浅析基于四噻吩诱导生长酞菁氧钒形貌探究.doc

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1、浅析基于四曝吩诱导生长駄菁氧飢形貌探駄菁氧化帆(IV),英文名称为oxo[29H,31H-phthalocyaninato(2-)-N29,N30,N31,N32]vanadium,中文别名为氧锐駄菁,CAS号为13930-88-6,分子式为C32H16N80V,带有刺激性的化工中间体,避免直接接触。摘要:四嚎吩为聚嗟吩类化合物,为平面结构,非常适合作为有机薄膜晶体管的诱导层。酰菁类化合物具有良好的光学特性,是重要的有机光学材料,尤其以駄菁氧飢为代表,駄菁氧筑具有较高的迁移率和开关比。真空蒸镀为现阶段比较常用用的薄

2、膜蒸镀方法。本实验采用真空蒸镀的方法对四喙吩及駄菁氧筑实现镀膜。之后采用原子力显微镜对其形貌进行观测。关键词:四嚏吩;真空蒸镀;駄菁氧锐一、研究方案有机薄膜晶体管的硅片衬底需分别经內酮、乙醇、蒸馅水擦拭及冲洗,清洗干净后,用氮气吹干,放入烘箱中30min,进行烘干处理。首先,蒸镀α-4T作为诱导层,衬底温度为室温,以更改其蒸镀速度及厚度,在真空度10~4pa下蒸镀有机诱导薄膜。然后蒸镀厚度10nm的VOPc,蒸镀速度为0.4nm/min的有机半导体层。通过原子力图观测蒸镀速度及厚度对其薄膜形貌的影响。薄

3、膜的形貌表征采用日本精工株式会社的SPA300HV原子力显微镜(AFM),SPI3800控制器,扫描方式为敲击模式(Tappingmode)o二、实验过程及分析2.1α-4T蒸镀速度对α-4T/V0Pc薄膜形貌的影响图1-图3为衬底温度3(TC下在Si02衬底上基于不同蒸镀速度的α-4T薄膜生长的蒸镀厚度10nm的VOPc,蒸镀速度为0.4nm/min薄膜的AFM形貌。随着蒸镀速度的增加,VOPc薄膜出现不同的生长机理。当α-4T薄膜的蒸镀速度为0.lnm/min时,

4、VOPc薄膜形貌点粒状,分布及其分散。当α-4T薄膜的蒸镀速度为0.3nm/min时,VOPc薄膜形貌仍然为点状,密集程度稍有增加,还未能达到最佳状态。当α-4T薄膜的蒸镀速度为0.5nm/min时,VOPc薄膜形貌薄膜形貌由点粒成团状,出现融合变大,分布及其平均,没有重叠现象并且十分致密。此时为VOPc薄膜最佳状态。2.2α-4T蒸镀厚度对α-4T/V0Pc薄膜形貌的影响蒸镀α-4T作为诱导层,衬底温度为30°C,以定其蒸镀速度为0.5nm/min在真空

5、度10-4〜10-5pa下蒸镀有机诱导薄膜。然后蒸镀厚度10nm的VOPc,蒸镀速度为0.4nm/min的有机半导体层。通过原子力图观测蒸镀速度对其薄膜形貌的影响。图4-图6为衬底温度3CTC下在Si02衬底上基于不同厚度的α-4T薄膜生长的蒸镀厚度10nm的VOPc,蒸镀速度为0.4nm/min薄膜的AFM形貌。随着蒸镀厚度的增加,VOPc薄膜出现不同的生长机理。当α-4T薄膜的蒸镀厚度为3nm时,VOPc薄膜形貌点粒状,分布及其分散。当α-4T薄膜的蒸镀厚度为5nm时,VOP

6、c薄膜形貌由点粒成团状,出现融合变大,分布及其平均,没有重叠现象并且十分致密。此时为VOPc薄膜最佳状态。当α-4T薄膜的蒸镀厚度为10nm时,VOPc薄膜形貌成大团状,由于分子团逐渐变大开始出现重叠现象。三、结束语在Si02衬底采用α-4T薄膜诱导生长VOPc薄膜,制作了α-4T/V0Pc有机薄膜晶体管。通过薄膜原子力图发现:基于不同蒸镀速度,不同厚度的α-4T薄膜生长的蒸镀VOPc薄膜时,α-4T薄膜的蒸镀速度为0.5nm/min,厚度为5nm时,薄膜

7、形貌成团状,出现融合变大,分布及其平均,没有重叠现象并且十分致密。α-4T/V0Pc薄膜呈现最佳状态。参考文献:[1]HMinemawari,TYamada,HMatsui,JTsutsumi,SHaas,RChiba,RKumai,THasegawa・Inkjetprintingofsingle-crystalfilms・Nature,2011,475(7356):364-367.[2]MMPayne,SRParkin,JEAnthony,CCKuo,TNJackson.OrganicField-Ef

8、fectTransistorsfromSolution-DepositedFunctionalizedAceneswithMobilitiesasHighas1cm2/Vs・J.Am.Chem・Soc,2005,127(14):4986-4987.[3]LQLi,QXTang,HXLi,XDYang,WPHu,YBSong,ZGShuai,WXu,YQLiu

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