基于ARM的硬件系统设计.ppt

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1、3CHAPTER基于ARM的硬件系统设计本节提要132546基于ARM的硬件系统体系结构存储器接口设计网络接口设计I/O接口设计人机交互接口设计其它通讯接口设计ARM920T内核结构S3C2410的内部结构实验平台的体系结构2410核心资源总线隔离驱动168Pin扩展槽网卡设备LCD驱动音频电路串口设备USB设备PCMCIAIDE/CF卡SD卡接口IO扩展电机等其他资源局部总线扩展总线读写总线的时序图稳态ReadWrite稳态本节提要132546基于ARM的硬件系统体系结构存储器接口设计网络接口设计I/O接口设计人机交

2、互接口设计其它通讯接口设计存储器系统寄存器高速缓存SRAM主存储器DRAM本地存储器Flash、ROM、磁盘网络存储器Flash、ROM、磁盘时钟周期01—1050—10020000000分层结构存储器种类RAM：随机存取存储器，SRAM：静态随机存储器，DRAM：动态随机存储器1）SRAM比DRAM快2）SRAM比DRAM耗电多3）DRAM存储密度比SRAM高得多4）DRM需要周期性刷新ROM：只读存储器EPROMEEPROMFLASH：闪存闪速存储器(FLASH)相对传统的EPROM芯片，这种芯片可以用电气的方法快速

3、地擦写由于快擦写存储器不需要存储电容器，故其集成度更高，制造成本低于DRAM它使用方便，既具有SRAM读写的灵活性和较快的访问速度，又具有ROM在断电后可不丢失信息的特点，所以快擦写存储器技术发展十分迅速NOR技术NOR技术闪速存储器是最早出现的FlashMemory，目前仍是多数供应商支持的技术架构，它源于传统的EPROM器件。与其它FlashMemory技术相比，具有可靠性高、随机读取速度快的优势。在擦除和编程操作较少而直接执行代码的场合，尤其是代码（指令）存储的应用中广泛使用。由于NOR技术FlashMemory的

4、擦除和编程速度较慢，而块尺寸又较大，因此擦除和编程操作所花费的时间很长，在纯数据存储和文件存储的应用中，NOR技术显得力不从心。NAND技术NAND技术FlashMemory具有以下特点：以页为单位进行读和编程操作，1页为256或512字节；以块为单位进行擦除操作，1块为4K、8K或16K字节。具有快编程和快擦除的功能，其块擦除时间是2ms；而NOR技术的块擦除时间达到几百ms。数据、地址采用同一总线，实现串行读取。随机读取速度慢且不能按字节随机编程。芯片尺寸小，引脚少，是位成本(bitcost)最低的固态存储器，突破了

5、每兆字节1元的价格限制。芯片包含有失效块，其数目最大可达到3~35块（取决于存储器密度）。失效块不会影响有效块的性能，但设计者需要将失效块在地址映射表中屏蔽起来。基于NAND的存储器可以取代硬盘或其它块设备。常见的存储器扩充装置CF扩充装CompactFlash所有WindowsCE支持常见的存储器扩充装置SD扩充装置（SecureDigital）PanasonicScandiskToshiba常见的存储器扩充装置MemoryStickSony2410的存储器系统—可通过软件选择大小端—地址空间:每个Bank128Mby

6、tes(总共1GB)—除bank0(16/32-bit)外，所有的Bank都可以通过编程选择总线宽度=(8/16/32-bit)—共8个banks6个Bank用于控制ROM,SRAM,etc.剩余的两个Bank用于控制ROM,SRAM,SDRAM,etc.—7个Bank固定起始地址；—最后一个Bank可调整起始地址；—最后两个Bank大小可编程—所有Bank存储周期可编程控制；S3C2410的存储器配置Bank6/Bank7地址分布Bank0总线宽度配置与2片8位的ROM连接方法与1片16位的ROM连接S3C2410与2

7、片8的FLASH的连接方法与1片16M的SDRAM的连接方法与1片16M的SDRAM的连接方法NAND和NOR——性能比较NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术NOR的读速度比NAND稍快一些NAND的写入速度比NOR快很多NAND的擦除速度远比NOR的快大多数写入操作需要先进行擦除操作NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少接口差别NORflash带有SRAM接口，线性寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节NANDflash使用复用接口和控制IO多次寻址存取数据NAND读和写操作采用512字节的块，这

8、一点有点像硬盘管理，此类操作易于取代硬盘等类似的块设备容量和成本NANDflash生产过程更为简单，成本低常见的NORflash为128KB～16MB，而NANDflash通常有8～128MBNOR主要应用在代码存储介质中，NAND适合于数据存储NAND在CompactFlash、SecureDigital、PCCa