SIC9552 成品测试规范.pdf

《SIC9552 成品测试规范.pdf》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在行业资料-天天文库。

1、深爱半导体股份有限公司技术标准编号NO.：SI.T.S.TC02SpecificationofSisemi.版号Ver.：B标题:SIC9552/SIC9553/SIC9554/SIC9555成品测试规范Page1of2SIC9552/SIC9553/SIC9554/SIC9555ProductTestingSpecificationSIC9552/SIC9553/SIC9554/SIC9555(SOP8,7/DIP8,7)成品测试规范1、变更记录版本修订日期变更内容修改审核批准A2014-6-16初始规范周大伟B2016-03-11加入变更记录周大伟加入测试系统、程序、测

2、试板说明加入良率指标及质量检验要求测试电路改进（加入高压保护，高压放电回路）合并TC02ASIC955234成品测试规范和TC03ASIC9555成品测试规范。2、测试程序及测试板：测试系统：TR6850SQA8T862SIC9552_TR_V20SIC9552_HB_V20SIC9553_TR_V20SIC9553_HB_V20测试程序：SIC9554_TR_V20SIC9554_HB_V20SIC9554_TR_V20SIC9554_HB_V20DUT板：DUTboardforTR6500S_50118Qa8TDut05A-M2ALB板：SIC955X_TR_V20SI

3、C955X_HB_V203、质量检验要求：QA检测按成测标准测试，区间容许误差<1%。可靠性试验结果测试，基准电压和击穿电压区间容许误差<2%，漏电区间容许误差<25%，其他参数区间容许误差<5%。4、良率指标：报警良率：97%（产品测完后隔离，待工程师处理）暂停良率：82%（产品停止测试，待工程师处理)批准审核拟制周大伟ApprovalbyReviewedbyPreparedby深爱半导体股份有限公司技术标准编号NO.：SI.T.S.TC02SpecificationofSisemi.版号Ver.：B标题:SIC9552/SIC9553/SIC9554/SIC9555成品

4、测试规范SIC9552(A)/SIC9553(A)SIC9554(A)/SIC9555(A)ProductTestingSpecificationPage2of25、封装示意图、管脚说明、测试原理图：管脚号管脚名称描述1GND地2RADJ开路保护3//4VDD工作电源5，6DRN输出MOS管漏极7，8ISEN电流采样6、测试内容：(室温25℃测试）测BI测试要求单备项目符号测试条件序N#最小典型最大位注1PASS所有测试项测试通过----15开短路OS加流-100uA,测压-0.9-0.3V26MOS管击穿电VDSS闭合K2，K4，K6，K8，HV0加流10uA，测压500

5、600V37MOS管漏电流IDSS续上，HV0加压500V，测流。300nA48采样基准电压VISENK7闭合，LV1加压7.0V，LV0加压15.0V，LV2测压。390410mV5静态电流ISTLV0加压12.5V，测流。40150μA96工作电流IDDLV0加压15V，测流。80180μALV0加压12.5V，测流，记为IST1，LV0按0.2V上升，监7启动电压VST13.214.8V测电流IST2，当IST2/IST1>1.2时，VST=LV010LV0加压15V，测流，记为IDD1，LV0按0.2V下降，监测8欠压保护阈值VUVLO8.29.8V电流IDD2，当

6、IDD2/IDD1<0.8时，VUVLO=LV0911MOS管栅漏电IGSS闭合K7，LV0加压15V，LV2加压0V，测流。100nA1012VDD工作电压VDDMV0加压20V，LV0测压。15.818.2V闭合K1，K4，K5，MV0加压15V，LV09552(A)1418加压15V，LV3采集DRN脚电压，求出最小值LV3min，9553(A)8131113MOS管内阻RDSONΩRDSON=LV3min/((15V-LV3min)/R3）9554(A)599555(A)26工作频率闭合K1，K4，K5，MV0加压15V，LV0加压15V，TMU1214FOP36K

7、Hz测量振荡频率FOP。注：分选机应按测试BIN位分档。如分选机档位不足，按PASS，OS，PARA分档(可分多个档，测试失效数量多的参数分一档，少的可几个参数分一档)。批准审核拟制周大伟ApprovalbyReviewedbyPreparedby