浅谈晶圆制造工艺过程.doc

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1、浅谈晶圆制造工艺过程　　晶圆制造工艺流程　　1、表面清洗　　2、初次氧化　　3、CVD(ChemicalVapordeposiTIon)法沉积一层Si3N4(HotCVD或LPCVD)。（1）常压CVD(NormalPressureCVD)（2）低压CVD(LowPressureCVD)（3）热CVD(HotCVD)/(thermalCVD)（4）电浆增强CVD(PlasmaEnhancedCVD)（5）MOCVD(MetalOrganicCVD)&分子磊晶成长(MolecularBeamEpi

2、taxy)（6）外延生长法(LPE)　　4、涂敷光刻胶（1）光刻胶的涂敷（2）预烘(prebake)（3）曝光（4）显影（5）后烘(postbake)（6）腐蚀(etching)（7）光刻胶的去除　　5、此处用干法氧化法将氮化硅去除　　　　6、离子布植将硼离子(B+3)透过SiO2膜注入衬底，形成P型阱　　7、去除光刻胶，放高温炉中进行退火处理　　8、用热磷酸去除氮化硅层，掺杂磷(P+5)离子，形成N型阱　　9、退火处理，然后用HF去除SiO2层　　10、干法氧化法生成一层SiO2层，然后LPC

3、VD沉积一层氮化硅　　11、利用光刻技术和离子刻蚀技术，保留下栅隔离层上面的氮化硅层　　12、湿法氧化，生长未有氮化硅保护的SiO2层，形成PN之间的隔离区　　13、热磷酸去除氮化硅，然后用HF溶液去除栅隔离层位置的SiO2，并重新生成品质更好的SiO2薄膜,作为栅极氧化层。　　14、LPCVD沉积多晶硅层，然后涂敷光阻进行光刻，以及等离子蚀刻技术，栅极结构，并氧化生成SiO2保护层。　　15、表面涂敷光阻，去除P阱区的光阻，注入砷(As)离子，形成NMOS的源漏极。用同样的方法，在N阱区，注入

4、B离子形成PMOS的源漏极。　　16、利用PECVD沉积一层无掺杂氧化层，保护元件，并进行退火处理。　　17、沉积掺杂硼磷的氧化层18、濺镀第一层金属（1）薄膜的沉积方法根据其用途的不同而不同，厚度通常小于1um。（2）真空蒸发法（EvaporaTIonDeposiTIon）（3）溅镀（SputteringDeposiTIon）　　19、光刻技术定出VIA孔洞，沉积第二层金属，并刻蚀出连线结构。然后，用PECVD法氧化层和氮化硅保护层。　　20、光刻和离子刻蚀，定出PAD位置　　21、最后进行退

5、火处理，以保证整个Chip的完整和连线的连接性　　晶圆制造总的工艺流程芯片的制造过程可概分为晶圆处理工序（WaferFabrication）、晶圆针测工序（WaferProbe）、构装工序（Packaging）、测试工序（InitialTestandFinalTest）等几个步骤。　　其中晶圆处理工序和晶圆针测工序为前段（FrontEnd）工序，而构装工序、测试工序为后段（BackEnd）工序。　　1、晶圆处理工序：本工序的主要工作是在晶圆上制作电路及电子元件（如晶体管、电容、逻辑开关等），其处

6、理程序通常与产品种类和所使用的技术有关，但一般基本步骤是先将晶圆适当清洗，再在其表面进行氧化及化学气相沉积，然后进行涂膜、曝光、显影、蚀刻、离子植入、金属溅镀等反复步骤，最终在晶圆上完成数层电路及元件加工与制作。　　2、晶圆针测工序：经过上道工序后，晶圆上就形成了一个个的小格，即晶粒，一般情况下，为便于测试，提高效率，同一片晶圆上制作同一品种、规格的产品；但也可根据需要制作几种不同品种、规格的产品。在用针测（Probe）仪对每个晶粒检测　　其电气特性，并将不合格的晶粒标上记号后，将晶圆切开，分割

7、成一颗颗单独的晶粒，再按其电气特性分类，装入不同的托盘中，不合格的晶粒则舍弃。　　3、构装工序：就是将单个的晶粒固定在塑胶或陶瓷制的芯片基座上，并把晶粒上蚀刻出的一些引接线端与基座底部伸出的插脚连接，以作为与外界电路板连接之用，最后盖上塑胶盖板，用胶水封死。其目的是用以保护晶粒避免受到机械刮伤或高温破坏。到此才算制成了一块集成电路芯片（即我们在电脑里可以看到的那些黑色或褐色，两边或四边带有许多插脚或引线的矩形小块）。　　4、测试工序：芯片制造的最后一道工序为测试，其又可分为一般测试和特殊测试，前

8、者是将封装后的芯片置于各种环境下测试其电气特性，如消耗功率、运行速度、耐压度等。经测试后的芯片，依其电气特性划分为不同等级。而特殊测试则是根据客户特殊需求的技术参数，从相近参数规格、品种中拿出部分芯片，做有针对性的专门测试，看是否能满足客户的特殊需求，以决定是否须为客户设计专用芯片。经一般测试合格的产品贴上规格、型号及出厂日期等标识的标签并加以包装后即可出厂。而未通过测试的芯片则视其达到的参数情况定作降级品或废品。