P型栅极高电子迁移率晶体管可靠性研究.pdf

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2、．１．？■＊？．■－＇二１，＇‘，／＊、人？Ｉ＂＂－＞ＡＲｅｌｉａｂｉｌｉｔｙＳ化ｄｖＰＧａＮＧａ化ＨＥＭＴ皆Ｖ＾英文论文题目：ｏｆｓ＊．奔气＇：矿—．＇＇‘’耳：、！．Ｖ＊，－‘．‘．＾．ｈ，Ｊ的＞污ｔ’广？‘．．．＾卢；，申请人姓名：杳創日？背：為：Ｖ於皆叩＇－．？；旨誦：盛况咬咬；增嗎主六對獄篇；＇＂’．合作导师＞：？．．．ｖＶｗ＾；．｛胃，；＇．＇．．＇．二－’‘专业名称’：电气工程夕．勺／＞．％ｆ＇■‘’＾．．－．＇＇．娘研巧方向：电力电子与屯力传动．參

3、‘＾■／泉苗．．．．：．．所在学院：＇若：．．南气工程学院．ｆＶ，．於，葦聲’．＇．＾－．Ｖ．Ｖ，＾：：．；；！知吉帛沒ｊ。＂＇１＼若舞—道＾．刮ｆ．．，‘．＇、．、．ｒ论文提巧日期２０１７年１月：．’，？声７＞咬ｆ、卢／巧‘．‘１：＾八．．．．来＇乐；，；：；＾；：．：：＾坏一；■？、常？．＇ｊ？占芋．．？（‘？＾麥右作、．Ｉ，？３护，山‘ｋ．－？ｆ／．护３Ｔ－＾是束／？，ｋ＇‘’人．‘’．．！，ｉＡ．Ｋ欠说，躬／｜－．：：＾ｖ：．：，ｆ：；：ｊｐ型栅极高电子迁移率晶体管可靠性研究

4、戀＾＞、巧论文作者签名重下指导教师签名：论文评阅人１；评阅人２：评阅人３；评阅人４：评阅人５；答辩委员会主席；１委员：２委员；委员３；委员４；委员５；答辩日期；Ａｉｌｉｔ－ｔｅＲｅｌｉａｂｙＳ化ｄｖｏｆＰＧａＮＧａＨＥＭＴｓ戀目乂’ｕｔｈｏｒｓｓｉｎａｔｕｒｅ：ｇ＇’Ｓｕｅｒｖｉｓｏｒｓｓｉｎａｔｕｒｅ：ｐｇＥｘｔｅｒｎａｌＲｅｖｉｅｗｅｒｓ：ＥｘａｍｉｎｉｎｇＣｏｍｍｉｔｔｅｅＣｈａｉｒｐｅｒｓｏｎ：Ｅｘａｍｉｎｉ

5、ｎＣｏｍｍｉｔｔｅｅＭｅｍｂｅｒｓ：ｇＤａｔｅｏｆｏｒａｌｄｅｆｅｎｓｅ：浙江大学研究生学位论文独创性声明本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研巧工作及取得的研究成果。除了文中特别加Ｗ标注和致谢的地方外，论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成一果。，化不巧含为获得浙江大学或其他教育机构的学位或证书而使用过的材料与我同工作的同志对本研巧所做的任何贡献均己在论文中作了明确的说明并表示谢意。＇＾学位论文作者签名＆字日期：年月ｎ日；＾｜＾＾＾学位论文版权使用授权书本学位论文作者完全了解浙江大学有权保留并向国家有关部口

6、或机构送交本。论文的复印件和磁盘，允许论文被查阅和借阅本人授权浙江大学可将学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索和传播，可Ｗ采用影印、缩印或扫描等复制手段保存、汇编学位论文。（保密的学位论文在解密后适用本授权书）学位论文作者签名：导师签名：签字曰期也年月１曰：＊＞＾年＾月签字曰期Ｉ）曰１又］浙江大学硕击学位论文＾搞要氮化嫁基高电予迁移率晶体管（ＨＥＭＴ）是实现高效节能与小型化、轻量化电力电予变换器的下一代功率器件一。方面这是由氮化錄材料本身的优异特性所一决定的，如宽禁带宽度（３．４ｅＶ），高临界击穿电场（３５０

7、０ｋＶ／ｃｍ）。另方面，锥氮化嫁与氮化嫁异质结的自发极化和压电极化效应可Ｗ在异质结界面处形成－２２＞＂，离电子浓度（ｌ〇ｃｍ），鳥电子迁移率（１２００ｃｍ／Ｖｓ）与高电子饱和漂移速７度（３．０ｘｌ０ｃｍ／ｓ）的二维电子气导电沟道。然而，铅氮化嫁／氮化傢异质结结构的ＨＥＭＴ通常是常通型器件，其闽值电压范围在－６Ｖ到－２Ｖ。为了使ＨＥＭＴ能具有电路故障保护功能并与传统珪基功率器件栅极驱动１Ｃ兼容需要实现增强型ＨＥＭＴ。全球科研工作者已提出＃种，实现增强型ＨＥＭＴ的故术手段，包括采用几个