NOR-Flash存储器介绍及编程.doc

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1、NOR-Flash存储器1概述ADSP-BF532自身不具有ROM，因此必须外接ROM器件来存储放电后仍需要保存的代码和数据。NORFlash具有非易失性，并且可轻易擦写。Flash技术结合了OTP存储器的成本优势和EEPROM的可再编程性能，因此得到了越来越广泛的使用。在本实验中将主要介绍NORFlash器件——Am29LV160D在Blackfin处理器系统中的应用。NORFlash采用标准总线接口与处理器交互，对它的读取不需要任何特殊的代码。作为代码存储器，NORFlash映射在处理器的异步存储区的0x2000,0000到0x201F,FFFF地址上。若

2、设定系统从Flash启动，则系统上电复位时，处理器就自动从Flash中取得指令运行。因此NORFlash中要存放系统启动代码，这些代码必须在系统上电时完成一系列初始化的工作。经过了这些初始化，系统才得以正确启动并开始工作。2实验内容和目标本实验要实现的内容和目标读出FLASH的manufacturerID和deviceID。对FLASH芯片进行整片擦出，并验证擦除是否成功（读出数据是否为为全0xFFFF）。往FLASH起始地址写入0x5555，并读出，验证写入是否正确。3实验分析1．Am29LV160D介绍进行实际编程之前，首先应了解NORFlash器件Am2

3、9LV160D的特性和读写操作的要求。Am29LV160D是由AMD公司推出的1M×16bit的CMOS多用途Flash。它的主要特性如下。存储空间组织1M×16bit。读写操作采用单一电源2.7～3.6V。可靠性－可擦写100000个周期（典型值）；－数据可保存100年。低功耗-动态电流15mA（典型值）；－静态电流4A（典型值）；－自动低功耗模式4A（典型值）。扇区擦除能力统一为2K×16b大小的扇区。快速读操作时间70ns和90ns。具有锁地址和数据功能。快速擦除和以字为单位编程。扇区擦除时间18ms（典型值）；快擦除时间18ms（典型值）；片擦除时间7

4、0ms（典型值）；字擦除时间14s（典型值）；片重写时间15s（典型值）.自动写时序内部产生VPP写结束的检测－翻转位；－数据轮流检测。与CMOS电平的I/O口兼容。符合JEDEC标准采用FlashEEPROM的标准引脚排布和指令集。芯片引脚分布（TSOP封装）如图1所示。图1Am29LV160D的引脚分布图引脚描述如表1所示。表1Am29LV160D引脚功能描述引脚符号引脚名称功能描述A0～A19地址输入提供存储器地址。在扇区擦除中A19～A11地址线用来选择擦除哪一个扇区。在块擦除中A19～A15地址线用来选择擦除哪一个块DQ0～DQ15数据输入/输出在读

5、周期输出数据，在写周期接收写入的数据。在写周期中，数据内部锁存。在OE#或CE#为高电平时，数据线输入为高阻态BYTE＃模式选择选择8-bit或16-bit模式CE#片选使能低电平有效的片选线OE#输出使能低电平有效的数据输出使能线WE#写使能控制写操作RESET#复位硬件复位线RY/BY#空闲指示判断系统是否空闲的输出线VCC电源VSS地NC空脚4电路连接原理图Am29LV160D的电路连接方式如图2所示。图2Am29LV160D的电路连接图5编程指导NORFlash映射在处理器的异步存储区的0x2000,0000到0x201F,FFFF地址上。本实验将要对

6、NORFlash进行的操作包括“读”、“写”和“擦除”。对与“读”操作，可以直接从相应地址读出数据，但对于“写”和“擦除”操作，应遵循NORFlash的操作步骤，通常应根据地址定义的类型，向特定的地址处写入特定的命令字，如果需要，再读出数据，验证操作是否成功。图3与图4分别是Am29LV160D的“写”与“整片擦除”操作流程图，表2是Am29LV160D的操作命令。基本操作应按照表中所示的步骤进行，在进行各种操作前，应首先确定地址类型为“字（16位）”还是“字节（8位）”，例如：当进行“写”操作时，如果地址定义成“字”类型，则应首先向NORFlash的地址0x

7、555处写入0xAA，其次向地址0x2AA处写入0x55，再向地址0x555处写入0xA0，最后向指定地址写入数据。“擦除”操作与“写”操作类似。表中其它操作的含义，请参考Am29LV160D的数据手册。图3“写”操作流程图4“整片擦除”操作流程表2Am29LV160D操作命令6程序代码#include"ccblkfn.h"#include"sysreg.h"#include#include#definepFlashAStartAddress(volatileunsignedshort*)0x2000

8、0000#definepFlashAU