电池片制造工艺习题1.doc

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1、一、填空题1、目前光伏企业太阳电池材料是硅。2、化学清洗«PHC1的作用去除硅片表面的金属杂质。HF：去除硅片表面氧化层，以确保表面干净无杂质吸附。3、光伏公司一般生产的单晶硅片是N型还是P型硅？P型，（N型作掺朵）。4、制绒的目的是形成金字塔结构、减少光的反射率、提高短路电流Isc、提高光电转换效率。5、制绒工艺化学反应方程式是Si+2NaOH+H2O=Na2Sio3+H2T（单晶硅）；多晶硅：Si+HNO3+HF二H2+[siF61+N02f+H2O。6、去PSGT艺化学总方程式是一SQ2+6HF二H2[SiF6]+H2O。7、硅片在切割的过程中所造成的

2、损伤层约10um。8、制绒工艺的主要控制点是一NaOH的浓度、异丙醇浓度（IPA）、制绒槽内硅酸钠的累积量、制绒腐蚀温度、制绒腐蚀的时间长短、槽体密封程度、界丙醇的挥发程度。9、单晶制绒是利用晶体硅的100、111不同晶向在碱件腐蚀中，进行各向异性（多晶在酸性腐蚀中进行各向异性）腐蚀的特性。10＞扩散过程中应用气体02、小N2、大N2°11、扩散在电池片上主要目的是形成一层N型。12、进入扩散间必须经过_风淋门，穿戴好工作服、工作鞋、手套和防尘口罩、。13、同一炉硅片扩散方块电阻不均匀度_小于20,同一硅片扩散方块电阻不均匀度14、检测方块电阻用到四探针测试

3、仪器,测试时扩散面向电池表面。15、清洗石英器件所需要的化学品HF、HCL,清洗时应戴好防护面罩、双层PE手套、围裙、防护套。16、POCh在高温下（＞600°C）分解的反应式为5POCL3-P2O5+3PCL2,其中生产的P°Ov在扩散温度下与硅的反应式为2P2O5+5Si=5SiO2+4P,在有氧气存在时，POCh热分解的反应式为一4POCL3+3O2=2P2O5+6CL2。17、PECVD的中文名称是_等离子体增强型化学气相沉积法。18、PECVD镀膜方式有直接法（管式、板式）、间接法（微波、直流）两种。19、镀减反射膜需要用到NH3、N2、PF、Si

4、H44种气体。20、镀膜是以厚度、折射率两个参数为工艺依振,影响镀膜质量的有：管内特气流量比、、、。21、PECVD用椭偏仪仪器来检测其质量的好坏。22、丝网印刷的压缩空气压强要求，真空压强要求o23、丝网印刷有5大要素组成,分别是浆料.丝网.基片.工作台.刮刀。24、丝网印刷添加浆料必须遵守o25、烧结炉的作用是烘T•硅片的浆料，去除浆料屮含有机成分，完成铝背场和的烧26、烧结炉的流程有27、烧结炉的关机步骤需要注意的是关闭T燥加热开关•烧结加热开关才可以停止传送带。28、测试条件要求光强lOOOw/nf、温度一25、光谱分布AM1.5。二、选择题D、硝酸

5、1、清洗间所涉及的化学品有（BC：）。A、氢氧化钠B、氢氟酸C、盐酸2、磷硅玻璃由（BC）组成。A、CF4B、SiO2C、磷D、D、串联电阻3、刻蚀工艺会影响电池片的哪项电性能？（AB）A、并联电阻B、开路电压C、短路电流4、下列方程式中属于刻蚀工艺的是（AD）。A、SiF4+2HF->H2[SiF6]B、CF4+SiO2^SiF4+CO2TC、CF4+SiO2+O2->SiF4+CO2TD、SiO2+4HF->SiF4+2H2O5、单晶绒面呈（B）形。A、三角形B、金字塔形C、圆形D、正方行6、扩散洁净度要求是（C）oA、10万级B、100万级C、1万级D

6、x1000万级7、电阻测试（C）个点。A、4B、3C、5D、68、硅片扩散工艺结束后应抽取（B）片来检查。A、5B、6C、3D、49、POC13是一种（D）液体。A、白色B、红色C、乳白色D、无色10、减反射膜的化学式是（A）。A、3SiF4+4NH3->Si3N4+12H2B、CF4+Si+C）2—>SiF4+CC）2C、Si-FNaOH->Na2SiO3+H2xll、电池片镀膜的厚度是利用光学小的（C：）原理来减少反射。A、光程差B、相长干涉C、相消干涉D、光的折射12、电池片SiNx:H薄膜镀膜厚度和折射率一般控制在（B）oA、65nm,1.8〜1.9

7、B、75nm±5nm,2.0〜2.1C、85nm±5nm,2.2-2.3D、50〜60mn,2.5〜2.6三、连线题Snap-off^^^网版上升速度Floodspeed四、判断题1、在操作过程中可以裸手拿取硅片。2、丝网间距的调整原则是：在保证印刷质量的前提下，网版间距越大越好。（）3、背电场印刷、背电极印刷和正电极印刷使用了三种不同的浆料，使用过程中要严格区分开，杜绝混用现象出现。4、烘箱的工艺参数和烧结的工艺参数不允许随意更改。5、在操作过程中可以裸手拿収硅片。五、问答题1、写出太阳电池产业链的分布流程？2、写出太阳电池的生产工艺制造过程。3、刻蚀和去

8、PSG的目的是什么?4、简述边缘刻蚀冷热探针的工作原