DES技术发展介绍.ppt

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1、DES技術介紹講議大綱流程介紹製程原理品質控制異常及對策細線路製程發展方向結語前言“減成法”（Tenting&Etching）即保留需要的而去除不需要的加工方法;而與之對應“加成法”（additiveprocess）即將為將需要的部分添加上去的加工方法.目前葉界(包括PCB與FPC)絕大多數的生產仍以傳統的“減成法”為生產方式.在“減成”的製程中,DES作為線路形成(“減成”)的關鍵製程,一直是製程中的瓶頸.DES的製程能力直接決定了全製程的製程能力。因此，改善和提昇DES的製程能力，亦是改善和提昇全製程製程能力的前提。第一部份-流程介紹

2、(一)DES全流程干膜來料顯影水洗蝕刻水洗剝膜水洗化學洗水洗烘乾轉CVL第一部份-流程介紹(一)顯影：顯影前段顯影後段水洗１水洗２吸干冷風吹干熱風烘干顯影前段：未感光干膜在此產生溶漲。顯影後段：未感光干膜在此被顯影液溶解帶走。二次水洗：防止顯影液及干膜污染板面。吸干：主要吸干板面水分和孔內部分水分。冷風吹干：主要吹脫板面水分和孔內部分水分。熱風烘干：烘乾板面水分和孔內水分。第一部份-流程介紹(二)蝕刻：蝕刻水洗蝕刻：形成線路。水洗:防止蝕刻液殘留板面造成污染。第一部份-流程介紹(三)剝膜：剝膜水洗酸洗水洗冷風吹干熱風烘干剝膜:剝去板面干膜

3、。水洗:防止上流程藥液殘留板面造成污染。酸洗:中和剝膜鹼液。第二部分-制程原理（顯影）D/FCCLPI+ADA/WorMASKUVLIGHTD/FCCLPI+ADPI+ADCCLD/F顯影流程示意圖曝光顯影蝕刻剝暯基材乾膜曝光之乾膜銅箔DES流程示意圖第二部分-制程原理（顯影）在前面干膜製程的介紹里我們已經了解干膜係由一種負型自由基式的聚合物組成.未經過曝光光線照射並發生聚合反應之干膜之主要成分:Resist-COOH與顯影液的主要成分CO32－發生如下的反應:Resist-COOH+CO32－HCO3－+Resist-COO-本反應實際

4、為一種皂化作用，故於程中會產生類似肥皂狀的泡沫,未聚合之干膜中負型自由基式的聚合物溶入溶液H20+CO32-HCO3-+OH–反應的平衡式為:K=[HCO3-][OH-]/[CO32-]PH=14+log｛K．[CO32-]/[HCO3-]｝第二部分:製程原理(顯影)為掌握顯影之品質，製程中需嚴格控制[CO32-]/[HCO3-]的濃度比值(PH值控制)，以得最佳之線路顯影效果,亦即可以通過控制PH值進而控制顯影之效果.生產中所需的CO32-通常由Na2CO3來提供,並通過更換槽液來維持顯影液中的[CO32-]/[HCO3-]濃度比值——

5、這也是我們生產中保持每生產固定量產品需換槽的原因.當然,隨著工藝的更新,以的K2CO3代替Na2CO3用于顯影也逐步為行業所接受.K2CO3顯影相對於Na2CO3有著許多優點,在顯影品質上和操作上均較Na2CO3容易控制,以K2CO3顯影容易完成顯影液的自動添加.但是在生產成本上K2CO3顯影高于Na2CO3顯影.第二部分:製程原理(顯影)K2CO3與Na2CO3比較如下：對照項目K2CO3自動添加Na2CO3控制添加方式以PH值自動控制依照生產板數換槽控制顯影點固定60~62%變動48~60%配槽濃縮液體粉末主槽配槽頻率1次/5000m

6、290次/1個月添加槽配槽頻率每月45次每月180次清槽頻率5000m21次每月多次停線管理每5000m22～4小時45小時以上每月槽液管理每周校正一次方便管理因配置當槽次數多,變數大粘稠懸浮物及硬水污垢沒有許多軟水減少到1/3~1/4廢液量54.6噸270噸產量增加20%第二部分:製程原理(蝕刻)蝕刻的原理是:利用氧化-還原反應(主要酸性蝕刻)或者是絡合反應(主要鹼性蝕刻)消耗無抗蝕刻層(Resist)之板面銅層,剩下所需線路銅層.反應的方程式如下:酸性蝕刻:Cu°+Cu2+→2Cu+-------------------(1)鹼性蝕刻

7、:為何富葵不用鹼性蝕刻?第二部分:製程原理(蝕刻)在鹼性環境溶液中，銅離子非常容易形成氫氧化銅之沉澱，需加入足夠的氨水使產生氨銅的錯離子團，則可抑制其沉澱的發生，同時使原有多量的銅及繼續溶解的銅在液中形成非常安定的錯氨銅離子，此種二價的氨銅錯離子又可當成氧化劑使零價的金屬銅被氧化而溶解，不過氧化還原反應過程中會有一價亞銅離子)出現;鹼性蝕刻反應之中間態亞銅離子之溶解度很差，必須輔助以氨水、氨離子及空氣中大量的氧使其繼續氧化成為可溶的二價銅離子，而又再成為蝕銅的氧化劑週而復始的繼續蝕銅直到銅量太多而減慢為止。故一般蝕刻機之抽風除了排除氨臭外

8、更可供給新鮮的空氣以加速蝕銅。因為鹼性蝕刻主要用于以電鍍層(PLATEDRESIST)為抗蝕刻層的PCB外層線路的生產,在這裡不做過多描述.第二部分:製程原理(蝕刻)a.CuCl2酸性蝕刻反應