直拉硅单晶生长工艺流程与原理.ppt

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1、（直拉法晶体硅生长流程与原理）直拉式单晶炉培训技术工艺部报告人：丁永生日期：2011.10.21培训内容一、直拉法单晶硅生长环境二、直拉式单晶炉基本结构三、直拉法单晶硅生长工艺步骤一、直拉硅单晶的生长环境高温环境的形成1、硅的熔点1420℃左右；2、主炉室内安装石墨加热器和保温材料（热场），低压大电流流过加热器产生高温，热量通过辐射加热石墨坩埚，由石墨坩埚加热石英坩埚和多晶硅料，达到熔化和结晶所需的温度。调节加热器功率以控制熔体温度；3、保温结构用于构成下热上冷的温度梯度，以及隔绝加热器对炉壁的热辐射直拉单晶炉主炉室及内部热系统概图单晶炉热场不同系统温度分布对比直拉单晶炉在气氛下拉晶1、真空

2、泵不断的对炉子抽气，形成真空；2、炉子各部件之间都有密封件，其中旋转部件之间采用磁流体密封；3、每炉生长之前通过用真空泵对炉子抽极限真空，（抽真空）关闭抽空阀门，测量炉内压力升高速度来判定炉子是否达到密闭要求；（检漏）单晶炉的真空度及真空的泄漏率对单晶硅生长至关重要！直拉单晶炉内部的气氛环境特征1、用高纯氩气保护（99.999%）；2、带走氧气等泄露进炉内的杂质，并带走熔液表面蒸发的SiO（流动性）；3、顶上充入，用真空泵从炉底抽气抽空管道上设置电动蝶阀以实现炉内压力的闭环控制（保护性气体的流向）；4、气体进入真空泵之前经过过滤罐将杂质粉尘分离，减少对泵油的污染（过滤罐的作用）；顺畅气流流动

3、对单晶硅生长非常重要！直拉单晶炉热系统及气氛流动示意图单晶炉对外界环境的要求直拉单晶炉上轴（软轴）对环境的要求直拉单晶炉软轴长度约4-5m，直径2.5mm；在炉子顶上有一个旋转的缆车机构（提拉头）拉晶时不停旋转并缓慢的卷动钢缆提升单晶棒；要求：1、提拉头安装在水平的炉顶上；2、提拉头自身旋转平稳，动平衡；3、炉子可靠的座在基础上，地脚螺栓拉紧；4、基础四周隔震，无机械振动；5、软轴与炉子的旋转轴线；直拉单晶炉下轴（坩埚轴）对环境的要求1、坩埚通过一根约1m长的硬轴（石墨）支撑并旋转上升，熔液盛在石英坩埚内；2、石墨埚杆通过螺丝固定在单晶炉下轴上；（硬轴固定在坩埚提升机构上）3、坩埚提升机构导

4、轨和丝杠要平顺；4、带动的硬轴旋转要平稳；5、冷炉时硬轴上端放一盆水，坩埚提升机构运行时水面无明显波纹（机械调试时的一个方法）；单晶炉底座及地基和震源的隔离外界震源包含：1、真空泵运行振动（措施：真空泵下用弹簧座主动隔震真空泵远离炉子）2、基础所处土壤表层振动（措施：基础四周挖减震槽隔离）3、基础所处土壤深层振动（措施：1、混凝土基础座在实土层2、混凝土基础不宜过高）二、直拉单晶炉的基本结构晶体提升旋转机构副炉室隔离阀室（翻板阀室）炉盖主炉室控制柜坩埚提升旋转机构单晶炉的主要组成部分1、炉体（基座、炉室、炉盖、液压系统）2、晶体升降及旋转机构3、坩埚升降及旋转机构4、氩气和真空系统5、加热系

5、统（加热电源、热场）6、冷却系统7、控制系统炉体1、基座配合水平调整和防震设施为晶体提供良好的生长环境；2、主炉室是晶棒生长的地方；副炉室是晶棒冷却的地方；3、通过炉盖观察窗（主视窗、CCD窗）监控晶体生长全过程；4、液压系统控制炉室打开与复位。炉体调试重点：1、炉子达到密闭性要求、极限真空和漏率合格；2、调整调平垫块使炉底板达到水平度要求；3、拧紧地脚螺栓；4、液压系统运行平稳，限位调整，定位销检查。炉体（炉体由基座、炉室、炉盖及液压系统组成）单晶体/坩埚升降及旋转机构1、快慢双电机结构：提高拉速控制精度；实现易挥发杂质的掺杂；2、配重块合理配重：保证了晶体旋转时的动态平衡；3、上/下轴旋

6、转的作用：固液界面热对称的获得；晶体断面良率的提高；4、行程传感器：长度的测量可把握剩料，做到及时收尾。单晶炉晶体提拉部分称重部件配重块旋转伺服电机快速升降电机慢速升降电机光电编码计行程单晶炉晶体提拉部分（功能结构示意）晶体/坩埚旋转传动机构调试重点1、晶体、坩埚慢速电机和旋转电机速度标定，方向正确；2、晶体、坩埚快速电机方向正确；3、依照热场高度调节晶体、坩埚限位；4、调整提拉头水平；5、调整坩埚轴上端面水平；6、用对中套调整坩埚轴对中；7、用对中尖和对中盘调整钢缆对中；8、标定晶体、坩埚的计程；9、标定称重。氩气及真空系统部分系统组成1、氩气分流控制：三阀系统（氩气分流环（京运通单晶炉只

7、是转子流量计））；2、炉压控制：节流阀；3、真空测量：不同量程真空计检测真空；4、真空泵组：副泵用于隔离操作，主泵用于正常拉晶。单晶炉加热系统示意图单晶炉热系统单晶炉热系统实物图内（石英护套）/外（石墨护套）单晶炉热系统的材料构成及要求1、加热器是热系统的主体，用高纯石墨制成，它是系统的热源。保温系统用石墨制成，也有碳素纤维、碳毡、和高纯石墨混合组成；2、热场内要提供通畅的气流通道，并使气流流过生长区域液面；