存储器和可编程

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1、存储器和可编程逻辑器件>总目录退出退出>存储器和可编程逻辑器件现场可编程逻辑阵列（FPLA）随机存取存储器存储器容量的扩展PLD电路只读存储器可编程阵列逻辑（PAL）通用阵列逻辑（GAL）<总目录半导体存储器只读存储器（ROM）ROM的结构ROM的基本结构二极管ROM的结构图<>退出1目录总目录ROM的数据表D3=A1A0+A1A0D2=A1A0+A1A0+A1A0D1=A1A0+A1A0D0=A1A0+A1A0+A1A0在二极管ROM结构中，W0=A1A0、W1=A1A0、W2=A1A0、W3=A1A0，因此：D3=W0+W2D2=W1+W2+W3D1=W1+

2、W2D0=W0+W1+W3<>退出目录总目录⑵ROM的阵列框图⑴ROM的阵列图<>退出目录总目录二进制码转换为格雷码的真值表G3=∑m（8，9，10，11，12，13，14，15）G2=∑m（4，5，6，7，8，9，10，11）G1=∑m（2，3，4，5，10，11，12，13）G0=∑m（1，2，5，6，9，10，13，14）<>退出目录总目录二进制码转换为格雷码的阵列图及逻辑符号图二进制码转换为格雷码的阵列图逻辑符号图<>退出目录总目录ROM的编程与分类⑴掩模ROM⑵可编程ROM（PROM）①熔丝型PROM存储单元②PN结击穿法PROM存储单元<>退出2目录

3、总目录⑶可察除的可编程ROM（EPROM）①叠栅注入MOS管（SIMOS）的结构和符号②EPROM的存储单元、Flotox管的结构和符号EPROM的存储单元Flotox管的结构和符号22<>退出目录总目录③快闪存储器（FlashMemory）叠栅MOS管存储单元<>退出目录总目录随机存取存储器（RAM）静态随机存储器（SRAM）①SRAM的基本结构<>退出目录总目录②SRAM的静态存储单元六管NMOS存储单元六管CMOS存储单元<>退出目录总目录存储器容量的扩展⒈位数的扩展<>退出目录总目录⒉字数的扩展<>退出目录总目录低密度可编程逻辑器件⒈PLD电路的基本结构

4、①PLD的基本结构②四种PLD的结构特点<>退出可编程逻辑器件目录总目录③PLD阵列结构图PROM结构FPLA结构PAL和GAL结构<>退出目录总目录例：用FPLA实现四位二进制码转换为格雷码的代码转换电路。解：输出表达式为G3=B3G2=B3B2+B3B2G1=B2B1+B2B1G0=B1B0+B1B0FPLA的阵列图<>退出目录⒉现场可编程逻辑阵列（FPLA）总目录例：用FPLA和JK触发器实现模4可逆计数器。当X=0时加法计数；X=1减法计数。解：⑴画出状态图。⑵求激励方程和输出方程。J1=K1=1J2=K2=XQ1+XQ2Z=XQ2Q1+XQ2Q1⑶画出

5、时序FPLA阵列图。<>退出目录总目录⒊可编程阵列逻辑（PAL）PAL输出结构①专用输出结构②可编程I/O结构③寄存器输出结构④异或型输出结构①<>退出目录总目录②③④<>退出目录总目录⒋通用阵列逻辑（GAL）①GAL的基本结构<>退出目录总目录②输出逻辑宏单元（OLMC）⑴OLMC的结构<>退出目录总目录⑵结构控制字SYN：决定器件输出能力。AC0、AC1（n）：方式控制位。XOR（n）：极性控制位。PT（n）：积项禁止位。<>退出目录总目录OLMC工作模式的配置选择OLMC5种工作模式的等效电路⑴专用输入模式<>退出目录总目录⑵专用组合输出模式⑶反馈组合输出

6、模式⑷时序电路中的输出模式　　　　⑸寄存器输出模式⑵⑶⑷⑸<>退出目录总目录③行地址映射<退出目录总目录真的要退出本章节吗？是[Y]否[N]