Zn、Cu掺杂AlN纳米结构的制备及发光性能的研究.pdf

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2、ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ研巧生巧名张伟博学科？凝聚态物理１、专业物理学；？＾＇研巧方向半导体光电材料诗．１Ｊ，？，学位级别硕±导师姓名、职称吴志国副教授文了作賴Ｓ鱗人起止年月２０１２年９月至２０１５年６月與片论文提交日期２０１５年４月论文答辩日期２０１５年５月学位授予日期，、片—；巧．ｆ；簡概：甘肃省兰州市／＃决备．為哉％．’；嘗－讀银振義眷如Ｖ於續齡；、；）遞辑款，＾＿蒙八於，，．；．赫取资轿八原创性声明本人郑重声明：本人所呈交的学位论文，是在导

3、师的指导下独立进行研究所取得的成果。学位论文中凡引用他人己经发表或未发表的成果、数据、观点等，均己明确注明出处。除文中己经注明引用的内容外，不包含任何其他个人或集体已经发表或撰写过的科研成果。对本文的研究成果做出重要贡献的个人和集体，均己在文中Ｗ明确方式标明。本声明的法律责任由本人承担。论文作者签名．文等：珠冷４日親刘支Ｉ关于学位论文使用授权的声明本人在导师指导下所完成的论文及相关的职务作品，知识产权归属兰娜大学，。本人完全了解兰州大学有关保存、使用学位论文的规定同意学校保存或向国家有关部口或机构送交论文的纸质版

4、和电子版，允许论文被查阅和借阅；本人授权兰州大学可ｉｉｉ将本学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索，可＾１＾采用任何复制手段保存和汇编本学位论文。本人离校后发表、使用学位论文或与该论文直接相关的学术论文或成果时一，第署名单位仍然为兰州大学。本学位论文研巧内容：□可公开□不宜公开，已在学位办公室办理保密申请，解密后适用本授权书。上选项内选择其中一＂＂（请在Ｗ项打Ｖ）论文作者签名：导师签名：朵公句日期：方日期：７＾１＾．ｒ．３／Ｚｎ、Ｃｕ渗杂ＡＩＮ纳米结构的制备及发光性能的研究中文摘要Ａ１Ｎ作为

5、第Ｈ代半导体材料的代表，其６．２ｅＶ的特宽带隙使其在发光器件的应用方面引起了人们极大的关注。但是，由于制备Ａ１Ｎ材料较困难，所需的条件较严苛，因此限制了它的发展。同时，为了提高Ａ１Ｎ材斜的性能，通常对其。慘杂不同的元素，来满足不同方面的需求本文采用ＣＶＤ的方法，通过改变实验中的可控参数，获得了Ａ１Ｎ最佳的生长条件。同时研巧了对Ａ１Ｎ慘杂不同的。：元素时，其形貌和性能的变化主要的研巧内容如下（１）无水氯化轉为惨杂源制备Ｚｎ渗杂Ａ１Ｎ样品。与未惨杂样品相比，Ｚｎ的合入促进了Ａ。ＰＬ光谱显示，样品１Ｎ的表面扩散但却抑制了其纵

6、向生长速度在紫外光区展现了很好的发光性能。将样品在高温下进行退火处理，所得ＰＬ光谱证明２７２ｎｍ的发光峰与Ｚｎ有关。通过改变ＮＨ３流量，发现３０ｓｃｃｍ流量值下，样品具有最高的结晶度和发光强度，Ｚｎ渗杂量的改变影响了与。同样的条件下氧相关的缺陷能级，改变了峰之间的相对强度。（２）纳米锋粉为渗杂源制备Ｚｎ渗杂Ａ１Ｎ样品。生长温度显著的改变了纳米结构的表面形貌和尺寸。Ｚｎ的渗杂引入了新的缺陷和杂质能级，在紫外区有效的调节了。Ａ１Ｎ的发光波长，同时导致峰位和峰的相对强度发生改变而Ｓｉ片的放置角度也影响了Ｚｎ的渗杂，平行放置更有利

7、于Ｚｎ的合入。（３）无水ＣｕＣｋ为渗杂源制备Ｃｕ慘杂ＡＩＮ样品。样品在可见光波段表现出了良好的发光性能。探讨了生长温度、惨杂量、ＮＨｓ／Ａｒ流量比对样品的形貌和发光的影响。生长湿度和ＭＶＡｒ流量比对Ｃｕ的渗入起了重要的作用。当Ｃｕ渗杂量比较大时，样品中出现了合金相ＡｌＣｕ，导致晶体中铅空位增多，进而影响了各个发光峰之间的相对强度。关键词：纳米结构，惨杂改性，光致发光ＩＳｎｔｈｅｓｉｓａｎｄｈｏｔｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅｏｆＺｎＣｕｄｏｅｄＡＩＮｙｐ，ｐｎａｎｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅＡｂｓｔｒａｄＡｓ

8、ｔｈｅｒｅｒｅｓｅｅｏｆｔｔｈｉｒｅｉｏｏｆｓｅｍｉｃｏｎｄｔｏｒｍｒｉａ