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时间:2018-12-10
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1、一、填空题1、目前光伏企业太阳电池材料是硅。2、化学清洗中HC1的作用去除硅片表面的金属杂质。HF:去除硅片表面氧化层,以确保表面干净无杂质吸附。3、光伏公司一般生产的单晶硅片是N型还是P型硅?P型,(N型作掺杂)。4、制绒的目的是形成金字塔结构、减少光的反射率、提岛短路电流Isc、提岛光电转换效率。5、制绒工艺化学反应方程式是Si+2NaOH+H2O=Na2Sio3+H2T(单晶硅h多晶硅:Si+HNO3+HF=H2+[siF61+NO2T+H2O。6、去PSG工艺化学总方程式是SiO2+6HF=H2[SiF6]+H2O。7、硅片在切割的过程屮所造成的损
2、伤层约lOum。8、制绒工艺的主要控制点是NaOH的浓度、异内醇浓度(IPA)、制绒槽内硅酸钠的累积量、制绒腐蚀温度、制绒腐蚀的吋间长短、槽体密封程度、异丙醇的挥发程度。9、单晶制绒是利用晶体硅的100、111不同晶向在碱性腐蚀中,进行各向异性(多品在酸性腐蚀屮进行各M异性)腐蚀的特性。10、扩散过程中应用气体02、小N2、大N2。H、扩散在电池片上主要目的是形成一层N型。12、进入扩散间必须经过_风淋门,穿戴好工作服、工作鞋、手套和防尘L1罩、。13、同一炉硅片扩散方块电阻不均匀度小丁•20,同一硅片扩散方块电阻不均匀度^10O14、检测方块电阯用到四探
3、针测试仪器,测试时扩散面向电池表面。15、清洗石英器件所需要的化学品HF、HCL,清洗吋应戴好防护面罩、双层PE手套、围裙、防护套。16、POC13在高温下(〉600°C)分解的反应式为5POCL>P2O5+3PCL2,其中生产的P,Os在扩散温度下与硅的反应艽为2P2O5+5Si=5SiO2+4P,在有氧气存在时,POC13热分解的反应式为4POCL3+3O2=2P2O5+6CL2。17、PECVD的中文名称是_等离了体增强型化学气相沉积法。18、PECVD镀膜方式有苒接法(管式、板式)、间接法(微波、芮流)两种。19、键减反射膜需要用到NH3、N2、P
4、F、SiH44种气体。20、镀膜是以厚度、折射率两个参数为工艺依裾,影响镀膜质量的有:管闪特气流呈t匕>>>O21、PECVD用椭偏仪仪器来检测其质量的好坏。22、丝网印刷的压缩空气压强要求,真空压强要求。23、丝网印刷有5大要素组成,分别是浆料.丝网.基片.工作台.刮刀。24、丝网印刷添加浆料必须遵守和的烧结。25、烧结炉的作用是烘干硅片的浆料,去除浆料屮含有机成分,完成铝背场和的烧iS26、烧结炉的流程有27、烧结炉的关机步骤需要注意的是关闭干燥加热开关.烧结加热开关才可以停止传送带。28、测试条件要求光强1000w/m2、温度25、光谱分布AM1.5
5、。二、选择题1、淸洗间所涉及的化学品有(BC)。A、鉍氧化钠B、絚氟酸C、盐酸D、硝酸2、磷硅玻璃由(BC)组成。A、CF4B、SiO2C、磷D、SiF42、丝网间距的调整原则是:在保证印刷质量的前提下,网版间距越大越好。()3、背电场印刷、背电极印刷和正电极印刷使用了三种不同的浆料,使用过程屮要严格区分3、刻蚀工艺会影响电池片的哪项电性能?(AB)A、并联电阻B、开路电压C、短路电流D、串联电阯4、下列方程式中属于刻蚀工艺的是(AD)。A、SiF4+2HF->H2[SiF6]B、CF4+SiO2—SiF4+CO2
6、C、CF4+SiO2+O2^SiF4+C
7、O2TD、SiO2+4HF->SiF4+2H2O5、单晶绒面呈(B)形。A、三角形B、金字塔形C、圆形D、正方行6、扩散洁净度要求是(C)。A、10万级B、100万级C、1万级D、1000万级7、电阻测试(C)个点。A、4B、3C、5D、68、硅片扩散工艺结朿后应抽取(B)片来检查。A、5B、6C、3D、49、POC13是一种(D)液体。A、白色B、红色C、乳白色D、无色10、减反射膜的化学式是(A)。A、3SiF4+4NH3->Si3N4+12H2B、CF4+Si+O2^SiF4+CO2C、Si+NaOH->Na2SiO3+H2xll、电池片镀膜的厚度是
8、利用光学中的(C)原理来减少反射。A、光程差B、相长干涉C、相消干涉D、光的折射12、电池片SiNx:H薄膜镀膜厚度和折射率一般控制在(B)。A、65nm,1.8〜1.9B、75nm±5nm,2.0〜2.1C、85nm±5nm,2.2-2.3D、50〜60nm,2.5〜2.6三、连线题Snap-off-^^^版上升速度PrintingspeedPressure-_______:Speedupward-^^^Floodspeed..-四、判断题1、在操作过程中可以裸手拿収硅R。开,杜绝混用现象出现。4、烘箱的工艺参数和烧结的工艺参数不允许随意更改。5、在操作
9、过程屮可以裸手拿収硅片。五、问答题1、写出太阳电池产业链的分布流程
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