南京中电公司硅片检验标准.doc

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1、1、目的为了规范硅片的检验工作，明确硅片检验的项目和检验标准，特制定本文件。2、范围适用于对南京中电电气公司硅片的分选工序。3、职责品质管理中心：负责对硅片进行检验，确保分选后的硅片等级达到客户的要求。4、作业内容多晶硅片检验项目和标准类别（Sort）项目（Item）单位（Unit）指标/参数/要求（Index/Parameter/Request）规格尺寸（Dimension）宽度（Width）mm156±0.5mm硅片对角（WaferDiagonal）mm219.2±0.5mmBevelangle0.5～2mmin450厚度（Thickness）um200±20μm电学性能

2、参数（performanceparameter）生长方法（Growthmethod）多晶硅片导电类型（Conductivitytype）P电阻率范围（Resistivity）Ω.cm1-3Ω.cm少子寿命（Lifetime）us；≥2us碳含量（Carbonconcentration）atoms/cm3≤5.0×1017atoms/cm3氧含量（Oxygenconcentration）atoms/cm3≤1.0×1018atoms/cm3TTVum≤40um线痕（Sawmarks）um≤20um外观质量指标（Surfacequality）边缘角度（Rectangularang

3、le）00900±0.30弯曲度（Warpage）um≤40um裂痕、穿孔（Crack、Hole）目视不可见小亮边（TinyLuminanceEdge）长度≤硅片边长的1/2，宽度≤片厚的1/3边缘缺陷（Edgedefact）深不大于0.5mm；长不大于1.5mm；每片总数量不多于2处表面质量（Surfacequality）表面干净，无污染5、抽样方案与接收标准采用GB/T2828.1-2003正常检验水准Ⅱ级,外观、尺寸、性能全检（Ac=0,Re=1）。注：当检验出现异常时，由品管、生产、技术等部门现场确认，最终由技术对异常情况做出判决。