NANO膜厚测定器操作指导书

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1、NANO膜厚测定器操作指导书一.            适用范围及目的本作业指导书的目的是为了明确薄膜测定器的操作方法。适用于xx电子CVD工程。二.            准备品空白硅片1枚，标准样品3枚（K—01、K—02、K—03）。三.            操作方法1.开始(1).  把SDP-2000T的主开关打到ON。(2).  把CRT开关打到ON。(3).  把灯的开关达到ON。(4).  CRT上显示“IS WAVELENGTH 480？”。        （波长是480？）(5).  确认显微镜上的波长计

2、数值。(6).  波长计数器的值不是00480时，按CRT上的“N”键。(7).  则CRT上显示“ENTER WAVELENGTH”。         （输入波长）(8).  在键盘上输入波长计数值，然后按“RETURN”键。(9).  反复操作三-1-(4)～三-1-(8)，直到波长计数值达到00480为止。(10).            波长计数值是00480时，按“Y”键。(11).            等待30分钟，使装置处于稳定状态。(12).            在显微镜左边的承片台上放置硅片。(13). 

3、           把显微镜镜头调到40倍，焦点对准空白硅片。(14).            偏移目镜，用旋钮把光强度表的值调到+0．5～+2．0之间。(15).            对准目镜，用旋钮把光强度表的值调到+20．0～+25．0之间。(16).            CRT上显示“DATA BANK OPTION？”。     （选择数据库？）(17).            按键盘上的“N”键。(18).            CRT上显示“DATA BANK OPT OFF”   （数据库关闭）“REFR

4、 INDEX OPTION？”。    （选择样片折射率？）(19).            按键盘上的“Y”键。(20).            CRT上显示“SWICH TO LOCAL？”         （转换到本体操作？）(21).            按键盘上的“N”键。(22).            CRT上显示下列内容。表—1：AVAILABLE FILMS： 1．OXIDE ON SI2．NITRIDE ON SI3．NEG RESIST ON SI4．POLYSILICONON 1000Å SiO25．

5、NEG RESIST ON SIO26．NITRRIDE ON SIO2 10X7．THIN OXIDE ON SI8．THINNITRIDE ON SI9．POLMIDE ON SI10．POS RESIST ON SI11．POS RESIST ON SIO2 ENTERFILMTIPE： 可测定的薄膜种类： 1.       硅上面的二氧化硅膜2.       硅上面的氮化硅膜3.       硅上面的负光刻胶膜4.       1000Å二氧化硅膜上面的多晶硅膜5.       上面的负光刻胶膜6.       二氧化

6、硅上面的氮化硅膜7.       硅上面的薄二氧化硅膜8.       硅上面的薄氮化硅膜9.       硅上面的聚酰亚胺膜10.   硅上面的正光刻胶膜11.   二氧化硅上面的正光刻胶膜 选择薄膜类型：2.测定方法(1).  使用键盘，按测定的膜的代码，按“RETURN”。(2).  CRT上显示“ENTER OBJ LENS”；         （选择物镜的倍率）“1=10X、2=40X、3=100X”。(3).  选择测定所用的对物镜的倍率，按其代码（通常为“1”），按“RETURN”。(4).  波长计数器动作，再

7、次等到其停止为止。(5).  CRT上显示“FOCUS ON REF WAFER”    （聚焦到样片）“THEN PUSH MEASURE”         （然后按“M”键）“WAITING”。                      （等待）(6).  聚焦点对准空白硅片，按键盘上的“M”键。(7).  波长计数器动作，再次等到其停止为止。(8).  CRT上显示“ENTER SAMPLE ＃”。            （输入样片编号）(9).  “按键盘上的“RETURN”。(10).            CRT上

8、显示“ENTER REFR INDEX”。       （输入样片折射率）(11).            “按键盘上的“RETURN”。(12).            CRT上显示“REFR INDEX=    X．XX”（样片折射率为X．XX）“PLS FOCUS SA