单晶炉技术说明书.doc

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1、佔七星华创单品炉技术说明书ZM451.03.SM1.用途：本设备为软轴提拉型单晶炉，是在惰性气体（氟气）环境屮，用石墨电阻加热器将硅半导体材料溶化，用直拉法生长单晶的设备。9001型炉采用18”热场，投料量60Kg,可拉制6”或8”的单晶。（1201型炉，采用18”或2（F热场，投料量最大120Kg„可拉制6”〜10“的单晶。）2.设备的工作原理概述：本设备采用软籽晶轴提升机构，显著降低了单晶炉的高度，因而在一般厂房小即可安装使用,便于装配维修和拉晶操作，同时实现了籽晶轴转速稳定的效果。木设备在性能和控制上都进行了改进。在机械结构方面采用了

2、先进的磁流体密封技术、拱形封头式炉盖结构以及合理的主、副室提升机构。单晶的提升采用的是可承受190Kg的不锈钢丝绳。炉室结构为顶开式，主炉室和副炉室开启吋由螺母丝杠装置实现上移。上升到位后对称旋出，便于机动取出晶体，拆除热场系统和清理炉内各部。主炉室和副炉室之间，设有翻板阀，可在维持主炉室工艺条件不变的情况下取出晶体，更换籽晶。3.主要技术数据：9001型1201型3.1.电源3相380V±l0%,50HZ3相380V±10%,50HZ3.2.变床器容量：200KVA230KVA3.3.加热器最大加热功率：150KVA150KVA3.4.加

3、热器最高加热电床：65V65V3.5.最高加热温度：1500°C1500°C3.6.冷炉极限真空度：3Pa3Pa3.7.晶体直径：e6”/ex’"6”〜e10“3.8.熔料量：90Kg120Kg3.9.主炉室尺寸：4)85OX1220mm4)9OOX1200mm3.10.旋阀通径：4)260mm4300mm3.11.副炉室尺寸：4)260X2270mm4)300X2300mm3.12.籽晶拉速范帀：0〜8mm/min0〜Xmm/min3.13.籽晶快速：2400mm/min^4(M)mm/min3.14.籽晶转速范围：0〜48R/min0〜

4、48R/min编制校对批准更改数量更改单号签名日期更改数量更改单号签名日期ZM451.03SM单晶炉技术说明书—n第2页共6页3J5.W升速范围:0〜2mm/min0〜2mm/min3.16.W快速：$IOOmm/minMIOOmm/min3.17.1廿堀转速范围：0〜20R/min0〜20R/min3.18.籽晶提升有效行程：2900mm3000mm3.19.W升降有效行程：400mm400mm3.20.主机占地面积:2500mmX1500mm2000mmX1500mm3.22.主机最大高度：6300mm6500mm4.设备的安装与要求4

5、.1.设备安装环境本设备应在清洁、减震的工作环境小运行，应放置在专用的混凝土基础上，环境条件应选在恒温、恒湿车间。也可在能与空气屮粉尘、振动和冲击波隔离的较好环境屮工作，地面应尽量平整,并且有自然排水管孔，使回水能自然排放。突然的外界较强烈的冲击振动，有可能影响晶体的内在质量。因此，厂房应尽量选择在避开振源的地方。当条件限制而不能避开吋，则要做必要的隔振措施。其具体要求是：室温20±5°C相对湿度W65%外界振源半大于10HZ吋,振幅应小于0.003mm可腐蚀性气体尽量杜绝。本设备在氮气环境屮工作，开炉吋应通风使氮气扩散后再进行操作，厂房应

6、保持良好的通风条件，防止氮气沉积。42冷却水源与排水本设备主体的进水共分3路，一路冷却主机下部各冷却部位，一•路冷却主机上部，一路冷却电缆及机械泵。水管与主机相连时，以软胶管连接，以防止振动干扰主机。排水相应地也有3路，连接管路终端为开式管路，以免炉室及各冷却部分水床过大而造成管路变形，排水管如为多台共用吋，应为无压排水，总排水管应畅通无阻，水质应以软水质循环供水为好。其具体要求为：压力：0」〜0.2MP"流量：>20m3/hPH值：7〜9电阻值：>104〜106Q/cm硬度：W8de氯离子：WlOppm铁离了：WO.lppm进水温度：W2

7、5°C本设备电源部分单独供水，要求水床0.2〜0.3MPa，水质要求同设备主体部分。4.3.电源电丿总3相38OV±10%,50HZ功率：大于150KW/台配电盘应装有500V.400A的空气开关，及380V>400A的隔离开关。厂房内不应有会对单晶炉机电系统正常运行造成不良影响的射电干扰和电磁干扰。建议用户为本设备的“热场加热电源''配备谐波抑制装置，以利于提高电能利用效率，减少干扰。4.4.M气源氮气应使用纯度$99.999%的氮气源，与设备连接部位应采用专用接口，管道为不锈钢材料。其具体要求为：氮气纯度：>99.999%氟气压力：0.

8、05〜0.2MPa氮气流量：100L/min氮气管道泄漏率：<0.01Pa/min4.5.泵组系统泵与主机Z间设置有电动阀及除尘器，屮间用波纹管连接，以减少振动传递。泵与主机之间