电工电子学复习材料自编.doc

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1、电工电子学复习材料(2.1.5)图2.2(教材2.05)中，〃s=2V,厶皿兄=40,R?=讥禺=30,R4=2Q,试用支路电流法求流过电压源“S的电流/和电流源厶两端的电压Uo解：先规定“、〕2、厶和丿4的参考方冋如图所示。节点a/s+[2=/节点b1^/3=!节点c/s+/3=/rtlR1/?2R3R4构成的冋路RI+只2】2—R3J3—尺4,4=0由&、尺4、〃s构成冋路RI+R4/4=u代入数据，解上述方程组得：/1=1A,I2=—2A,/3=—0.8^4,/4=2.2AJ=0.2AU=R4I4一R2I2=[2*2.2-1*(-2)]V=6.473.1

2、.3图3.2(教材图3.03)所示放大电路，己知〃cc=18V,三极管的0=80,导通时Ube=0.7U。试问(1)欲使静态时％=1.5mA,UCE=6K,则呛和&的阻值为多少?⑵若取心=330fcaRc=10/cG,则静态时％和〃ce又为多少？解(1)IB='^=^mA=18.75MpoUUce一UbeRb6-0.718.75,10-n=283^I%=Ic+Ib=(1.5+0.01875)m4=1.51875mA18-6———Un=7.9/c(l1.51875/dU“-UceRc=—;Sc⑵〃cc=Rc【Rc+Rb【b+Ube=Rc(【c+【b)+Rb【b

3、+Ube=Rc(B【b+【b)+Rb】b+"beUccUbehRc(1+0)+Rb18-0.710*81+330mA=0.01518mAIc=p/g=(80*0.01518)nM=1.214mAUce=Rb】b+=(330*0.01518+0.7)U=5.71V注意：厶算式的分母是Wc(l+8)+鬆]而IV是(&+Rb)。因为流过心的电流伉=(1+啊，是％的(1+B)倍。4.4.3设计一个二输入、三输出的组合逻辑电路，要求A>B时，F1=1,F2=F3=0：A

4、所示。由表4.2可写出Fi=AB哀J・2习题4.4.3的逻辑状态表ABF,f2F300001010101t001;100F2=ABF3=AB+AB=AB+AB逻笹图见图4.2。该图的Fr是按AB+AB^出的，也可按照鸟=丽+ABiHfif的逻辑图。也就是说，实现同一个逻辑函数，可以有不同形式的逻笹图。lr&i■-A=dB—~CH-彳列题3.1.1共发射极放大电路如图3.1.9（a）所示，设⑷为正弦信号，〃cc=12V,Rb=470/cQ,Rc=3kQ,RL=5・lkd,晶体管的UBE=0.7V,P=80,1^:（1）放大电路输出端不接负载时的电压放大倍数；（2

5、）放大电路输出端接负载血时的电压放大倍数；（3）放大电路的输入电阻和输出电阻。解：先求出厂be。由于】b=U匹一咂=(12-0.7)/(470*103M=0.024mARb厶=(1+肌=81*0.024mA=1.94mS7AoA所以叶疋=200+(1+/?)—=(200+81*—)(1=1.286Ko)*E⑴不接心时的电压放大倍数如0—80*3*1031.286*103-186.6（2）接入心时的等效负载电阻R'l3*5.13+5.1kQ=1.89/cfl电压放大倍数（3）输入电阻输出电阻RcRlRc+Rl=—80*1.891.286=-117.6RpTbeR

6、b+rbe470*1.286470+1.286r0=Rc=3k(l1-电动势的方向是从低电位指InJ高电位，是电位升高的方向。2.功率尸Ui（单位W）正值表示吸收功率，负值表示输出功率。｛习惯上用非关联参考方3.兀件串式:连接方式等效电阻等效电感等效电容串联R=+/?2L=厶1+厶2111—=+cClc2并联111—=F—RRiR2111—=1厶厶1厶2c=Q+c2联或者并联时参数的计算公4.纯净的半导体屮含有自由电了（带负电）和空穴（带正电）两种运载电荷的粒了——载流子，白由电了和空穴的数量相等，呈屮性。5.PN结处于导通状态时，导电方向是从P区流向N区。6

7、.硅二极管的导通电压约为0.5V,诸二极管约为O.lVo7.NPN型和PNP型晶体管都含有三个掺杂区（发射区、基区和集电区）、两个PN结。8.PNP型和NPN型晶体管的电源极性正好相反。9.受控源总共有四种类型：电压控制电压源（voltagecontrolledvoltagesource,简称VCVS）、电压控制电流源（VCCS）、电流控制电压源（CCVS）和电流控制电流源（CCCS）。10.由于晶体管是基极电流控制集电极电流，故其电路模型应采用电流控制电流源。11.在常温下小功率晶体管的%为（卩+1）学仏为发射极电流Q为基区电阻,Ie/F<5mA时q约为20

8、0（112.基尔霍夫定律包括电流和电压