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时间:2020-03-04
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1、分类号:TP391单位代码:10361安叛化X乂學-?ANHUI,IUNIVERSITYOFSCIENCE&TECHNOLOGY,-乂聲—;,棘蓋爲巧if11II^?论文题目;数字集成电路的防护软错误技术研究作者姓名:马瑞君专业名称;电气工程导师姓名:徐辉副教授蔚郝炯:2017年6月2曰中图分类号:TP巧1论文编号;学科分类号:520密级:公开安徽理工大学硕±学位论文数字集成电路的防护
2、软错误技术研巧作者姓名:马瑞君:电气工趕专业名称研究方向:嵌入式系统综合与测试导师姓名:徐辉副教授导师单位:安徽理工大学:王国锋答辩委员会主席论文答辩日期:2017年6月2日安徽理工大学研究生处2017年6月2曰ADissertationinElectricalEngineeringTheResearchonProtectTechnologyofSoftErrorforDiitalInteratedCircuit
3、ggCan出date:MaRuiunjSuervisor;XuHuipSchoolofElectricalandEngineeringAnhuiUniversitofScienceandTechnoloygy.imenRoad..No168ShHuainan232001,PRCHINA,gg,,独创性声明本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果L。据我所知,除了文中特别加乂标注和致谢的地方L乂外,论文中不包含其他
4、人己经发表或撰写过的研究成果,也不包含为获得安徽理工大学或黄化教育祝物的挙化戎证书而佑用主才的材料一。与我同工作的同志对本研究所做的任何贡献均己在论文中作了明确的说明并表示谢意。学位论文作者签茗■;女完日期:夸^年日命_/月立学位论文版权使用授权书本学位论文作者完全了解安徽理工大学有俱留、使用学位论文的规定,即:研究生在校攻读学位期间论文主作的知识产权单位属于安徽望工大学。学校有权保留并向国家有关部口或机构送交论文的复印件和磁盘,允许论文被查阅和借阅。本人授权安徵理工
5、大学可!乂^将学位论文的全部或部分内容编入有关数据.库进行检索,可W采用影印、缩印或扫描等复制手段保存、汇编学位论文。(保密的学位论文在解密后适用本授权书)、V学位论文作者签名:名為争;I签字日期:如7年/月芝日导师签名:签字日期:如?7年/月义日ii摘要集成电路的工艺尺寸进入纳米级别后,软错误引起的可靠性间题已经成为数一字电路的可靠性问题中不可忽视的问题之。伴随着晶体管特征尺寸的缩小,锁存器对于高能粒子轰击其内部节点而产生的软错误变得愈加的敏感一。本文提出
6、个低开销高性能的抗福射锁存器结构设计。提出的锁存器结构使用了C单元结构来防护单粒子翻转(SEU)并恢复被影响节点的逻揖值。在提出的锁存器结构中还使用了钟控口和功率口来提高性能。本文的主要工作如下:首先,简要的介绍了集成电路的发展历程和关于软错误的国内外的研巧现状。其次,在了解集成电路的基础上开始深入的说明软错误的基本概念。在本章对单粒子效应进行了分类,其中对于单粒子翻转(SEU)和单粒子瞬态(SET)对集成电路的影响进行了详细的图解。一些经典的锁存器结构的原理说明第三部分是
7、关于。在这部分会先介绍具有。防护SEU能力的锁存器,然后是介绍具有防护SET能为的锁存器在对这些锁存器的工作原理的分析的基础上还会指出其优缺点。一最后是提出个低开销高性能的锁存器结构设计。在本章节会详细论述提出的锁存器的结构、工作过程和防护软错误的原理。在后面部分,对提出的锁存器结构进行仿真实验验证并获取相关数据。在处理迭些数据的基础上,对提出的锁存器结构分析其延迟、功巧和性能,通过和经典的锁存器结构的对比来查看提出的锁存器的优势所在。在同等的防护SEU能力下,提出的锁存器结构相较于
8、-ntFERST(feedbackredundantSEU/SETtoleralatch:反馈冗余方式容忍SEU和SET锁存器)锁存器,在延迟上减少了46%,功耗上减少了88.9%。在防护SETS一(ingleEventTransient)的方面,提出的锁存器需要添加个延迟单元来完成防护SET。通过HSPICE的仿真实验可发现,提出的锁存器在各方面的
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