数字电子技术基础 教学课件 作者 杨碧石 数字第2章.ppt

《数字电子技术基础 教学课件 作者 杨碧石 数字第2章.ppt》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在应用文档-天天文库。

1、第2章门电路2.2半导体器件的开关特性2.3分立元件门电路2.4TTL集成门电路2.5CMOS集成门电路2.1概述获得高、低电平的基本方法：利用半导体开关元件的导通、截止（即开、关）两种工作状态。逻辑0和1：电子电路中用高、低电平来表示。2.2.1、二极管开关特性逻辑门电路：用以实现基本和常用逻辑运算的电子电路。简称门电路。基本和常用门电路有与门、或门、非门（反相器）、与非门、或非门、与或非门和异或门等。二极管符号：正极负极＋uD－2.1概述2.2半导体器件的开关特性uououi＝0V时，二极管截止，如同开关断开，uo＝0V。ui＝5V时，

2、二极管导通，如同0.7V的电压源，uo＝4.3V。二极管的反向恢复时间限制了二极管的开关速度。Ui<0.5V时，二极管截止，iD=0。Ui>0.5V时，二极管导通。2.2.2、三极管的开关特性＋－RbRc+VCCbce＋－截止状态饱和状态iB≥IBSui=UIL<0.5Vuo=+VCCui=UIHuo=0.3V＋－RbRc+VCCbce＋－＋＋－－0.7V0.3V饱和区截止区放大区②ui=0.3V时，因为uBE<0.5V，iB=0，三极管工作在截止状态，ic=0。因为ic=0，所以输出电压：①ui=1V时，三极管导通，基极电流：因为0

3、IBS，三极管工作在饱和状态。输出电压：uo＝UCES＝0.3V2.2.3MOS管的开关特性工作原理电路转移特性曲线输出特性曲线uiuiGDSRD+VDDGDSRD+VDDGDSRD+VDD截止状态uiUTuo≈02.3分立元件门电路1、二极管与门Y=AB2、二极管或门Y=A

4、+B3、三极管非门①uA＝0V时，三极管截止，iB＝0，iC＝0，输出电压uY＝VCC＝5V②uA＝5V时，三极管导通。基极电流为：iB＞IBS，三极管工作在饱和状态。输出电压uY＝UCES＝0.3V。三极管临界饱和时的基极电流为：①当uA＝0V时，由于uGS＝uA＝0V，小于开启电压UT，所以MOS管截止。输出电压为uY＝VDD＝10V。②当uA＝10V时，由于uGS＝uA＝10V，大于开启电压UT，所以MOS管导通，且工作在可变电阻区，导通电阻很小，只有几百欧姆。输出电压为uY≈0V。2.4.1TTL与非门的工作原理典型TTL与非门电路

5、2.4TTL集成门电路①输入级。由多发射极管V1和电阻R1组成，其作用是对输入变量A、B、C实现逻辑与，所以它相当一个与门。多射极管V1的结构如图3-2(a)所示，其等效电路如图3-2(b)所示。设二极管V1~V4的正向管压降为0.7V，当输入信号A、B、C中有一个或一个以上为低电平(0.3V)时，UP1=1V，Uc=0.3V；当A、B、C全部为高电平(3.6V)时，UP1=4.3V，Uc=3.6V。可见，仅当所有输入都为高时，输出才为高，只要有一个输入为低，输出便是低，所以起到了与门的作用。图3-2多射极晶体管的结构及其等效电路②中间级

6、。由V2、R2、R3组成，在V2的集电极与发射极分别可以得到两个相位相反的电压，以满足输出级的需要。③输出级。由V3、V4、V5和R4、R5组成，这种电路形式称推拉式电路，它不仅输出阻抗低，带负载能力强，而且可以提高工作速度。1.输入全部为高电位(3.6V)当输入端全部为高电位3.6V时，由于V1的基极电压Ub1最多不能超过2.1V(Ub1=Ubc1+Ube2+Ube5)，所以V1所有的发射结反偏；这时V1的集电结正偏，V1管的基极电流Ib1流向集电极并注入V2的基极，此时的V1是处于倒置(反向)运用状态(把实际的集电极用作发射极，

7、而实际的发射极用作集电极)，其电流放大系数β反很小(β反＜0.05)，因此Ib2=Ic1=(1+β反)Ib1≈Ib1，由于Ib1较大足以使V2管饱和，且V2管发射极向V5管提供基流，使V5也饱和，这时V2的集电极压降为这个电压加至V3管基极，可以使V3导通。此时V3射极电位Ue3=Uc2-Ube3≈0.3V，它不能驱动V4，所以V4截止。V5由V2提供足够的基流，处于饱和状态，因此输出为低电位：2.输入端至少有一个为低电位(0.3V)当输入端至少有一个为低电位(0.3V)时，相应低电位的发射结正偏，V1的基极电位Ub1被钳在1V，因而使V

8、1其余的发射结反偏截止。此时V1的基极电流Ib1经过导通的发射结流向低电位输入端，而V2的基极只可能有很小的反向基极电流进入V1的集电极，所以Ic1≈0，但V1的基流Ib1很大，