主逆变器IGBT系列模块应用（PPT only）.pdf

《主逆变器IGBT系列模块应用（PPT only）.pdf》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在教育资源-天天文库。

1、infineonxEVMaininverterrelatedtopicforPDHHeYaohuaATVSAEEDT英飞凌汽车半导体解决方案包含传感、计算和驱动单元我们的目标市场传感器处理器驱动动力总成MOSFETs#2柴油引擎管理压力传感器16/32位处理器IGBTs电磁(霍尔)传感器32位TriCore®调节器#2汽油引擎管理(µC+DSP)通讯收发器传输控制#1#1智能功率器件起动机/交流发电机系统ICHybridPack#2混动与电动8位处理器IGBTs#1混合动力系统电磁传感器16/32位处理器调节器#1再生制动32位Tr

2、iCore®通讯收发器#2电池管理(µC+DSP)智能功率器件MOSFETs二极管汽车安全ABS/ESP/牵引力控制压力传感器#18位微处理器三极管胎压传感器16/32微处理器MOSFETs#2悬架#1电磁(霍尔)传感器32位TriCore®调节器安全气囊/约束系统射频ICs(µC+DSP)#2通讯收发器侧气囊#1智能功率器件助力转向系统#1系统IC胎压监控系统（TPMS）收发器#2车身与舒适性8位微处理器电磁（霍尔）传感器二极管车灯控制16/32微处理器射频ICs#1MOSFETs#232位TriCore®供

3、暖、换气、空调设备(µC+DSP)三极管#1车门与座椅#1调节器智能电池管理高功率器件#1智能功率器件电动汽车架构推动汽车功率半导体器件的需求XC2000或TricoreXC800(8位MCU)Tricore(32位MCU,主控)EasyModuleTMEasyModuleTMMOSFETs栅极驱动器(EICEDriverTM)栅极驱动器(EICEDriverTM)电池管理ICs(从属)MOSFETsCoolMOSTM(CFDA)低压电池高压辅助设备高压-低压直流/直流M电池管理高压电池高压总线逆变器增压直流/交流直流/直流充电器交流/直流T

4、ricore(32位MCU)Tricore(32位MCU)XC2000(16位MCU)IGBTsIGBTs栅极驱动器(EICEDriverTM)二极管(Si,SiC)HybridPACKTMCoolMOSTM(CFDA)HybridPACKTM栅极驱动器(EICE二极管(Si,SiC)栅极驱动器(EICEDriverTM)EasyModuleTMDriverTM)Copyright©InfineonTechnologies2011.Allrightsreserved.Page3英飞凌全电压范围应用的新能源汽车功率器件20048V系统电机/发电机解决方

5、案高效率的400VIGBT模块TLE9180（90V耐压三相桥预驱动，2013年有样品供货）50TLE6282H桥预驱动（90V耐压H桥预驱动，已量产供货）适用于48V系统应用的MOSFET插电式混合动力微混全混起停中混纯电动汽车起停空档滑行空档滑行纯电力驱动纯电力驱动电动助力电动助力MOSFET(30…60V)MOSFET(60…100)VIGBT400VIGBT650VIGBT(850V,1200V)90V三相驱动90VH桥驱动功率半导体器件Copyright©InfineonTechnologies2011.Allrightsreserved.中度混合动力汽车：4

6、0微米/400VIGBT模块带来无与伦比的高效率母线电压截止电压晶圆厚度Peakload650VIGBT100–400V650V70µm-25%400VIGBTRange中度混合动力:中度混合动力:中度混合动力:400VT=150°C80-200V40µm650VIGBT400VIGBTPdissipation~Thicknesswafer²*Basedonsimulation,efficiencyimprovementvarieswithdrivingprofile工程样品：2015年超低损耗可提升变频器效率至一季度优势97%和燃油效率开始供货：2015年18.03.201

7、2Copyright©InfineonTechnologies2011.Allrightsreserved.四季度Page6有助于降低变频器尺寸和成本可大大降低变频器散热IGBTs-Silicontechnologyandmanufacturingknow-howenablesoptimizedpowerdensitySystemvoltage[V]Trench+Field-StopCell1000Tj=175°C/200°CEmitterGateWaferfrontside800120