晶圆划片工艺分析.doc

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1、·晶圆划片工艺分析·来源:中国IC技术交易网晶圆划片工艺已经不再只是把一个硅晶圆划片成单独的芯片这样简单的操作。随着更多的封装工艺在晶圆级完成,并且要进行必要的微型化,针对不同任务的要求,在分割工艺中需要对不同的操作参数进行调整。   例如,分割QFN封装需要具有可以切割柔性和脆性材料组成的复合基板的能力。MEMS封装则常常具有微小和精细的结构&mdashmdash;梁、桥、铰链、转轴、膜和其他敏感形态&mdashmdash;这些都需要特别的操作技术和注意事项。   在切割硅晶圆厚度低于100?,或者像GaAs这样的脆性材料时,又增添了额外的挑战

2、&mdashmdash;例如碎片、断裂和残渣的产生。像晶圆划线和切割,这两种将晶圆分割成单独芯片工艺中最常见的技术,通常是分别采用金刚石锯和金刚石划线工具完成的。2 激光技术的更新使激光划线和激光划片成为一种可行的选择,特别在蓝光LED封装和GaAs基板应用中。 ·晶圆划片工艺分析·来源:中国IC技术交易网晶圆划片工艺已经不再只是把一个硅晶圆划片成单独的芯片这样简单的操作。随着更多的封装工艺在晶圆级完成,并且要进行必要的微型化,针对不同任务的要求,在分割工艺中需要对不同的操作参数进行调整。   例如,分割QFN封装需要具有可以切割柔性和脆性材料组

3、成的复合基板的能力。MEMS封装则常常具有微小和精细的结构&mdashmdash;梁、桥、铰链、转轴、膜和其他敏感形态&mdashmdash;这些都需要特别的操作技术和注意事项。   在切割硅晶圆厚度低于100?,或者像GaAs这样的脆性材料时,又增添了额外的挑战&mdashmdash;例如碎片、断裂和残渣的产生。像晶圆划线和切割,这两种将晶圆分割成单独芯片工艺中最常见的技术,通常是分别采用金刚石锯和金刚石划线工具完成的。2 激光技术的更新使激光划线和激光划片成为一种可行的选择,特别在蓝光LED封装和GaAs基板应用中。   图1.采用标准UV胶

4、带的分割工艺流程图。   无论选择哪种分割工艺,所有的方法都需要首先将晶圆保护起来,之后进行切割,以保证进入芯片粘结工序之前的转运和存储过程芯片的完整性。其他的可能方法包括基于胶带的系统、基于筛网的系统以及采用其他粘结剂的无胶带系统。   工艺   标准的切割工艺中首先是将减薄的晶圆放置好,使其元件面朝下,放在固定于钢圈的释放胶带上。这样的结构在切割过程中可以保证晶圆,并且将芯片和封装继续保持在对齐的位置,方便向后续工艺的转运。工艺的局限来自于减薄晶圆的应用,在存储之后很难从胶带上取下晶圆,采用激光的话容易切到胶带,同时在切割过程中冷却水的冲击也

5、会对芯片造成损伤。   基于胶带的分割 图2.可处理200或300 mm晶圆的UV固化单元可以放置在桌子上,采用365 nm波长的激光每个小时可以处理50片晶圆。   采用基于胶带的系统时,需要重点考虑置放系统,以及所采用的条带类型是不是适合要切割的材料。对于框架置放系统来说有多种选择。SEC(Semiconductor Equipment Corporation)公司拥有晶圆/薄膜框架条带的两个模型,在受控的温度和气压参数下使用条带。ADT(Advanced Dicing Technologies)公司966型晶圆置放机是一款高产率自动置放系统

6、,可采用蓝膜和UV条带,放置操作均匀,并具有条带张力,可以消除空气气泡。该置放系统具有用于切割残留薄膜的环形切割刀,以及可编程的温度调整装置。Disco公司为封装和晶圆分割设计了不同的工具,包括切割锯、切割刀和切割引擎。   条带选择   所有的七个条带都由三部分组成&mdashmdash;塑料基膜,其上覆有对压力敏感的粘膜以及一层释放膜。在大部分应用中使用的条带分为两类:蓝膜(价格最低)和UV。蓝膜是用于标准硅晶圆的切割,有时在切割像GaAs这样更脆弱的基板时,也用于连接昂贵的UV条带。这类基板放置在一片双面UV条带上并切割到指定的尺寸,之后将

7、其放置到带有蓝膜的金属框架上。 图3.无顶针UV条带的操作流程。(图片来源:Adwill/Lintec)   选择了合适的条带之后,需要考虑固定钉、粘结剂和其他机械性能。目标是在切割过程中粘结足够强,可以保持芯片的位置,但也需要足够弱,可以在切割后芯片粘结工艺中方便地将芯片移走而不产生损坏。如果在切割过程中采用带有润滑剂的冷却剂,需要保证其中的添加剂不会与条带上的粘结剂发生反应,或者芯片不会从其位置上滑动。大部分条带的使用时间限于一年。之后,条带会逐渐丧失粘性。   UV条带提供两个层次的粘结:切割工艺中更强的粘结,之后为了易于剥离(图1)经UV

8、辐射固化后较弱的粘结。ADT的955型固化系统是一款设计紧凑,可以放置在桌上的系统,用于切割后对UV条带进行辐射,这样可以方便地将芯片剥

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