EBL基本组成及工作原理.ppt

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1、宋晨之20150202EBL基本结构与工作原理EBL=ElectronBeamLithography=电子束光刻一、电子束曝光系统结构column电子源的分类直热式W，2700K热发射电子源旁热式LaB6，1800K电子源热场发射ZrO/W，1800K场发射电子源冷场发射四种电子源对比电子源三个关键参数：有效源尺寸，亮度，电子能量分布热发射源能量分布大，聚焦斑束大，产生严重相差。冷场致发射稳定性差，对真空要求高。故EBL系统选用热场致发射源。旁热式&热场致电子源结构示意图阳地超高电场阴阴阳EBL中电子源结构示意图几个牌子的EBL性能参数二次电子探测器DetectorIl

2、lustrationswithdifferentsignalsourcesImagingbymeansofSE2detector:>5mmWDImagingbymeansofInlensdetector:<=10mmWD(dependingonhighvoltagesetting)ImagingbymeansofBSEdetector:8-10mm(OptimumoftheBSelectrondetection)InfluenceofAccelerationVoltageInfluenceofBeamCurrentInfluenceofWorkingDistance二、

3、坐标系的对准建立坐标系写场对准三、曝光扫描模式ExposureparameterAreadoseLinedoseDotdoesAreamodeLinemodeCirclemodeExposurestrategiesUsedbyRaith四、临近效应VisualizationofEnergyDepositionGrid(EDG)高能电子打断PMMA内高分子链示意图前散射和背散射随PMMA厚度的变化关系MonteCarloSimulationsEnergydepositionProximityfunctiontrajectoriesenergydepositionenerg

4、ydistributiondoubleGaussianProximityfunctionproximityfunctionhasthesameshapeasenergydistributionwithrespecttolateraldistancesbut:nodirectrelationbetweenenergyandPE!(it’sjustamodel)Influenceofbeamenergyonscattering互利才能共赢！Thankyou！