NANO膜厚测定器操作指导书.doc

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1、NANO膜厚测定器操作指导书　　NANO膜厚测定器操作指导书一.适用范围及目的本作业指导书的目的是为了明确薄膜测定器的操作方法。　　适用于xx电子CVD工程。　　二.准备品空白硅片1枚，标准样品3枚（K—　　01、K—　　02、K—03）。　　三.操作方法1.开始　　(1).把SDP-2000T的主开关打到ON。　　(2).把CRT开关打到ON。　　(3).把灯的开关达到ON。　　(4).CRT上显示“ISWAVELENGTH480？”。　　（波长是480？）　　(5).确认显微镜上的波长计数值。　　(6).波长计数器的值不是00

2、480时，按CRT上的“N”键。　　(7).则CRT上显示“ENTERWAVELENGTH”。　　（输入波长）　　(8).在键盘上输入波长计数值，然后按“RETURN”键。　　(9).反复操作三-1-　　(4)～三-1-　　(8)，直到波长计数值达到00480为止。　　(10).波长计数值是00480时，按“Y”键。　　(11).等待30分钟，使装置处于稳定状态。　　(12).在显微镜左边的承片台上放置硅片。　　(13).把显微镜镜头调到40倍，焦点对准空白硅片。　　(14).偏移目镜，用旋钮把光强度表的值调到+0．5～+2．0之

3、间。　　(15).对准目镜，用旋钮把光强度表的值调到+20．0～+25．0之间。　　(16).CRT上显示“DATABANKOPTION？”。　　（选择数据库？）　　(17).按键盘上的“N”键。　　(18).CRT上显示“DATABANKOPTOFF”（数据库关闭）“REFRINDEXOPTION？”。　　（选择样片折射率？）　　(19).按键盘上的“Y”键。　　(20).CRT上显示“SWICHTOLOCAL？”（转换到本体操作？）　　(21).按键盘上的“N”键。　　(22).CRT上显示下列内容。　　表—1AVAILABL

4、EFILMS1．OXIDEONSI2．NITRIDEONSI3．NEGRESISTONSI4．POLYSILICONON1000?SiO25．NEGRESISTONSIO26．NITRRIDEONSIO210X7．THINOXIDEONSI8．THINNITRIDEONSI9．POLMIDEONSI10．POSRESISTONSI11．POSRESISTONSIO2ENTERFILMTIPE可测定的薄膜种类1.硅上面的二氧化硅膜2.硅上面的氮化硅膜3.硅上面的负光刻胶膜4.1000?二氧化硅膜上面的多晶硅膜5.上面的负光刻胶膜6.

5、二氧化硅上面的氮化硅膜7.硅上面的薄二氧化硅膜8.硅上面的薄氮化硅膜9.硅上面的聚酰亚胺膜10.硅上面的正光刻胶膜11.二氧化硅上面的正光刻胶膜选择薄膜类型2.测定方法　　(1).使用键盘，按测定的膜的代码，按“RETURN”。　　(2).CRT上显示“ENTEROBJLENS”；（选择物镜的倍率）“1=10X、2=40X、3=100X”。　　(3).选择测定所用的对物镜的倍率，按其代码（通常为“1”），按“RETURN”。　　(4).波长计数器动作，再次等到其停止为止。　　(5).CRT上显示“FOCUSONREFWAFER”（

6、聚焦到样片）“THENPUSHMEASURE”（然后按“M”键）“WAITING”。　　（等待）　　(6).聚焦点对准空白硅片，按键盘上的“M”键。　　(7).波长计数器动作，再次等到其停止为止。　　(8).CRT上显示“ENTERSAMPLE＃”。　　（输入样片编号）　　(9).“按键盘上的“RETURN”。　　(10).CRT上显示“ENTERREFRINDEX”。　　（输入样片折射率）　　(11).“按键盘上的“RETURN”。　　(12).CRT上显示“REFRINDEX=X．XX”（样片折射率为X．XX）“PLSFOCU

7、SSAMPLE”（在样片上聚焦）“THENPUSHMEASURE”。　　（按“M”键）“WAITING”（等待）　　(13).按键盘上的“M”键。　　(14).波长计数器动作，开始测定。　　(15).CRT上显示“SEQ．＃THICKNESS”（测试点＃厚度）“1．LESSTHAN100?”。　　（小于100?）　　(16).显微镜的右面台子上适当所要测定的硅片。　　(17).对合所要测定硅片的焦距，按键盘上的“M”键。　　(18).CRT上显示膜厚“××××?”。　　(19).记录数据测定结束3.程序的变更(测定不同的膜厚时)　

8、　(1).按键盘的“C”、“RETURN”键。　　(2).CRT上显示“SWICHTOLOCAL？”（转换到本体操作）　　(3).按键盘上的“N”键。　　(4).CRT上显示“表—1”内容　　(5).按照三-2-　　(1)～三-2-　　(4)。