组成原理第5章-1.ppt

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1、第五章存储体系5.1存储体系概述一、存储器分类1、计算机系统中存储器的分类按存储介质分类按存取方式分类随机存储器、顺序存储器、相联存储器。按存储器的读写功能分类只读存储器（ROM）、随机读写存储器（RAM）。按信息的可保存性分类永久记忆的存储器、非永久记忆的存储器按在计算机系统中的作用分类分为寄存器、主存储器、辅助存储器、高速缓冲存储器Cache等2、主存储器的分类主存的地位主存的分类随机读写存储器（randomaccessmemory,即RAM）掩膜式只读存储器（Maskread-onlymemory,即MROM）可编程只读存储

2、器(programmableROM,即PROM)可擦除可编程序的只读存储器(erasablePROM,即EPROM)可用电擦除的可编程序的只读存储器(electricallyEPROM,即E2PROM)闪存(Flashmemory)二、主存储器性能指标主要有三个：存储容量、速度和价格1、存储容量K（210）、M（220）、G（230）、T（240）存储器的容量：存储器的地址线是n根，数据线m根，则该存储器的容量是2n×m位2、存储器的速度存取时间TA：启动一次存储器操作到完成该操作所经历的时间。它取决于存储介质和访问机构。例如，存

3、储器接到读命令信号到其数据输出端有信号输出为止的时间就是TA。存储周期TC：连续两次访问存储器所需的最小时间间隔。存储器带宽：是单位时间里存储器所存取的信息量，存储器带宽的计量单位通常是位/秒或字节/秒。3、存储器的价格位价4、存储容量、速度和价格的关系三、存储器的层次结构5.2主存储器CPU与主存的关系图一、随机读写存储器1、静态存储器（SRAM）存储位元随机读写存储器示意图MOS静态存储器六管结构的存储位元图SRAM存储器的组成地址译码方式有两种：线性译码方式和双向译码方式线性译码方式双向译码方式SRAM的读/写过程SRAM的

4、读过程SRAM的写过程SRAM实例2、动态存储器（DRAM）存储位元电容C上有电荷，则存储位元存储的信息是“1”；反之，存储位元存储的信息是“0”。“再生”。“刷新”为了节省芯片面积，DRAM都用小电容来存储数据，电容存在着漏电阻，因此电容中的电荷很快就会通过漏电阻放电而中和，为了长时间保存信息，就必须定时补充电荷MOS动态存储器单管结构的存储位元DRAM存储器的组成4M×4位的DRAMDRAM的读/写过程典型的DRAM的读/写时序DRAM实例2116存储器芯片逻辑结构图DRAM的刷新从上一次刷新结束到下一次对整个DRAM全部刷新

5、一遍为止，这一段时间间隔称为刷新周期。简单的刷新操作是，当刷新所有存储位元时，DRAM芯片并不进行实际的读写操作，刷新计数器产生行地址，刷新计数器的值被当作行地址输出到行译码器，并且激活RAS#线，从而使得相应行的所有位元被刷新。另一种刷新操作是利用CAS#信号比RAS#信号提前动作来实现刷新。这是因为在DRAM器件内部具有刷新地址计数器，每个刷新周期这个地址计数器自动加1，故不需要外加的刷新地址计数器。目前256K位以上的DRAM片子通常都用这种方式刷新。通常，DRAM允许的单元刷新间隔时间是2ms，其刷新电路的工作方式一般有三

6、种：集中式刷新、分散式刷新和异步式刷新。（1）集中式刷新（2）分散式刷新（3）异步式刷新异步刷新采取折中的办法，在2ms内分散地把各行刷新一遍。这样就避免了分散式刷新中不必要的多次刷新，提高了整机速度。同时又解决了集中式刷新中“死区”时间过长的问题。还是对于64K×1位DRAM芯片，存储电路由4个独立的128×128的存储矩阵组成。单元刷新间隔是2ms，存储器存储周期是500ns，则刷新信号的周期为2ms/128=15.625μs。让刷新电路每隔15μs产生一个刷新信号，刷新一行存储单元的内容。二、只读存储器掩膜式只读存储器（MR

7、OM）可编程只读存储器(PROM)可擦除可编程序的只读存储器（EPROM）可用电擦除可编程序的只读存储器（E2PROM）闪存（FlashMemory）ROM的基本结构几种非易失性存储器的比较三、高性能的主存储器EDRAM，即增强型DRAMCDRAM，带Cache的DRAMEDORAM(ExtendedDataOutRAM)。也称“扩展数据输出RAM”SDRAM(SynchronousDynamicRAM)，也称“同步DRAM”。RDRAM(RambusDRAMDDRSDRAM（双倍速率SDRAM），简称DDR。