浅析基于四噻吩诱导生长酞菁氧钒形貌研究

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1、浅析基于四噻吩诱导生长酞菁氧钒形貌研究酞菁氧化钒(IV)，英文名称为oxo[29H,31H-phthalocyaninato(2-)-N29,N30,N31,N32]vanadium，中文别名为氧钒酞菁，CAS号为13930-88-6，分子式为C32H16N8OV，带有刺激性的化工中间体，避免直接接触。　　摘要：四噻吩为聚噻吩类化合物，为平面结构，非常适合作为有机薄膜晶体管的诱导层。酞菁类化合物具有良好的光学特性，是重要的有机光学材料，尤其以酞菁氧钒为代表，酞菁氧钒具有较高的迁移率和开关比。真空蒸镀为现阶段比较

2、常用用的薄膜蒸镀方法。本实验采用真空蒸镀的方法对四噻吩及酞菁氧钒实现镀膜。之后采用原子力显微镜对其形貌进行观测。　　关键词：四噻吩;真空蒸镀;酞菁氧钒　　一、研究方案　　有机薄膜晶体管的硅片衬底需分别经丙酮、乙醇、蒸馏水擦拭及冲洗，清洗干净后，用氮气吹干，放入烘箱中30min，进行烘干处理。首先，蒸镀α-4T作为诱导层，衬底温度为室温，以更改其蒸镀速度及厚度，在真空度10-4pa下蒸镀有机诱导薄膜。然后蒸镀厚度10nm的VOPc，蒸镀速度为0.4nm/min的有机半导体层。通过原子力图观测蒸镀速度及

3、厚度对其薄膜形貌的影响。薄膜的形貌表征采用日本精工株式会社的SPA300HV原子力显微镜(AFM)，SPI3800控制器，扫描方式为敲击模式(Tappingmode)。　　二、实验过程及分析　　2.1α-4T蒸镀速度对α-4T/VOPc薄膜形貌的影响　　图1-图3为衬底温度30℃下在SiO2衬底上基于不同蒸镀速度的α-4T薄膜生长的蒸镀厚度10nm的VOPc，蒸镀速度为0.4nm/min薄膜的AFM形貌。随着蒸镀速度的增加，VOPc薄膜出现不同的生长机理。当α-4

4、T薄膜的蒸镀速度为0.1nm/min时，VOPc薄膜形貌点粒状，分布及其分散。当α-4T薄膜的蒸镀速度为0.3nm/min时，VOPc薄膜形貌仍然为点状，密集程度稍有增加，还未能达到最佳状态。当α-4T薄膜的蒸镀速度为0.5nm/min时，VOPc薄膜形貌薄膜形貌由点粒成团状，出现融合变大，分布及其平均，没有重叠现象并且十分致密。此时为VOPc薄膜最佳状态。　　2.2α-4T蒸镀厚度对α-4T/VOPc薄膜形貌的影响　　蒸镀α-4T作为诱导层，衬底温度

5、为30℃，以定其蒸镀速度为0.5nm/min在真空度10-4～10-5pa下蒸镀有机诱导薄膜。然后蒸镀厚度10nm的VOPc，蒸镀速度为0.4nm/min的有机半导体层。通过原子力图观测蒸镀速度对其薄膜形貌的影响。　　图4-图6为衬底温度30℃下在SiO2衬底上基于不同厚度的α-4T薄膜生长的蒸镀厚度10nm的VOPc，蒸镀速度为0.4nm/min薄膜的AFM形貌。随着蒸镀厚度的增加，VOPc薄膜出现不同的生长机理。当α-4T薄膜的蒸镀厚度为3nm时，VOPc薄膜形貌点粒状，分布及其分散

6、。当α-4T薄膜的蒸镀厚度为5nm时，VOPc薄膜形貌由点粒成团状，出现融合变大，分布及其平均，没有重叠现象并且十分致密。此时为VOPc薄膜最佳状态。当α-4T薄膜的蒸镀厚度为10nm时，VOPc薄膜形貌成大团状，由于分子团逐渐变大开始出现重叠现象。　　三、结束语　　在SiO2衬底采用α-4T薄膜诱导生长VOPc薄膜，制作了α-4T/VOPc有机薄膜晶体管。通过薄膜原子力图发现：基于不同蒸镀速度，不同厚度的α-4T薄膜生长的蒸镀VOPc薄膜时，&alp

7、ha;-4T薄膜的蒸镀速度为0.5nm/min，厚度为5nm时，薄膜形貌成团状，出现融合变大，分布及其平均，没有重叠现象并且十分致密。α-4T/VOPc薄膜呈现最佳状态。