高压下GaP的金属化相变及电学性质研究.pdf

《高压下GaP的金属化相变及电学性质研究.pdf》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在学术论文-天天文库。

1、．＇；－；．＊‘＾ｔ－Ｊ＞，．，．．ｒ＞．去／Ｕ咸：靖－；—．一＊＾。嘗．＇：窜．．蓋：％：梦！品％：Ｊ警菱．一、。、．绽．－雙一１＾Ｖ、ｉ．ｋ三＞．；；／１－；寒餐譜秦若＼ｆ尸寶，＾如；／＼豁替ｘ专＞％ｙ，Ｖ，苦義．，ｃ矿’癸宾，ｎ．紅Ｖ７？和，方：；．；专＾＞＇！＇’讓ｖ；１：．／，．‘＂．Ｃ＇ｙ＾歡ｗ巧，：睾．ｌ饿．ｒ．八泛ｒ．ｕ：！＊Ｖ＾京、蒸电、：＾？／：為乂為＇－畜户，／．：妥ｖｃ；ｒ冢Ｖ嗔‘．．＇妾．．Ｖ三．？：？ｖ－：ｈ？？隹．＾‘；．：ｖ＇靖‘？．；．警．ｆ＇．‘－毒：ｖ肴六

2、參乂養食学硕去＾ｌ攸文ｖ超爲．■．赛巧赛：，ｒ＞ｒ司衣－迄滋ｗ．若，－‘ｉ賞＾苗１．．夸寶Ｖ＇£鱗‘？．■－細Ｓ＾＾属跳討价变方交私鲜户讀略二＾．菱攀、Ｍ胤＾三ＷＮＩＤＥ此ＣＴＯＵ＾巧削側養義．ｉ賣抓５松卽巧祀ＳＷ閒＂Ｓ５义、－—；－餐；：．－一；．．．一，；Ｔ泉．＇、．Ｙ、心占，ｉ一＞、／苗毒婪足苗短？／＞／兵７．：矣．－：冬、ｃ￡Ｖ＇’靜ｓ表．祭讀去‘＇＂，‘Ｖ；ｉ為巧．＃：於；：秦．巧；．．梦喪六．，；．Ｖ女ｌ．粗！．；麥扭Ｖ－＇．＝當．＞蟲

3、：．若＾糸：．Ｘ卷令．、＾７；Ｎ八Ｖ＞為车＞巧寶＾齡再＾．ｒ麥；載琴ｕ—．Ｖ兵今．￥嶺＾梦不：－、、．聲‘、寒：／４＾．齊．．声．絡Ｔ．ｔＩ皆建／家．Ｖ！Ｋ；無＃＇是知，；＆巧．義＇搪刘告為ｆ；苗；／式祭，叫ｖ．‘．．韶．却ｃ苗勺＇，４光学＾：ｔ、茲誇知＂、＆＇；於错－八＼心、．，．ＣＶ延边，大学，Ｖ：．－＼舊ｒ，芙可Ｖ皆為複＇／．ｉ」：ｒ冷Ｖ、；声－■＞襄ｌＶ和．＞４／又；／专ａ；＞．‘慶＇冢，式＜１ａ，；户Ｈ资■＾＞护，；ｌ＇你寒；，ｒ名它、Ｖ护另语ｉ廷‘、＾一＼：；么：ｒ赛

4、灣Ｈ．．＞－＞＾片喜ｒｆ：巧霎宗＜户署袁．学校代码：１０１８４？分类号；０４理学硕±学位论文高压下ＧａＰ的金属化相变及电学性质研究ＭＥＴＡＬＬＩＣ了ＲＡＮＳＩＴＩＯＮＡＮＤＥＬＥＣＴＩＣＡＬＰＲＯＰＥＲＴＩＥＳＯＦＧａＰＵＮＤＥ民ＨＩＧＨＰＲＥＳＳＵＲＥ刘浩光学延边大学４分类号０密级ＵＤＣ５３０学号２０１３０１０３９５延这大学硕女学位论文高压下ＧａＰ的金属化相变及电学性质研究研兜生姓名刘浩

5、巧养单位理学院物理章＾指导教师姓名、职称吴宝嘉副教授学科专业光学研兜方向高化物理论义提交曰期２０１６年５月２５日本论文已达到理学硕主学位论文要求错？Ｉ＂羞答辩委员会主席张泰鄉原耳！答辩委员会委员朱爱东（印！巧急；；—答辩委员会委员韦洪福障曲Ｊ）答辩委员会委员念三：鸣嗎Ｈ答辩委员会委员颇广瑞（印：＊延边大学２０１６年５月２５日学位论文独创性声明本人郑重声明：所呈交的学位论文系本人在导师指导下姐立完成的研究成果。尽我所知，除了文中特别加从标记和致谢的

6、部分外，论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果也不包含本人为获得任何教育机构的学位或学历而，使用过的材料一。与我同工作的同事对本研究所做的任何贡献均已在论文中作了巧确的说明并表示谢意。一切责任和后果本人如违反上述声明，愿意承担由此引发的。研究生签名：＾谈日期：丸年ｒ月若曰学位论文使用授权声巧本人在导师指导下所完成的学位论文学校有权保存其电子和纸制文档可，，从借阅或上网公布本学位论文的全部或部分内容可拭向有关部口或机构送交并，授权其保存、借阅或上网公布本学位论文的全部或部分内容。对于保密论文按，

7、保密的有关规定和程序处理。本学位论文属于：１．保密□在年解密后适用于本声明２．｛，；不保密囚ｒ＞研究生签《：却店导师签名：終务日期：兴年ｒ月摘要本论文利用基于金刚石对顶祐（ＤＡＣ）高压原位测量技术，通过高压原位交流阻抗谱，高压原位电阻率和变温电阻率测量等实验手段并结合基于密度泛函一３５ＩＩＩ－Ｖ理论的第性原理计算，在ＧＰａ内对族半导体材料礙化嫁（ｇａｌｌｉｕｍｏｓｈｅ，ａＰ、ｐｈｐｉｄＧ）的电阻率晶界与晶粒电阻、弛豫频率等物理量在高压的变化ａＰ，规律进行了研究，解释了Ｇ样品的金属化相变微观机制获得

8、如下创新结论；？（１）２５０１３压力内对ＧａＰ开展了高压原位交流阻抗谱测量。结果显示，加＞，ＧａＰ的电阻值持续下降ａ压过程中，５．８ＧＩ左右ＧａＰ晶界电阻消失，晶粒