电工电子技术 教学课件 作者 王锁庭 张翼翔 主编第9章 半导体三极管与放大电路.ppt

电工电子技术 教学课件 作者 王锁庭 张翼翔 主编第9章 半导体三极管与放大电路.ppt

ID:50489205

大小:2.12 MB

页数:73页

时间:2020-03-09

电工电子技术 教学课件 作者 王锁庭 张翼翔 主编第9章 半导体三极管与放大电路.ppt_第1页
电工电子技术 教学课件 作者 王锁庭 张翼翔 主编第9章 半导体三极管与放大电路.ppt_第2页
电工电子技术 教学课件 作者 王锁庭 张翼翔 主编第9章 半导体三极管与放大电路.ppt_第3页
电工电子技术 教学课件 作者 王锁庭 张翼翔 主编第9章 半导体三极管与放大电路.ppt_第4页
电工电子技术 教学课件 作者 王锁庭 张翼翔 主编第9章 半导体三极管与放大电路.ppt_第5页
资源描述:

《电工电子技术 教学课件 作者 王锁庭 张翼翔 主编第9章 半导体三极管与放大电路.ppt》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在教育资源-天天文库

1、半导体三极管的结构示意图如图03.1.01所示。它有两种类型:NPN型和PNP型。两种类型的三极管发射结(Je)集电结(Jc)基极,用B或b表示(Base)发射极,用E或e表示(Emitter);集电极,用C或c表示(Collector)。发射区集电区基区三极管符号第9章半导体三极管与放大电路9.1.1半导体三极管的结构与分类结构特点:•发射区的掺杂浓度最高;•集电区掺杂浓度低于发射区,且面积大;•基区很薄,一般在几个微米至几十个微米,且掺杂浓度最低。管芯结构剖面图9.1.2三极管的电流分配与放大作用三极管实现放

2、大作用的外部条件是:发射结正向偏置,集电结反向偏置。图9.3(a)为NPN管的偏置电路,即:UC>UB>UE,图9.3(b)为PNP管的偏置电路,满足:UE>UB>UC图9.3三极管具有放大作用的外部条件1.电流分配关系的测试图9.4所示为三极管各电极电流分配关系的测试电路,当我们改变电位器RP的阻值时,就可以改变基极电流IB,集电极电流IC和发射极电流IE也将随之改变,其实验结果如表9.1所示。图9.4电流分配关系测试电路表9.1三极管电流的测试数据IB/mA00.010.020.030.040.05IC/mA

3、0.011.091.983.074.065.05IE/mA0.011.102.003.104.105.102.电流测试数据分析(1)由表9.1容易得到:IE=IB+IC。(2)IC、IB间的关系。从表中第二列、第三列数据可知:≈100≈3.用表示三极管共发射极直流电流放大系数,即=4.用β表示三极管共发射极交流电流放大系数,即在工程计算时可认为≈β。ICmAAVVUCEUBERBIBECEB图9.5三极管特性曲线的测试电路9.1.3三极管的特性曲线+-+-bca1、输入特性曲线uCE1ViB(A)uBE(V)

4、204060800.40.8工作压降:硅管uBE0.6~0.7V,锗管uBE0.2~0.3V。死区电压,硅管0.5V,锗管0.2V。当uCE>1V时,三极管集电结的电场已足够大,可以把从发射区进入基区的电子绝大部分吸引到集电极,uCE对IB的影响可以忽略。当uCE>1V时,各条输入特性曲线基本重合。iB=f(uBE)

5、uCE=常数二、输出特性iC(mA)1234uCE(V)36912iB=020A40A60A80A100A此区域满足iC=iB称为线性区(放大区)。又称恒流区。当uCE大于一定的数值时

6、,iC只与iB有关,iC=iB。iC=f(uCE)

7、iB=常数iC(mA)1234uCE(V)36912iB=020A40A60A80A100A此区域中uCEuBE集电结正偏,iC不等于iB,失去放大作用。uCE0.3V称为饱和区。iC(mA)1234uCE(V)36912iB=020A40A60A80A100A此区域中:iB=0,iC=iCEO,uBE<死区电压,称为截止区。输出特性三个区域的特点:放大区:发射结正偏,集电结反偏。即:IC=IB,且IC=IB(2)饱和区:发射结

8、正偏,集电结正偏。即:UCEUBE,IB>IC,UCE0.3V(3)截止区:UBE<死区电压,IB=0,IC=ICEO0三极管具有两种作用:(1)三极管工作在放大区,以实现放大作用。用于放大电路(2)三极管工作在截止区或饱和区,相当于一个开关的断开或接通。用于开关电路!例:=50,UCC=12V,RB=47k,RC=3k当USB=-2V,2V,6V时,晶体管的静态工作点Q位于哪个区?当USB=-2V时:ICUCEIBUCCRBUSBCBERCUBEIB=0,IC=0Q位于截止区例:=50,UCC=1

9、2V,RB=47k,RC=3k当USB=-2V,2V,6V时,晶体管的静态工作点Q位于哪个区?ICUCEIBUCCRBUSBCBERCUBEUSB=2V时:Q处于放大区USB=6V时:例:=50,UCC=12V,RB=47k,RC=3k当USB=-2V,2V,6V时,问:晶体管工作于哪个区?ICUCEIBUCCRBUSBCBERCUBEQ位于饱和区,此时IC和IB已不是倍的关系。9.1.4三极管的主要参数1、电流放大系数β:iC=βiB2、极间反向电流iCBO、iCEO:iCEO=(1+β)iCBO3、

10、极限参数(1)集电极最大允许电流ICM:下降到额定值的2/3时所允许的最大集电极电流。(2)反向击穿电压U(BR)CEO:基极开路时,集电极、发射极间的最大允许电压。(3)集电极最大允许功耗PCM。9.2.1放大的实质:用较小的信号去控制较大的信号。9.2单管电压放大电路及工作原理(1)晶体管V。放大元件,(2)电源UCC和UBB。使晶体管的发射结正偏,集

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文

此文档下载收益归作者所有

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文
温馨提示:
1. 部分包含数学公式或PPT动画的文件,查看预览时可能会显示错乱或异常,文件下载后无此问题,请放心下载。
2. 本文档由用户上传,版权归属用户,天天文库负责整理代发布。如果您对本文档版权有争议请及时联系客服。
3. 下载前请仔细阅读文档内容,确认文档内容符合您的需求后进行下载,若出现内容与标题不符可向本站投诉处理。
4. 下载文档时可能由于网络波动等原因无法下载或下载错误,付费完成后未能成功下载的用户请联系客服处理。