双层异质结结构的有机发光场效应晶体管的制备和性能研究.pdf

双层异质结结构的有机发光场效应晶体管的制备和性能研究.pdf

ID:50116464

大小:7.99 MB

页数:72页

时间:2020-03-05

双层异质结结构的有机发光场效应晶体管的制备和性能研究.pdf_第1页
双层异质结结构的有机发光场效应晶体管的制备和性能研究.pdf_第2页
双层异质结结构的有机发光场效应晶体管的制备和性能研究.pdf_第3页
双层异质结结构的有机发光场效应晶体管的制备和性能研究.pdf_第4页
双层异质结结构的有机发光场效应晶体管的制备和性能研究.pdf_第5页
资源描述:

《双层异质结结构的有机发光场效应晶体管的制备和性能研究.pdf》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在学术论文-天天文库

1、,..心*、巧巧2巧項斬巧护祭V:.J---.V,|"'’''‘|'A.0293—/单位巧巧;1密级:.':-/—;y占\f'..嫌秦蕭:巧苗詞V‘中麵'兴Y為《若邊...龄^.:Xf..I,. ̄巧乎.5考皮《隹硕女給乂.?-?一、,*rf?一.......教::,,::^'P''-..:.八;..冻."....‘'.‘V’'.‘:;’'?...'VV也%‘:嘴r护;知I令;错-;;论文题目双层异质结结构的有机发光场效应

2、晶体管^'置詩的制备和性能研究''.'苦■.--'、■/<■^.V/身..',..:r'''.'"'-''rt:.,V!V,jI.,八‘'寺f二V..片;''"'—'—;-八,X.‘A名’'.'.-子可。A.歷4■巧己縣;巧,矿於V為"-片.';';尸V,,去苗'兴寅-^姓名张宁:.:...\..导"币柏.'气黄维J/。.舊'一.‘.’-<,。-:私在古:专业学位类别王程硕±、_:/名—-''''K另

3、苟;一类型,. ̄M一_'苦勝/>入/专业(领域)片光学工程-f;7.^-论文提交日期20^‘15年5月苗■■■-./?/'.£,;,、二猶、'.聲V熱'''^■VF."一-'..,‘i'端心.V夺二方k.tis,.;.、.\lv:二FabricationAndCharacterizationOfOranicgL-ihtEmittinTransis化rsBasedOnBiLayeredggHe1:erojimctionsThesisSubmitt

4、edtoNaninUniversitofPostsandjgyTelecommunicationsfortheDereeofgMasterofEnineeringgwByZhanNinggSuerviso。Prof.HuanWeipgMa2015y南京邮电大学学位论文原创性声明本人声明所呈交的学位论文是我个人在导师指导下进行的研究工作及取得的研巧成果。尽我所巧,除了文中特别加W标注和致谢的地方外,论文中不包含其他人己经发表或撰写过的研巧成果,也不包含为获得南京邮电大学或其它教育机构

5、的学位或证书而使用过的材料。一与我同工作的同志对本研巧所做的任何贡献均己在论文中作了明确的说巧并表示了谢意。一本人学位论文及涉及相关资料若有不实,愿意承担切相关的法律责任。戊‘研究生签名:日期命^:>南京邮电大学学位论文使用授权声明本人授权南京邮电大学可保留并向国家有关部口或机构送交论文的复印件巧电子文档;;允许论文被查阅巧借阅:可将学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进巧检索可W采用影印、缩印或扫描等复制手段保存、汇编本学位论文。本文电子文档的内容和纸质一)授权商京邮电大学研究生院办理论文的内容相致。论文的公布(包括刊

6、登。涉密学位论文在解密后适用本授权书。、研究生签名:导师签名:日期:心从J输要-em有机发光场效应晶体管(o巧aniclightitingtransistorsOLETs)同时具备有机场效应晶,体管(organic化Ideffecttransistors,OFETs)的电路调制功能,W及有机发光二极管(organict-tt)lighemiingdiode,OLEDs的发化功能,在平板显示、光通讯、固体照明、W及电累浦有机激光器等领域存在着巨大的应用价值。高性能的OLETs要求器件不仅具有高迁移率,还要求空穴和电

7、子的迁移率达到平衡。异质结结构的OmTs的半导体层由N型材料和P型材料組成,通过对两种材料的调整,可W有效平衡两种载流子的迁移率。本文对双层异质结结构的OLETs进行了研究。首先,为了给双层异质结结构的OLETs的制备作好准备,本文分别制各了基于N型材料P13和基于P型材料DH6T的单层OFET器件,并对它们的性能进行了优化。紧接着,本文制备了基于P13/DH6TPN结的OLETs,当在一P13层和DH6T层的厚度分别为28nm和25nm的器件的有机层和源/漏电极闽插入层Mo03^^,1修饰Au电极后,成功提高了空穴的迁移率制

8、各出了具有平衡的空穴和电子迁移率的OLETs。在对该器件进行测

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文

此文档下载收益归作者所有

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文
温馨提示:
1. 部分包含数学公式或PPT动画的文件,查看预览时可能会显示错乱或异常,文件下载后无此问题,请放心下载。
2. 本文档由用户上传,版权归属用户,天天文库负责整理代发布。如果您对本文档版权有争议请及时联系客服。
3. 下载前请仔细阅读文档内容,确认文档内容符合您的需求后进行下载,若出现内容与标题不符可向本站投诉处理。
4. 下载文档时可能由于网络波动等原因无法下载或下载错误,付费完成后未能成功下载的用户请联系客服处理。