矽片采购手册.doc

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1、目录太阳能级单晶硅片的规格要求…………………………………………………………2太阳能级多晶硅片的规格要求…………………………………………………………2太阳能级硅棒的规格要求………………………………………………………………3太阳能级多晶硅料规格要求……………………………………………………………4头尾料、锅底料、边角料技术要求……………………………………………………5太阳电池用晶体硅棒、片技术条件……………………………………………………6切片………………………………………………………………………………………11标志、包装、运输、贮存

2、………………………………………………………………12专业术语中英文对照（全文翻译）……………………………………………………12１４太阳能级单晶硅片的规格要求种类6英寸准方片8英寸准方片型号P型掺硼P型掺硼电阻率（ohm.cm）0.5-3.0（3.0-6.0）0.5-3.0（3.0-6.0）晶体硅片趋向＜100＞±3°＜100＞±3°碳含量（atoms/cm３）＜5*1016＜5*1016氧含量（atoms/cm３）＜1.0*1018＜1.0*1018少子寿命(μs)＞10（20）＞10（20）晶体硅片边长(mm)125*125

3、±0.5156*156±0.5晶体硅片直径(mm)150±1.0203.2±1.0厚度(μm)220±20/270±20220±20/270±20总厚度变化(μm)<30<30表面状况清洁无污点清洁无污点外观无裂痕无裂痕太阳能级多晶硅片的规格要求种类6英寸方片8英寸方片型号P型掺硼P型掺硼电阻率（ohm.cm）0.5-3.0(3.0-6.0)0.5-3.0(3.0-6.0)碳含量（atoms/cm３）＜8*1017＜8*1017氧含量（atoms/cm３）＜1.0*1018＜1.0*1018少子寿命(μs)＞2(20)＞2(2

4、0)晶体硅片边长(mm)125*125±0.5156*156±0.5斜面(mm)0.5-2.50.5-2.5厚度(μm)220±20/270±20220±20/270±20TTV(μm)<30<50表面状况清洁无污点清洁无污点外观无裂痕无裂痕１４太阳能级硅棒的规格要求参数要求直径参数8英寸直径误差+3/-1mm型号/掺杂元素P型晶体硅棒趋向＜100＞±3°电阻率0.5-6.0ohm.cm少子寿命＞10μs径向电阻率变化＜25%氧含量＜1*1018at/cm３碳含量＜5*1016at/cm３位错密度＜3000at/cm２参数要求

5、直径参数6英寸直径误差+3/-1mm型号/掺杂元素P型晶体硅棒趋向＜100＞±3°电阻率0.5-6.0ohm.cm少子寿命＞10μs径向电阻率变化＜25%氧含量＜1*1018at/cm３碳含量＜5*1016at/cm３位错密度＜3000at/cm２１４太阳能级多晶硅料规格要求A、太阳能级多晶硅料规格要求技术要求：1．总体要求：硅含量≥99.9999%2．含硼量：〈0.20ppba:3．含磷量：〈0.90ppba4．含碳量：〈1.00ppba5．金属含量：〈10.00ppba6．金属表面含量：〈30.00ppba7．尺寸大小要求

6、：25mm---250mm8．多晶种类：P型9．电阻率：〉0.50ohmcmB.破碎半导体级硅片技术要求：1.半导体级碎硅片；2.片子形状为圆弧形碎片；3.硅片厚度≥400um;4.型号为P型；5.电阻率：〉0.50ohmcmC.小多晶硅技术要求1.型号为N型，电阻率大于50ohmcm，碳含量小于5*1016/cm3，氧含量小于5*1017/cm3;2.块状为4mm;3.不能有氧化夹层和不熔物，最好为免洗料;D．直拉多晶硅技术要求：1.磷检为N型，电阻率大于100ohmcm，硼检为P型，电阻率大于1000ohmcm，少数载流子

7、寿命大于100us，碳含量小于5*1016/cm3，氧含量小于5*1017/cm3;2.块状大于30mm;3.不能有氧化夹层或不熔物，最好为免洗料；E．区熔头尾料技术要求1.N型，电阻率0.5-50ohmcm，少数载流子寿命大于100us;2.块状大于30mm;3.区熔头尾料不能有气泡，不能有与线圈接触所造成的沾污，更不能有区熔过程的流硅或不熔物；4.最好为免洗料。F．直拉头尾料（IC料），最好为免洗料1.N型，电阻率大于10ohmcm;2.P型，电阻率大于0.5ohmcm;3.块状大于30mm，片厚大于0.5mm;4.直拉头

8、尾料不能有气泡，更不能有不熔物。１４头尾料、锅底料、边角料、碎片技术要求硅原料总类头尾料锅底料边角料碎片型号P型、N型P型、N型P型、N型P型、N型电阻率P型>0.5ΩcmN型>3ΩcmP型>0.5ΩcmN型>3ΩcmP型>0.5ΩcmN型>3ΩcmP型>0.5ΩcmN型>3