现代电工电子技术 教学课件 作者 申永山 李忠波 06第六章 常用半导体器件.ppt

现代电工电子技术 教学课件 作者 申永山 李忠波 06第六章 常用半导体器件.ppt

ID:50190967

大小:809.50 KB

页数:33页

时间:2020-03-09

现代电工电子技术 教学课件 作者 申永山 李忠波 06第六章 常用半导体器件.ppt_第1页
现代电工电子技术 教学课件 作者 申永山 李忠波 06第六章 常用半导体器件.ppt_第2页
现代电工电子技术 教学课件 作者 申永山 李忠波 06第六章 常用半导体器件.ppt_第3页
现代电工电子技术 教学课件 作者 申永山 李忠波 06第六章 常用半导体器件.ppt_第4页
现代电工电子技术 教学课件 作者 申永山 李忠波 06第六章 常用半导体器件.ppt_第5页
资源描述:

《现代电工电子技术 教学课件 作者 申永山 李忠波 06第六章 常用半导体器件.ppt》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在教育资源-天天文库

1、第六章常用半导体器件龚淑秋李忠波制作1第六章常用半导体器件§6.1PN结§6.2半导体二极管§6.3二极管电路§6.4稳压二极管§6.5半导体三极管下一页上一页首页26.1.1半导体的基本知识导体、半导体和绝缘体导体:自然界中很容易导电的物质称为导体,金属一般都是导体,如铁、铜、铝等。绝缘体:有的物质几乎不导电,称为绝缘体,如橡皮、陶瓷、塑料和石英。半导体:另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘体之间,称为半导体,如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等。半导体的导电机理不同于其它物质,其特点为:当受外界热和光的作用时,它的导电能力明显变化。往纯净半导

2、体中掺入某些杂质,会使其导电能力明显改变。§6.1PN结下一页上一页首页36.1.2本征半导体GeSi在绝对零度以下,本征半导体中无活跃载流子,不导电用的最多的半导体是硅和锗,最外层电子(价电子)都是四个。本征半导体:完全纯净的、结构完整的半导体晶体。形成共价键后,每个原子最外层电子是八个,构成稳定结构。+4+4+4+4共价键结构束缚电子下一页上一页首页46.1.3杂质半导体在本征半导体中掺入某些微量的杂质,就会使半导体的导电性能发生显著变化。其原因是掺杂半导体的某种载流子浓度大大增加。P型半导体:在硅或锗晶体中掺入少量的三价元素,如硼(或铟)而形

3、成,也称为(空穴半导体)。N型半导体:在硅或锗晶体中掺入少量的五价元素磷(或锑)而形成。也称为(电子半导体)。+4+4+5+4多余电子磷原子++++++++++++++++++++++++N型半导体N型半导体中的载流子是什么?自由电子为多数载流子(多子)空穴称为少数载流子(少子)++++++++++++++++++++++++N型半导体自由电子为多子空穴是多子------------------------P型半导体杂质型半导体多子和少子的移动都能形成电流。但由于数量的关系,起导电作用的主要是多子。近似认为多子与杂质浓度相等。下一页上一页首页5P型

4、半导体N型半导体扩散运动内电场E漂移运动扩散的结果是使空间电荷区逐渐加宽,空间电荷区越宽。内电场越强,就使漂移运动越强,而漂移使空间电荷区变薄。空间电荷区,也称耗尽层。§6.1PN结6.1.4PN结的形成------------------------++++++++++++++++++++++++所以扩散和漂移这一对相反的运动最终达到平衡,相当于两个区之间没有电荷运动,空间电荷区的厚度固定不变。66.1.5PN结的单向导电性PN结外加正向电压:P区接正、N区接负电压PN结加上反向电压:P区加负、N区加正电压PNPN内电场外电场变薄结论:PN结导通

5、内电场外电场变厚结论:PN结截止下一页上一页首页7§6.2半导体二极管一、基本结构PN结加上管壳和引线,就成为半导体二极管。引线外壳线触丝线基片点接触型PN结面接触型PN二极管的电路符号:6.3PN二、伏安特性UI死区电压硅管0.6V,锗管0.2V。导通压降:硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。反向击穿电压UBR下一页上一页首页8三、主要参数1.最大整流电流IOM二极管长期使用时,允许流过二极管的最大正向平均电流2.反向击穿电压UBR二极管反向击穿时的电压值。击穿时反向电流剧增,二极管的单向导电性被破坏,甚至过热而烧坏。手册上给出的最高反向

6、工作电压UWRM一般是UBR的一半。6.2下一页上一页首页3.反向电流IR指二极管加反向峰值工作电压时的反向电流。反向电流大,说明管子的单向导电性差,其值越小越好。反向电流受温度的影响,温度越高反向电流越大。硅管的较小,锗管的要比硅管大几十到几百倍以上均是二极管的直流参数,利用它的单向导电性,主要应用于整流、限幅、保护等等。下面介绍两个交流参数。94.微变电阻rDiDuDIDUDQiDuDrD是二极管特性曲线上工作点Q附近电压的变化与电流的变化之比:显然,rD是对Q附近的微小变化区域内的电阻。6.2下一页上一页首页10二极管:死区电压=0.5V

7、,正向压降0.7V(硅二极管)理想二极管:死区电压=0,正向压降=0RLuiuouiuott二极管的应用举例1:二极管半波整流6.3下一页上一页首页§6.3二极管电路11二极管的应用举例2:tttuiuRuoRRLuiuRuo6.3下一页上一页首页126.4.1稳压二极管§6.4稳压二极管6.4+符号:稳压管是一种特殊的二极管,它专门工作在反向工作区I特性曲线:工作区UZUIZ曲线越陡,电压越稳定。+稳定电压UZ下一页上一页首页13(4)稳定电流IZ、最大、最小稳定电流Izmax、Izmin。(5)最大允许功耗稳压二极管的参数:(1)稳定电压UZ

8、(2)电压温度系数U(%/℃)稳压值受温度变化影响的的系数。(3)动态电阻6.4下一页上一页首页14稳压二极管的应用举例

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文

此文档下载收益归作者所有

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文
温馨提示:
1. 部分包含数学公式或PPT动画的文件,查看预览时可能会显示错乱或异常,文件下载后无此问题,请放心下载。
2. 本文档由用户上传,版权归属用户,天天文库负责整理代发布。如果您对本文档版权有争议请及时联系客服。
3. 下载前请仔细阅读文档内容,确认文档内容符合您的需求后进行下载,若出现内容与标题不符可向本站投诉处理。
4. 下载文档时可能由于网络波动等原因无法下载或下载错误,付费完成后未能成功下载的用户请联系客服处理。