规模(VLS)I和巨大规模但是芯片并不是一个独立的个体为完。,,、(ULSI)等时代的发展进入70年代电路的成它的电路功能必须与其它芯片外引线连。;,集成度大约按每3年4倍的速率增长着到80接起来由于集成度迅猛增加从一个芯片上,,、年代中后期集成度进入1~4MDRAM(动态引出线达百万条信号传输时间信号完整性,,;随机存储器)微细加工技术已突破亚微米(<成为十分重要的问题集成度的增加使芯片,。,1拼m)硅片尺寸开始进
5、人sin以兆位级的上能量急剧增加每个芯片上产生的热量高达,,DRAM为代表的lC工业使半导体生产进入10W以上因此如何及时散热使电路在正常温、。;有些高集成度高度自动化的大规模生产阶段进度下工作成为一个重要问题电路在恶劣:收稿日期1994一08一29表国外集成电.11路的发展概况电子封装的墓本结构时间(年)197019751980198519901995图给出了集成电路双列直插式封装的实1(预,,,计)例按封接材料不同有三种典型的结构即、、集成度1K4K16K64K:561M4M16M64M金属封接陶瓷封装玻璃封接陶瓷封装塑料川。特征线宽(户m)1285321.
6、20.80.50.3包封式封装对应于上述三种结构又可以采用。硅片直径(in)22.534566~88~各种不同的封装形式812工艺PMOSNMOSCMOS复合台困封传月畏时谈二MOS,饭卜卜X万、、月、、筋脱曦光方法接触式反射投影」S脚电子束凡一丫射线阅倪在饭、、一\、、、的环境下(卞气化学介质辐照展动)工芯片娜料一,-,.,骨(,汾娜料拜愉金作这就需要对电路进行特殊保护可见要,,城产充分发挥IC芯片的功能必须解决上述间题,二内注盆板因此对集成电路的封装是必不可少的。芯片娜料、、封按玻翻多年来,封装在半导体行业一直不受重视,,封装技术落后于半导体制胶月封
7、接,倪时位作技术严重限制了。,集成电路的性能随着微电子技术的发展人。一倪庵片一分环叹胃.们对封装的认识有了根本性的改变就半导体,一(反.)二,,IC封装的成本来看所占比例逐年增加最初,只占IC总成本的16写~18%近年来许多高,引线器件封装成本高达80%封装一跃成为半“”,宠儿.料怜.时.导体行业的有人称它为90年代十大。〔2,重要技术之一,为适应大规模集成电路的发展就要开发1图集成电路双列直插式封装的结构,,新型封装材料设计新型封装形式满足电子、、、产品的高功率高速度高密度高精度等需,、从整个封装的结构讲包括一级封装二。要级封装和三级封装。芯片在基板上固定并与
8、基,高密度封装总的原则是
